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驱动电路误开通,MOS管驱动电路误开通避免-KIA MOS管
通过调节门极驱动电阻和电容的大小可以来调整 MOSFET 的开通/关断速度：增大门极驱动电阻和电容来减慢MOSFET开通/关断的速度，减小 dv/dt (di/dt) 从而减小门极电压尖峰。www.kiaic.com/article/detail/4894.html 2024-04-15
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高压mos管工作原理，高压mos管厂家-KIA MOS管
高压MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的核心是其特殊的MOS结构，包括源极、漏极和栅极，以及它们之间的电压控制关系。www.kiaic.com/article/detail/4893.html 2024-04-12
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绝对值电路,运放绝对值电路,原理图文分享-KIA MOS管
绝对值电路可以将输入的带有正负号的数值转换为其绝对值。这是通过对输入信号进行比较和选择来实现的。如果输入信号是正的，则输出与输入相同；如果输入信号是负的，则输出为输入的相反数。绝对值电路是物理电路中数据信息的处理后的一种电路。www.kiaic.com/article/detail/4892.html 2024-04-12
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亚阈值斜率详解，亚阈值斜率计算公式-KIA MOS管
亚阈值斜率S也称亚阈值摆幅，其定义为亚阈值区漏端电流增加一个数量级所需要增大的栅电压，反映了电流从关态到开态的转换陡直度，具体对应于采用半对数坐标的器件转移特性曲线(I-Vos关系)中亚阈值区线段斜率的倒数。www.kiaic.com/article/detail/4891.html 2024-04-12
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4665参数,4665场效应管,KNX4665B中文资料-KIA MOS管
KNX4665B场效应管具有高击穿电压、低导通电阻和低开关损耗等特点，漏源击穿电压高达650V，漏极电流7A，能够承受较大的电压压力、良好的导电性能，RDS（ON）的典型值为1.1Ω，在VGS=10V时能够实现较低的导通电阻，具有较高的工作效率，还能够实现低栅极电荷最小...www.kiaic.com/article/detail/4890.html 2024-04-11
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直流升压详解，直流升压电路图、原理-KIA MOS管
直流升压电路属于DC/DC电路的一种类型。直流升压（DC-DC Boost）是一种将输入直流电压升压到较高的直流电压的电路。直流升压就是将电池提供的较低的直流电压，提升到需要的电压值，基本的工作过程：高频振荡产生低压脉冲--脉冲变压器升压到预定电压值--脉冲整流...www.kiaic.com/article/detail/4889.html 2024-04-11
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iv特性曲线，mos管的iv特性曲线-KIA MOS管
iv特性曲线-伏安特性曲线，即电流-电压曲线。iv特性曲线定义了电子设备的工作特性。这里的电压指的是源漏偏压，电流指的是漏电极电流。iv特性曲线是双电极器件体系性能模拟的主要目的。www.kiaic.com/article/detail/4888.html 2024-04-11
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7610参数PDF手册,KIA7610A场效应管参数引脚图,25A 100V-KIA MOS管
KIA7610A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流25A，RDS（开）=32mΩ，采用了先进的沟槽加工技术，实现极低的导通电阻，提供杰出的性能、结工作温度175℃，具备较高的耐高温性能，适用于各种苛刻的工作环境、快速的开关速度在电路转换中能够迅速响应，确保电路效...www.kiaic.com/article/detail/4887.html 2024-04-10
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dc电流详解，ac电流和dc电流有什么区别-KIA MOS管
直流电（DC，direct current），又称“恒流电”，恒定电流是直流电的一种，是大小和方向都不变的直流电。直流电是电荷的单向流动或者移动，通常是电子。电流密度随着时间而变化，但是通常移动的方向在所有时间里都是一样的。作为一个形容词，DC可用于参考电压（...www.kiaic.com/article/detail/4886.html 2024-04-10
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MOS管的特点，mos管的特性是什么-KIA MOS管
开关特性：首先MOS管是压控器件，作为开关使用时，NMOS管只要满足Vgs大于Vgs（th）即可导通。开关损耗：MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗，导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的，一般导通电阻都比较小。导通特性：导通的意义是作为开关，相当于开关闭...www.kiaic.com/article/detail/4885.html 2024-04-10
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tip122参数引脚图,tip122参数及代换,KIA6410A中文资料-KIA MOS管
KIA6410A场效应管漏源击穿电压100V、漏极电流15A，具有RDS（ON）=72 mΩ@VGS=10V的低导通电阻特性，同时还具备改进的dv/dt能力，确保快速切换的稳定性、以及100%的EAS保证让用户放心使用，而且作为绿色设备，符合环保要求；KIA6410A封装形式：TO-220、TO-252、...www.kiaic.com/article/detail/4884.html 2024-04-09
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mos管体二极管方向,mos管体二极管的作用-KIA MOS管
典型的MOSFET包括源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。在功率MOSFET中，通常还有一个额外的区域，称为体区（Bulk或Body），这个区域与源极相连。由于MOSFET的制造工艺，源极和体区之间会形成一个PN结，这个PN结就相当于一个二极管。这就是所谓的体二...www.kiaic.com/article/detail/4883.html 2024-04-09
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场效应管和mos管区别|场效应管和mos管怎么区分-KIA MOS管
场效应管-FET和MOS管-MOSFET在结构、工作原理和应用方面有所区别。场效应管(FET)是一个更广泛的概念，包括结型场效应管(JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(MOS-FET)；在MOS管(MOSFET)中，栅极由金属层(M)、氧化层(O)和半导体材料(S)组成，这种结构使得MOS管在低...www.kiaic.com/article/detail/4882.html 2024-04-09
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6n70场效应管参数,KIA6N70H大功率开关mos管-KIA MOS管
KIA6N70H场效应管漏源击穿电压700V、漏极电流5.8A，RDS(on)typ为1.8Ω@VGS=10V，具有低栅电荷（典型16NC）、高耐用性、快速切换和雪崩测试100%、具备提高dv/dt能力的特点，多种封装形式：TO-251、TO-252、TO-220F，方便应用。www.kiaic.com/article/detail/4881.html 2024-04-08