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p06p03lvg电压引脚,p06p03lvg代换,KPE4703A锂电池保护板-KIA MOS管
KPE4703A场效应管漏极电流-8A，漏源击穿电压-30V，具有优异的性能表现；导通电阻RDS(on)仅为19mΩ，在栅极电压为10V时；超低的栅极电荷，能够有效降低电路中的开关损耗，提高整体效率，KPE4703A能够替代尼克森的p06p03lvg型号进行使用，可靠稳定。www.kiaic.com/article/detail/4855.html 2024-03-25
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MOS管尖峰电压,MOS管尖峰产生原因-KIA MOS管
在MOS开通过程中，伴随很大的电压瞬变，即dv/dt，从而在寄生电容中产生大的位移电流Cdv/dt，形成电流尖峰；在MOS关断过程中，通道内产生电流瞬变，di/dt，瞬变电流在寄生电感端产生尖峰电压Ldi/dt。www.kiaic.com/article/detail/4854.html 2024-03-25
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mos管制作led亮度调节,led调光电路-KIA MOS管
这个电路主要用到了一个电容的充电回路，这里需要引入一个时间常数，如果刚给电路通上电，并且按下左面的开关，那么电流会通过R1和R2和按钮开关给电容充电，这个充电过程并不是一瞬间就完成的，是有一个过程，如果想充到电源电压的0.63倍(既1-1/e，在这个电路中...www.kiaic.com/article/detail/4853.html 2024-03-25
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9n90c场效应管参数,9n90c代换,9n90参数引脚图-KIA MOS管
KIA9N90场效应管是一款性能卓越的功率器件，具有9A的电流承受能力和高达900V的电压额定值；RDS（开启）仅为1.12Ω，在VGS=10 V时表现出色；具有低栅极电荷，典型值为70 nC，以及低Crss，典型值为14pF，能够在电路设计中更加灵活可靠。www.kiaic.com/article/detail/4852.html 2024-03-22
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mos管测量好坏方法,mos管测量好坏图解-KIA MOS管
一般在判断好坏的时候先对MOS管放电，放电的目的就是使G极（栅极）和S极（源极）电位相同，放电直接在G极和S极之间用导线短接一下就可以了，也可以串接个电阻。www.kiaic.com/article/detail/4851.html 2024-03-22
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mmbt5551参数,mmbt5551引脚图,mmbt5551规格书-KIA MOS管
频率：300 MHz额定电压(DC)：160 V额定电流：600 mA耗散功率：350 mW击穿电压(集电极-发射极)：160 Vwww.kiaic.com/article/detail/4850.html 2024-03-22
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si2302场效应管参数,引脚图,si2302中文资料-KIA MOS管
漏极电流（ID）：3 A漏-源极电压（VDSS）：20 V漏-源极通态电阻（RDS(on)）：0.06 Ω耗散功率（PD）：1.25 W封装：SOT-23www.kiaic.com/article/detail/4849.html 2024-03-21
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power mosfet电力场效应晶体管特点、结构详解-KIA MOS管
电力MOS场效应管-分为结型和绝缘栅型，通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称电力MOSFET（Power MOSFET） 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。 是一种单极型的电压控制全控型器...www.kiaic.com/article/detail/3019.html 2024-03-21
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mosfet属于什么器件？mosfet原理作用-KIA MOS管
MOSFET属于单极性器件。MOS管，金属氧化物氧化物场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor FET，简称MOS-FET，是应用场效应原理工作的半导体器件，属于电压控制型半导体器件。www.kiaic.com/article/detail/4848.html 2024-03-21
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mos管开启条件,n沟道p沟道mos管开启条件-KIA MOS管
MOS属于电压控制型器件，但是实际上MOS管在从关断到导通的过程中也是需要电流的，因为MOS管各极之间存在寄生电容Cgd，Cgs以及Cds。对于N沟道增强型MOSFET，开启条件是漏源电压（Vds）大于开启电压（Vgs(th)），同时栅源电压（Vgs）也大于开启电压（Vgs(th)）。...www.kiaic.com/article/detail/4847.html 2024-03-21
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10N80E参数,10n80参数及代换,KIA10N80H参数引脚图-KIA MOS管
10N80E参数,10n80参数引脚图漏极电流（ID）：10A漏极和源极电压（VDSS）：800V漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.85Ω耗散功率（PD）：42W封装：TO-220Fwww.kiaic.com/article/detail/4846.html 2024-03-20
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国产mos管厂家,国内mos管厂家品牌-KIA MOS管
广东可易亚半导体科技有限公司主营半导体产品丰富，是一家国产MOS管厂家。专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、超结场效应管、碳化硅二极管、碳化硅场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。www.kiaic.com/article/detail/4845.html 2024-03-20
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nmos和pmos的区别,nmos pmos怎么区分-KIA MOS管
MOS管根据导电性质不同可分为NMOS和PMOS两种。NMOS和PMOS的结构相似，都是由n型和p型半导体夹杂着一层氧化膜构成的。不同之处在于，NMOS的氧化膜上覆盖着一层金属，通常是钨或铜，而PMOS则覆盖着一层氮化硅或氧化铝等绝缘材料。www.kiaic.com/article/detail/4844.html 2024-03-20
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7n80场效应管参数,7n80c场效应管参数代换-KIA MOS管
KIA7N80场效应管是一款性能出色的电子器件，具有极高的可靠性和稳定性，7n80漏极电流7A，漏源击穿电压800V，RDS(on)仅为1.4Ω@ VGS=10V，栅极电荷低，仅为27nC，快速切换，操作高效，还具备高坚固性，经过100%雪崩测试，改进的DV/DT功能，进一步提升了性能表现...www.kiaic.com/article/detail/4843.html 2024-03-19