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开关电源MOS的失效原因及预防措施-KIA MOS管
雪崩失效：MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOSFET漏源之间，导致的一种失效模式。简而言之就是MOSFET漏源极的电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。www.kiaic.com/article/detail/4842.html 2024-03-19
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三端稳压器怎么测量,三端稳压器测量好坏方法-KIA MOS管
将可调电阻RP左旋到头，使ADJ端子电压为0，用数字万用表或指针万用表的电压挡测量，滤波电容C1两端电压应低于1.25V。然后，慢慢向右旋转RP，使C2两端电压逐渐升高，C1两端电压也要逐渐升高，最高电压接近 37V。否则，说明LM317存在异常。www.kiaic.com/article/detail/4841.html 2024-03-19
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3n80c场效应管参数,3n80c场效应管代换,中文资料-KIA MOS管
KIA3N80H场效应管性能优越，漏极电流3A，漏源击穿电压高达800V，表现出强大的功率承受能力；在开启状态下，静态电阻RDS为4.8?，在栅极电压为10V时具有稳定的电气特性；低栅极电荷为13nC，确保了快速的响应速度；还具有高坚固性，能够在恶劣环境下可靠工作；以...www.kiaic.com/article/detail/4840.html 2024-03-18
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什么是数字集成电路,数字集成电路详解-KIA MOS管
数字集成电路是基于数字逻辑（布尔代数）设计和运行的，基于逻辑门搭建的，用于处理数字信号的集成电路。数字电路是用来处理0和1的信号的，在数字电路中，就只有0和1这两个状态。数字电路通过复杂的逻辑门设计，通过简单的0和1这两个状态的组合，就能实现非常复...www.kiaic.com/article/detail/4839.html 2024-03-18
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lvds电平详解，lvds电平标准-KIA MOS管
LVDS ：低电压差分信号（Low-Voltage Differential Signaling）是一种信号传输模式的电平标准，LVDS传输支持速率一般在155Mbps（大约为77MHz）以上。它采用极低的电压摆幅高速差动传输数据（采用CMOS 工艺的低电压差分信号器件），实现点对点（或则点对多：M-L...www.kiaic.com/article/detail/4838.html 2024-03-18
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12n65场效应管参数代换,12n65场效应管引脚图-KIA MOS管
KIA12N65H场效应管漏极电流12A，漏源击穿电压650V，RDS（on）为0.63?，在VGS为10V时表现出色、低栅极电荷，典型值为52nC，使得它在高频率下仍能表现稳定、快速切换能力在电路中能够迅速响应信号变化，确保信号传输的准确性、雪崩能量规定和改进的dv/dt能力增强...www.kiaic.com/article/detail/4837.html 2024-03-15
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基于pwm的led调光控制,led亮度调节-KIA MOS管
以LED1为例，当P00口为低电平时，LED1亮。当P00口为高电平的时，LED1灭。所以通过PWM控制在一个周期内高低电平的比例，进而控制LED1的发光强度。www.kiaic.com/article/detail/4836.html 2024-03-15
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电源管理简介,电源管理系统,电源管理芯片-KIA MOS管
电源管理是指如何将电源有效分配给系统的不同组件。对计算机或其他电子设备的电源进行有效管理和控制，以达到更高的能源效率和更长的电池寿命。它涉及到对设备的电源消耗进行监控、调整和优化，以最大限度地减少能源的浪费，并延长设备的使用寿命。www.kiaic.com/article/detail/4835.html 2024-03-15
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NCE4060K,NCE4060参数代换,KND3504A场效应管-KIA MOS管
KND3504A场效应管，采用了沟槽功率低压MOSFET技术，漏极电流70A，漏源击穿电压40V，具有低导通电阻，典型值为7.0mΩ；出色的散热封装和低RDS（ON）的高密度电池设计，使其在各种应用中表现突出；能够替代新洁能品牌NCE4060K型号进行使用，封装形式：TO-252。www.kiaic.com/article/detail/4834.html 2024-03-14
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pwm电路,工作原理,pwm电路图分享-KIA MOS管
PWM（脉冲宽度调制）电路工作原理主要基于调节占空比来控制模拟电路。占空比是指高电平在一个周期内所占的比例。通过改变占空比，可以实现输出电压的调节。例如，占空比为50%时，输出电压为5V的一半，即2.5V。占空比越大，输出的平均电压也就越大，反之则越小。...www.kiaic.com/article/detail/4833.html 2024-03-14
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lcr电桥,lcr电桥原理图,lcr电桥测量方法-KIA MOS管
lcr电桥，L是电感(Inductance), R是电阻（Resistance），C是电容（Capacitance）。LCR数字电桥是能够测量电感，电容，电阻，阻抗的仪器，lcr电桥采用SMT表面贴装工艺，测量速度快，读数稳定。www.kiaic.com/article/detail/4832.html 2024-03-14
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3730场效应管参数,逆变器mos管专用,KNH3730A-KIA MOS管
KNH3730A场效应管是一款性能优越的器件，采用专有新型平面技术，具有50A的漏极电流和300V的漏源击穿电压，RDS（ON）在VGS=10V时仅为70mΩ（典型值），能够实现低栅极电荷最小化，降低开关损耗；以及快速恢复体二极管，提高了电路的稳定性和效率。www.kiaic.com/article/detail/4831.html 2024-03-13
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可变增益放大器,可变增益放大器电路设计-KIA MOS管
可变增益放大器(VGA)用于多种远程检测和通信设备中，能够为需要高动态范围的信号链提供出色的性能。从超声波、雷达、激光雷达、无线通信到语音分析等应用都利用VGA来提供杰出的性能。模拟电路需要对信号进行放大或衰减，这一功能可由可变增益放大器（VGA）实现...www.kiaic.com/article/detail/4830.html 2024-03-13
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准谐振电路,准谐振电路原理图文分享-KIA MOS管
准谐振电路中电压或电流的波形为正弦半波，因此称为准谐振。是最早出现的软件开关电路。特点：谐振电压峰值很高，要求器件耐压必须提高；谐振电流有效值很大，电路中存在大量无功功率的交换，电路导通损耗加大；www.kiaic.com/article/detail/4829.html 2024-03-13