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逆变器炸管原因,逆变器烧场效应管原因-KIA MOS管
开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏，甚至可能会伴随爆炸，非常危险。www.kiaic.com/article/detail/4814.html 2024-03-06
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电机MOS管,KNG3404D,KNG3404D场效应管参数-KIA MOS管
KNG3404D场效应管漏极电流80A，漏源击穿电压为40V，具有出色的性能指标；RDS（ON）=4.4mΩ（典型值）@VGS=10V，极低的导通电阻，有助于降低功耗和提升效率；还具有改进的dv/dt能力以及低Crss，能够实现快速切换，同时经过100%雪崩测试，保证了其可靠性；适用于...www.kiaic.com/article/detail/4813.html 2024-03-05
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电流源电路详解,电流源电路图分享-KIA MOS管
电流源电路中的电流设定一般都是由钳位住采样电阻上的电压来确定的。流过它的电流形成的电压Vset=0.1V 经仪表放大器放大后输入到运放的负向输入端。www.kiaic.com/article/detail/4812.html 2024-03-05
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pmos电路,pmos开关电路,pmos电路图-KIA MOS管
NMOS做高侧开关的性能比较好，但因为要增加额外的栅极驱动IC，会使电路变得复杂，成本也会随之提升。除开电机控制和电源转换的场合，一般对开通速度、导通内阻、过电流能力 无细致需求的话，PMOS无疑是做开关的较好选择。www.kiaic.com/article/detail/4811.html 2024-03-05
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矿机电源mos,KCX3560A参数,76A 600V,TO-247-KIA MOS管
矿机电源专用mos管KCX3560A漏源击穿电压600V，漏极电流76A；具有坚固的高压终端、指定雪崩能量、与离散快速恢复二极管相当的源极到漏极恢复时间、二极管用于桥式电路、高温下规定的IDSS和VDS（ON）、隔离安装孔减少了安装硬件等优异特性；KCX3560A封装形式：TO...www.kiaic.com/article/detail/4810.html 2024-03-04
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逻辑门电路,门电路原理,门电路实例分享-KIA MOS管
用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路称为门电路。门电路是数字电路中最基本的逻辑单元。它可以使输出信号与输入信号之间产生一定的逻辑关系。www.kiaic.com/article/detail/4809.html 2024-03-04
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与门电路原理图,与门电路图-KIA MOS管
在与门电路功能示意图中，只有在开关A和B都闭合时，灯才会亮，如果A和B中任意一个处于开路状态，灯就不会亮。www.kiaic.com/article/detail/4808.html 2024-03-04
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40n60参数代换,48n60场效应管参数,KCX9860A-KIA MOS管
KCX9860A漏源击穿电压600V，漏极电流47A；具有坚固的高压终端、指定雪崩能量、与离散快速恢复二极管相当的源极到漏极恢复时间、二极管用于桥式电路、高温下规定的IDSS和VDS（ON）、隔离安装孔减少了安装硬件等优异特性；KCX9860A封装形式：TO-220F、TO-247；能...www.kiaic.com/article/detail/4807.html 2024-03-01
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rc正弦波振荡电路,RC正弦波振荡器-KIA MOS管
图所示是RC移相式正弦波振荡器电路。电路中，VT1 接成共发射极放大器电路，VT1 为振荡管，Uo这一振荡器的输出信号，为正弦信号。www.kiaic.com/article/detail/4806.html 2024-03-01
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10分钟快速充放电,浙大开发电池新方案-KIA MOS管
浙大提出的新型电解液在25℃室温下的离子电导率是商用电解液的4倍；在-70℃时高于商用电解液3个数量级以上。“在同等条件下，我们设计的锂离子电池，能够实现充电10分钟，达到八成充电量，展现出超快的离子传输行为。”快充性能优异，也意味着低温充放电性能较...www.kiaic.com/article/detail/4805.html 2024-03-01
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开关电源MOS管,LED驱动,KNX4660A参数7n60代换-KIA MOS管
KNX4660A场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7A，使其在高压环境下发挥稳定而强大的作用，RDS（ON），典型值=1.0Ω@VGS=10V，具有良好的导通性能；符合RoHS标准、低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管等特性使其在开关电源、LED驱动领域有着广泛的应用前...www.kiaic.com/article/detail/4804.html 2024-02-29
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三级管和MOS管的区别,图文详解-KIA MOS管
三级管和MOS管的结构不同，mos管的栅线是用绝缘层和金属网格构成的；而三极管是直接用硅片上的pn结把两个电极连接起来。控制的区别：三极管是电流驱动的，较低的电压就可以驱动三极管，但是三极管需要较大的控制电流; 而MOS管是电压驱动的，驱动电压较高，但是...www.kiaic.com/article/detail/4803.html 2024-02-29
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mos管极性判断,mos管三个极,正负极性-KIA MOS管
使用万用表的两个表笔分别测量MOS管的两个引脚，记录下万用表的读数。如果某个引脚显示出无穷大的读数，则该引脚对应的是源极（S）。相反，如果另一个引脚有数值，则对应的引脚是漏极（D）。www.kiaic.com/article/detail/4802.html 2024-02-29
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电器元件符号大全,电子元器件符号-KIA MOS管
电子电路器件包括：电阻器(含电位器)、电容器、电感器、变压器、二极管、三极管、光电器件、电声器件、显示器件、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管、IGBT、MOSFET、继电器与干簧管、开关、保险丝、晶振、连接器、各种传感器等。电路图是说明模拟电子电路工作原理的...www.kiaic.com/article/detail/4800.html 2024-02-28