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全桥逆变电路分享,全桥逆变电路原理-KIA MOS管
单相全桥逆变电路也称为‘H桥’电路，由四个功率开关管及其驱动辅助电路构成，工作时Q1与Q4通断互补、Q2与Q3通断互补。当Q1、Q3闭合，Q2、Q4断开时，负载电压Uo为正;当Q1、Q3断开，Q2、Q4闭合时，负载电压Uo为负，Uo波形如图(b)所示。www.kiaic.com/article/detail/4799.html 2024-02-28
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7n60参数及代换,7n60场效应管参数,7n60参数引脚图-KIA MOS管
KIA7N60H场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7A，能够在高压应用中表现出色；RDS（打开）=1.0? @ VGS=10V，具有较低的导通电阻，能够有效降低功耗和提高效率；能够替代仙童、UTC等品牌7N60型号场效应管进行使用；KIA7N60H封装形式： TO-263、262、220、220F多...www.kiaic.com/article/detail/4798.html 2024-02-27
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几款单键开关机电路,单按键开关机电路-KIA MOS管
此电路可以应用于很宽的电压范围（4.5V~40V，最大19A的电流），R5为可选，当输入电压小于20V时可短接；输入电压大于20V时建议接上，R5的取值应满足与R1的分压使MOS管V1的GS电压大于-20V小于-5V（在V2导通时），尽量使V1的GS电压在-10V~-20V之间以使V1输出大电流...www.kiaic.com/article/detail/4797.html 2024-02-27
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单键自锁开关电路,MOS管单键自锁电路-KIA MOS管
1、上电后Q2 基极为低电平，导致截止，所以Q1 G极为高电平而截止；2、当按下SW开关时，因C1充满电，此时由C1向Q2放电，导致Q2导通，Q1 G极变为低电平导通，R3构成的反馈电路能够持续的给Q2 基极供电，实现自锁导通；www.kiaic.com/article/detail/4796.html 2024-02-27
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P30v,P40v,P60v低压MOS,场效应管,国产原厂-KIA MOS管
KIA3409采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）和低栅极电荷。该器件适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3409不含铅（符合ROHS和Sony 259规范）。VDS(V)=-30VID=-2.6Awww.kiaic.com/article/detail/4795.html 2024-02-26
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MOS管下拉电阻作用,栅源(G-S)极下拉电阻-KIA MOS管
假使在这里没有电阻起到偏置电压的作用，那么 MOSFET 的源极电压会因为随着负载电流的变化而变化，导致门源电压出现变化，从而影响 MOSFET 工作状态。www.kiaic.com/article/detail/4794.html 2024-02-26
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b772参数及管脚图,b772引脚图及功能-KIA MOS管
b772集电极基极电压-40V，集电极-发射极电压-30V，发射极-基极电压-6V，最小放大倍数60，最大放大倍数400，耗散功率500mW。采用SOT-89封装，封装小巧、热性能好、散热效率高、可靠性好、安装方便。www.kiaic.com/article/detail/4793.html 2024-02-26
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6n60场效应管,6n60场效应管参数,4560A中文资料-KIA MOS管
KND4560A场效应管漏源电压600V，漏极电流6A，RDS（ON）为1.4Ω（在VGS=10V时的典型值）；具有TO-251、252封装形式可供选择，方便安装使用。KND4560A能够替代士兰微、ST、华晶的SVF6N60D、STF6N60、CS6N60A3型号进行使用，是一款优质稳定、性价比高的国产MOS管。...www.kiaic.com/article/detail/4792.html 2024-02-23
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电源滤波器原理图,电源滤波器电路图-KIA MOS管
C1、C2是差模电容器，一般称为X电容，电容容量很多时候选择在0.01μF到0.47μF之间；Y1和Y2是共模电容，一般称为Y电容，电容量不宜过大，一般在几十纳法左右，选的太大容易引起漏电；www.kiaic.com/article/detail/4791.html 2024-02-23
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比较器电路图,lm311比较器电路图分享-KIA MOS管
LM311比较器电路及其引脚编号如下原理图所示。该晶体管的接地位于引脚 1 处，集电极开路输出位于引脚 7 处。图中显示，使用 1k 电阻器将逻辑电压上拉至 +5，这是典型情况。www.kiaic.com/article/detail/4790.html 2024-02-23
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4n60场效应管参数代换,开关电源适配器专用MOS管-KIA MOS管
KIA4N60H场效应管漏源电压600V，漏极电流4A，RDS（ON）=2.3Ω@VGS=10V；具备低栅极电荷（典型值为13.5nC）最小化开关损耗，高坚固性，快速切换能力，指定雪崩能量，改进的dv/dt能力，能够稳定可靠地工作，提供更高效的性能。KIA4N60H场效应管广泛应用于LED、开...www.kiaic.com/article/detail/4789.html 2024-02-22
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双脉冲测试原理,双脉冲测试原理图详解-KIA MOS管
为了评估功率器件的动态参数，通常采取的测量方法是双脉冲测试。通过两个脉冲，去控制器件的开关开关，然后测试在开关过程中的一些参数指标。对比不同开关管参数及性能，同时可以获取开关管开关过程中的参数，评估驱动电阻数值是否合适，是否需要吸收电路等。www.kiaic.com/article/detail/4788.html 2024-02-22
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控制器mos管,电动车控制器MOS管应用-KIA MOS管
通过控制MOS管的开关状态，可以调节电机的转速和扭矩输出。此外，MOS管具有低导通压降和低开关损耗的特点，有效提高了电动车的能效。www.kiaic.com/article/detail/4787.html 2024-02-22
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30n50场效应管参数,代换,8150A场效应管30A 500V-KIA MOS管
KNH8150A场效应管采用高级平面工艺，漏源电压500V，漏极电流30A，RDS（ON）=150mΩ（典型值）@VGS=10V；具备低栅极电荷最小化开关损耗，能够稳定可靠地工作，加固多晶硅栅极结构，提供了更高效的性能表现。www.kiaic.com/article/detail/4786.html 2024-02-21