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to220封装,to220封装尺寸图【详细图文】-KIA MOS管
TO-220是一种大功率晶体管、中小规模集成电路等常采用的一种直插式的封装形式。TO英文是 Transistor Outline的缩写。通常，TO-220为单排直插，一般可以引出3个、5个或7个脚。www.kiaic.com/article/detail/4582.html 2023-11-07
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mim电容,mim、mom、mos电容的区别-KIA MOS管
MIM电容相当于一个平行板电容，最顶层二层金属间距较大，形成的电容容值很小，MIM电容一般由最顶层二层金属和中间特殊的金属层构成，MIM电容结构如下，CTM和Mt-1中间的介质层比较薄，形成的电容密度较高，且在顶层，寄生较小，精度高。www.kiaic.com/article/detail/4581.html 2023-11-07
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095r0nt参数,095r0nt场效应管代换,优质平替-KIA MOS管
KNX2908B?这款130A、80V大流量、低电压的MOS管能够代换SVG095R0NT型号来使用。SVG095R0NT代换MOS管KNX2908B广泛应用于DC/DC电源、DC-AC逆变器、开关电源、UPS、BLDC电机驱动及锂电池保护板上。www.kiaic.com/article/detail/4580.html 2023-11-06
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结电容,pn结电容,mos结电容详解-KIA MOS管
PN结两端电压变化，引起积累在中间区域的电荷数量的改变，从而呈现电容效应，这个电容就是势垒电容。www.kiaic.com/article/detail/4579.html 2023-11-06
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可调稳压电池充电器电路【收藏学习】-KIA MOS管
晶体管 Q1 和 Q2 作为串联稳压器连接，以控制电池充电器的输出电压和充电电流速率。LM-317 可调电压调节器向功率晶体管 Q1 和 Q2 的基极提供驱动信号。www.kiaic.com/article/detail/4578.html 2023-11-06
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4n90c代换,4n90c场效应管参数,引脚图,大功率900V-KIA MOS管
推荐这款大功率900V场效应管??KNX4390A匹配型号FQPF4N90C代换使用，该产品可广泛应用于仪器仪表、PD快充、电源转换器、马达驱动及电焊机等。www.kiaic.com/article/detail/4577.html 2023-11-03
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芯片结温分析,芯片结温计算、公式-KIA MOS管
从PN结制造工艺上，核心原理是根据杂质补偿，通过掺杂获得,如下图， P-type 掺杂和 N-type 掺杂接触后，中间形成一个耗尽区（或者称为空间电荷区，如下图右上）；两个的交接线周围形成一个PN结（如下图左上）。www.kiaic.com/article/detail/4576.html 2023-11-03
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运算放大器内部电路图,结构原理详解-KIA MOS管
差动输入级：以一差分放大器作为输入级，提供高输入阻抗以及低噪声放大的功能。www.kiaic.com/article/detail/4575.html 2023-11-03
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电机驱动板场效应管,专用mos管,35P10参数引脚图-KIA MOS管
KIA35P10A是一款自动化设备的电机驱动专用MOS管，采用先进的沟槽MOSFET技术，提供出色的RDS（ON）和栅极电荷。KIA35P10A漏源击穿电压-100V, 漏极电流-35A ,RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V，封装形式：TO-252；www.kiaic.com/article/detail/4574.html 2023-11-02
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传感器的工作原理,传感器的种类及应用-KIA MOS管
传感器定义：能够感受诸如力、温度、光、声、化学成分等物理量，并能把它们按照一定的规律转换为便于传送和处理的另一个物理量（通常是电压、电流等电学量），或转换为电路的通断。www.kiaic.com/article/detail/4573.html 2023-11-02
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电源切换电路,双电源切换电路图,收藏学习-KIA MOS管
主电源供电时，中间继电器K1线圈得电，K1的常开点闭合，交流接触器KM2线圈得电，K1的常闭触点断开，KM1线圈无法工作。当主电源断电时，K1的常开点复位接触器KM2线圈失电，K1常闭触点复位接触器KM1线圈得电，备用电源供电。www.kiaic.com/article/detail/4572.html 2023-11-02
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110n8f5场效应管参数,100n08参数及代换,引脚,2908B-KIA MOS管
KNX2908B场效应管采用先进的N沟道沟槽技术，漏源击穿电压80V, 漏极电流最大值为130A ,能够代换110n8f5和100n08这两款型号来使用。www.kiaic.com/article/detail/4571.html 2023-11-01
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晶体管阈值电压,阈值电压有哪些影响因素?-KIA MOS管
场效应晶体管 (FET) 的阈值电压通常缩写为 Vth 或 VGS(th)，是在源极端子和漏极端子之间形成导电路径所需的最小栅源电压 (VGS)。场效应晶体管（FET）的阈值电压就是指耗尽型FET的夹断电压与增强型FET的开启电压。www.kiaic.com/article/detail/4570.html 2023-11-01
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mos管n沟道和p沟道的区别,一文就懂!-KIA MOS管
MOS管由源极、漏极和栅极三个电极组成。根据栅极和沟道之间的型别不同，MOS管可分为P型MOS管和N型MOS管，PMOS管中的沟道为P型沟道，而NMOS管中的沟道为N型沟道。www.kiaic.com/article/detail/4569.html 2023-11-01