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高电平转低电平方法,高电平转低电平电路-KIA MOS管
当S1A为低电平的时候，MOS管Q3导通，S1A与S2A导通，S2A端被拉低到0V，实现两端都为低电平。当S1A为高电平的时候，MOS管Q3关断，S2A端由上拉电阻（上图中的 R28）拉高成高电平，实现两端都被高电平。www.kiaic.com/article/detail/5939.html 2025-09-25
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绝缘栅型场效应管和结型场效应管详解-KIA MOS管
结型场效应管（JFET）、绝缘栅型场效应管（MOSFET），结型场效应管分为N沟道和P沟道；绝缘栅型分为增强型和耗尽型（N沟道和P沟道）。JFET和MOSTFET之间的主要区别在于，通过JFET的电流通过反向偏置PN结上的电场引导，而在MOSFET中，导电性是由于嵌入在半导体上...www.kiaic.com/article/detail/5938.html 2025-09-25
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fet类型：JFET,MOSFET,MODFET,MESFET详解-KIA MOS管
FET（场效应晶体管）主要分为结型场效应管（JFET）、金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和金属-半导体场效应管（MESFET）、调制掺杂场效应管（MODFET）等。www.kiaic.com/article/detail/5937.html 2025-09-25
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mos管的作用和工作原理图文-KIA MOS管
MOS管在开关电路中扮演着重要的角色。其优异的电性能使得它能够高效地控制电路的通断，实现精确的开关功能。www.kiaic.com/article/detail/5936.html 2025-09-23
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充电器mos管,2904mos,to263封装,KCB2904A场效应管-KIA MOS管
KCB2904A场效应管漏源击穿电压45V，漏极电流130A，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS（ON）2mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，减少开关损耗；具有低功率损耗，高功率密度，提升最大电流承载能力，易于并联，优异的低Ciss特性，在高频应用中更快地响应...www.kiaic.com/article/detail/5935.html 2025-09-22
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直流电机驱动器工作原理详解-KIA MOS管
直流电机驱动器是通过调节直流电机的输入电流，从而控制电机的转速和转矩；主要由电源、控制器、驱动器和电机组成，控制器根据输入信号发出控制指令，驱动器根据指令调节电机的电流，进而控制电机的运动。www.kiaic.com/article/detail/5934.html 2025-09-22
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buckboost电路原理,buckboost拓扑结构-KIA MOS管
开关导通时，能量从输入直流电源（通过开关）传输给电感，没有能量传输给输出端。开关关断时，电感储能（通过二极管）传输到输出端，没有直接来自输入直流电源的能量。www.kiaic.com/article/detail/5933.html 2025-09-22
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2n7002场效应管参数,2n7002引脚图,资料-KIA MOS管
漏源电压（Vds）：60V（最大值）连续漏极电流（Id）：115mA（典型值）栅源阈值电压（Vgs th）：1V至2.5V（测试条件250pA）www.kiaic.com/article/detail/5932.html 2025-09-19
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控制器mos管的作用,控制器mos管故障原因-KIA MOS管
MOS管作为高速电子开关，通过栅极电压控制电流通断，实现对电机调速、制动等操作的精准调节。其低导通电阻和高开关频率特性可显著降低能耗，适用于电动车控制器等高频场景。www.kiaic.com/article/detail/5931.html 2025-09-19
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场效应管内部构造和工作原理详解-KIA MOS管
MOS管的结构核心是“绝缘层隔离栅极与沟道”，具体如下（以N沟道MOS管为例）：衬底：通常是P型半导体（也有N型衬底）；绝缘层：在衬底表面生长一层极薄的氧化硅（SiO2），厚度仅几十到几百埃（1埃=10-10米），起绝缘作用；www.kiaic.com/article/detail/5930.html 2025-09-19
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电源切换mos,3310场效应管,to263封装,KCB3310A参数-KIA MOS管
KCB3310A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流90A，采用先进的SGT技术制造，?极低导通电阻RDS（导通）仅为5mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快、?卓越的稳定性和均匀性、快速切换和软恢复，高效可靠，适...www.kiaic.com/article/detail/5929.html 2025-09-18
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变频器电路详解,变频器电路原理图-KIA MOS管
从R、S、T端输入的三相交流电，经三相整流桥（由二极管D1～D6构成）整流成直流电，电压为UD。电容器C1和C2是滤波电容器。6个IGBT管（绝缘栅双极性晶体管）V1～V6构成三相逆变桥，把直流电逆变成频率和电压任意可调的三相交流电。www.kiaic.com/article/detail/5928.html 2025-09-18
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电压跟随器电路,LM358电压跟随器-KIA MOS管
电压跟随器（单位增益放大器、缓冲放大器和隔离放大器）是一种电压增益为 1 的运算放大器电路。这意味着运算放大器不会对信号进行任何放大。称之为电压跟随器，是因为输出电压直接跟随输入电压，即输出电压与输入电压相同。如果 10V 作为输入进入运算放大器，则...www.kiaic.com/article/detail/5927.html 2025-09-18
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适配器充电器mos,1000v场效应管,KNP43100A参数引脚图-KIA MOS管
KNP43100A场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流4A，极低导通电阻RDS(开启) 2.2Ω，低栅极电荷最小化开关损耗，在承受高电压和高电流方面表现出色；低反向传输电容，开关速度快，快速恢复体二极管，高效率低损耗，符合RoHS标准，稳定可靠；广泛应用于适配器、充...www.kiaic.com/article/detail/5926.html 2025-09-17