返回首页

广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5255 个

  • 单相逆变电路原理图,工作原理详解-KIA MOS管

    单相逆变电路采用全桥(H桥)或半桥结构,通过控制四个开关器件的交替导通,将直流电转换为交流电。当对角开关(如Q1/Q4或Q2/Q3)导通时,负载两端分别呈现正、负直流电压,通过周期性切换形成方波交流输出。

    www.kiaic.com/article/detail/5841.html         2025-08-07

  • 监视器应用,20a600v场效应管,KNF7160A参数现货-KIA MOS管

    KNF7160A场效应管漏源击穿电压600V,漏极电流20A,采用专有平面新技术制造,高输入阻抗、低噪声,?极低导通电阻RDS(ON)0.35Ω(典型值),最大限度地降低导通电阻,超低栅极电荷,减少开关损耗;快速恢复体二极管、反向恢复时间短,高效低耗,稳定可靠;广泛...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5840.html         2025-08-06

  • ocl功率放大电路图,工作原理详解-KIA MOS管

    OCL功率放大电路一般采用正、负对称的两组电源供电,电路内部直到负载扬声器全部采用直接耦合,中间无输入、输出变压器(人们将不用输入和输出变压器的功率放大电路称为单端推挽电路),也不需要输出电容器,其好处是通频带宽,信号失真最低。

    www.kiaic.com/article/detail/5839.html         2025-08-06

  • otl功率放大器电路图,电路原理-KIA MOS管

    OTL (Output Transformer Less),无输出变压器。otl功率放大器就是没有输出耦合变压器的功率放大器。otl功率放大器采用输出端耦合电容取代输出耦合变压器。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5838.html         2025-08-06

  • 直流直流转换器,190a40vmos管,KNB2404A场效应管参数-KIA MOS管

    KNB2404A场效应管漏源击穿电压40V,漏极电流190A,极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ,最大限度地减少导电损耗,低栅极电荷,减少开关损耗,高效低耗;具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快、?高雪崩电流,在高电压或大电流条件下稳定可靠,无铅环保型设备;广泛应...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5837.html         2025-08-05

  • ups逆变器,190a40v,2404场效应管,KNY2404A参数引脚图-KIA MOS管

    KNY2404A场效应管漏源击穿电压40V,漏极电流190A,采用专有新型沟槽工艺制造,极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ,最大限度地降低导通电阻,低栅极电荷减少开关损耗,高效稳定;快速恢复体二极管、反向恢复时间短,高频性能优异?;广泛应用于高效DCDC转换器、同步...

    www.kiaic.com/article/detail/5795.html         2025-08-05

  • ​高频逆变器和工频逆变器的区别-KIA MOS管

    高频逆变器通过高频开关技术(通常为几十kHz至几百kHz)实现能量转换。其核心是高频变压器或电感,配合MOSFET或IGBT等功率开关器件。输入直流电先通过高频逆变电路转换为高频交流电,再经高频变压器变换电压,最后通过整流和滤波输出工频交流电。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5836.html         2025-08-05

  • 开关稳压电源,稳压电源电路图分享-KIA MOS管

    交流电压经整流电路及滤波电路整流滤波后,变成含有一定脉动成份的直流电压,该电压进入高频变换器被转换成所需电压值的方波,最后再将这个方波电压经整流滤波变为所需要的直流电压。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5835.html         2025-08-05

  • 600v超结mos管,600v24a,KLF60R135BD场效应管参数-KIA MOS管

    KLF60R135BD场效应管漏源击穿电压600V,漏极电流24A,采用多层外延工艺的超结MOS,有效降低导通电阻Rds(on)和Qg,更利于提高效率;?极低导通电阻RDS(ON)110mΩ(典型值),最大限度地降低导通电阻,低栅极电荷(典型Qg=46nC),减少开关损耗;具有高耐用性、...

    www.kiaic.com/article/detail/5828.html         2025-08-04

  • 60r090,38a600v超结,KLF60R090B场效应管参数-KIA MOS管

    KLF60R090B场效应管漏源击穿电压600V,漏极电流38A,采用多层外延工艺的超结MOS,有效降低导通电阻Rds(on)和Qg,高效低耗;极低导通电阻RDS(ON)80mΩ(典型值),最大限度地降低导通电阻,低栅极电荷Qg=52nC,减少开关损耗;具有高耐用性、超快开关速度以及1...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5834.html         2025-08-04

  • 全波整流电路与半波整流电路的区别-KIA MOS管

    全波整流通过桥式或中心抽头设计实现双向电流导通,输出效率是半波整流的2倍;半波整流仅利用单方向电流,输出电压脉动更大且能量损耗显著。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5833.html         2025-08-04

  • 全波整流电路,原理图分享-KIA MOS管

    全波整流电路是将交流电的完整周期转换为脉动直流电的整流电路。在这种整流电路中,在半个周期内,电流流过一个整流器件(比如晶体二极管),而在另一个半周内,电流流经第二个整流器件,并且两个整流器件的连接能使流经它们的电流以同一方向流过负载。

    www.kiaic.com/article/detail/5832.html         2025-08-04

  • 同步整流,2904mos管,45v130a,KCP2904A场效应管参数-KIA MOS管

    KCP2904A场效应管漏源击穿电压45V,漏极电流130A,采用先进的SGT技术,低功率损耗,高功率密度,提升最大电流承载能力,易于并联;极低导通电阻RDS(ON)2mΩ(典型值),最大限度地降低导通电阻,减少开关损耗;优异的低Ciss特性,在高频应用中更快地响应输入...

    www.kiaic.com/article/detail/5831.html         2025-08-01

  • 被动式PFC电路原理,无源pfc电路-KIA MOS管

    被动式PFC有两种类型:电感补偿式,在整流桥堆和滤波电容之间加入一个电感(适当选取电感量),其工作原理是利用电感减小交流输入的基波电流与电压的相位差,从而提高功率因数;

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5830.html         2025-08-01

Powered by DY Net+! |SiteMap |Copyright © 广东可易亚半导体科技有限公司 粤ICP备14090673号