|
|
|
结果: 找到相关主题 5666 个
-
5v过压保护电路,电路图原理详解-KIA MOS管
当VIN输入电压小于5.1V时的情况，假定输入5V，稳压管导通电压为5.1V，所以稳压管D1不导通，因此三极管Q2就不会导通，接着MOS管Q1的栅极就会被R3拉到OV,P-MOS,Vgs=-5V,p-MOS管导通，此时Vout会正常输出5V.www.kiaic.com/article/detail/6241.html 2026-03-05
-
原厂特价3508场效应管,80v70a,to252,KND3508A现货-KIA MOS管
原厂现货特价型号KND3508A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流70A，极低导通电阻RDS(开启) 7.5mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；具有优越的开关性能，低功耗、开关速度快，在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲，100%雪崩测试，稳定可靠；符合RoHS标准，...www.kiaic.com/article/detail/6240.html 2026-03-04
-
阻容降压电路图,工作原理详解-KIA MOS管
阻容降压电路是使用电阻电容来降压的电路，应用于交流转直流的场合。电路原理是利用电容在一定频率的交流信号下产生的容抗来限制最大工作电流的电路，但是使用中会在降压电容上并联一个泄流电阻， 所以一般就称之为阻容降压电路，而不是电容降压电路。www.kiaic.com/article/detail/6239.html 2026-03-04
-
什么是反向击穿?PN结的反向击穿-KIA MOS管
半导体PN结（如二极管）在施加反向电压时，当电压增大到某一临界值（称为击穿电压），反向电流会突然急剧增大的现象。此时PN结失去单向导电性，从高阻态转为低阻态。www.kiaic.com/article/detail/6238.html 2026-03-04
-
2803场效应管现货特价,30v150a场效应管,KIA2803AB-KIA MOS管
KIA2803AB场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽工艺制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，低栅极电荷，降低导通损耗与开关损耗；具有快速切换、100%雪崩测试、允许高达Tjmax的重复雪崩、抗冲击、抗过载能力强，环保无铅，符合RoHS标准，品质...www.kiaic.com/article/detail/6237.html 2026-03-03
-
4个二极管整流,桥式整流电路图-KIA MOS管
当输入的交流电压处于正半周时，假设变压器次级绕组的上端为正，下端为负。此时，二极管 D1 和 D3 处于正向偏置而导通，D2 和 D4 处于反向偏置而截止。电流从变压器次级绕组的上端出发，经过 D1 流向负载电阻 RL，再经过 D3 回到变压器次级绕组的下端，在负载电...www.kiaic.com/article/detail/6236.html 2026-03-03
-
全波整流电路,二极管整流电路图-KIA MOS管
对于单相交流电，如果变压器采用中心抽头（接地），2个二极管背对背（即阳极对阳极或阴极对阴极）可以组成一个全波整流器。www.kiaic.com/article/detail/6235.html 2026-03-03
-
2904场效应管现货特价,40v130a,KND2904A原厂直销-KIA MOS管
KND2904A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流130A，采用先进沟槽工艺制造，?极低导通电阻RDS(开启) 2.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有低跨导、开关速度快，高效低耗；以及100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠，广泛用于PWM应用、负载开关、...www.kiaic.com/article/detail/6234.html 2026-03-02
-
dfn3x3封装尺寸,dfn3*3封装尺寸图-KIA MOS管
DFN3×3封装是一种常见的无引脚双侧扁平封装（DualFlat No-lead），广泛用于功率MOSFET等小型电子元器件，标准尺寸为3mm×3mm。www.kiaic.com/article/detail/6233.html 2026-03-02
-
0603封装,0603封装尺寸,0603封装尺寸图-KIA MOS管
0603封装是表面贴装元件（SMD）的一种规格尺寸，最常用于电子产品中的电阻、电容等元器件。0603封装尺寸约为长1.6毫米、宽0.8毫米，高度通常在0.35至0.45毫米之间（具体取决于元件类型）。www.kiaic.com/article/detail/6232.html 2026-03-02
-
3404mos管特价,40v80a场效应管,KNY3404D现货速发-KIA MOS管
KNY3404D场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 5.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，开关速度快，内阻低，耐冲击特性好，高效率低损耗；还具有低栅极电荷、低反向传输电容、改进的dv/dt能力、100%雪崩测试，稳定...www.kiaic.com/article/detail/6231.html 2026-02-28
-
单相逆变器工作原理,逆变器电路图-KIA MOS管
该电路由两只功率开关管、两只储能电容器和藕合变压器等组成。该电路将两只串联电容的中点作为参考点。当功率开关管VT1在控制电路的作用下导通时，电容C1上的能量通过变压器一次侧释放，当功率开关管VT2号通时，电容C2上的能量通过变压器一次侧释放，VT1和VT2轮...www.kiaic.com/article/detail/6230.html 2026-02-28
-
锂电池保护板常见故障原因分析-KIA MOS管
锂电池保护板的常见故障包括无闪现、输出电压低下、无法带动负载、短路时缺乏保护、短路保护后无法自动恢复、内阻增大以及ID电阻异常等。www.kiaic.com/article/detail/6229.html 2026-02-28
-
4n65场效应管,650v4a mos,KIA4N65HF参数引脚图-KIA MOS管
KIA4N65HF场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流4A，采用KIA先进平面条纹DMOS技术制造，可显著降低导通电阻、提升开关性能，并在雪崩模式和换向模式下具备优异的高能脉冲耐受能力；具有低导通电阻RDS(开启) 2.5Ω，低栅极电荷16nC，高效低耗；以及高坚固性、?快...www.kiaic.com/article/detail/6228.html 2026-02-26