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结果: 找到相关主题 5255 个
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lcr数字电桥原理,工作原理图分享-KIA MOS管
LCR数字电桥的原理是通过测量待测元件两端的电压和电流向量，结合相敏检波与数字信号处理技术，运用矢量形式的欧姆定律计算阻抗参数。lcr数字电桥可以精确测量电子元件的电感（L）、电容（C)、电阻（R）和阻抗（Z）参数，并支持品质因数（Q)、损耗因数（D）等衍...www.kiaic.com/article/detail/5803.html 2025-07-28
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运放电路:反相放大器电路图分享-KIA MOS管
运算放大器有同相输入端和反相输入端，输入端的极性和输出端是同一极性的是同相放大器，输入端的极性和输出端相反极性的为反相放大器。反相放大器电路具有放大输入信号并反相输出的功能。www.kiaic.com/article/detail/5805.html 2025-07-28
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功率因数校正的目的,作用,校正方法-KIA MOS管
功率因数校正电路的作用是提高功率因数，减少谐波污染和线路损耗，提升电能利用效率。www.kiaic.com/article/detail/5806.html 2025-07-28
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clcc封装-封装方式,封装图分享-KIA MOS管
CLCC是一种带引脚的陶瓷芯片载体，属于表面贴装型封装；特点是引脚从封装的四个侧面引出，形成丁字形结构。CLCC封装采用氧化铝或氮化铝陶瓷构成基板框架，通过共晶焊或钎焊工艺形成多层互连结构。www.kiaic.com/article/detail/5808.html 2025-07-28
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步进马达驱动器原理,步进电机工作原理-KIA MOS管
步进电机是将电脉冲转化为角位移或线位移的开环控制电机，又称为脉冲电机。在非超载的情况下，电机的转速、停止的位置只取决于脉冲信号的频率和脉冲数，而不受负载变化的影响。www.kiaic.com/article/detail/5809.html 2025-07-28
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碳化硅mos管工作频率是多少,SiC碳化硅-KIA MOS管
碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）的工作频率可达1MHz甚至更高，高频特性显著优于传统器件。www.kiaic.com/article/detail/5811.html 2025-07-28
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步进电机控制器原理图,电路图分享-KIA MOS管
步进电机控制器通过发出脉冲信号来驱动步进电机，实现对电机转动角度、速度和方向的精确控制，是一种专门用于控制步进电机运行的设备。www.kiaic.com/article/detail/5812.html 2025-07-28
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60v pmos管,3606场效应管,-60v-60a,KPD3606A参数-KIA MOS管
KPD3606A P沟道场效应管漏源击穿电压-60V，漏极电流-60A，采用先进的高单元密度沟槽制造，极低导通电阻RDS（ON）11.6mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，超低栅极电荷减少开关损耗；100% EAS保证，在雪崩击穿条件下稳定工作，坚固可靠，优异的CdV/dt效应下...www.kiaic.com/article/detail/5819.html 2025-07-28
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什么是半导体分立器件,应用领域详解-KIA MOS管
半导体分立器件是由半导体材料制成的独立电子元件，具有单一或特定功能，包括晶体二极管、三极管及场效应管、晶闸管等类别，其导电性能介于导体与绝缘体之间；主要用于整流、放大、开关控制等电路操作。www.kiaic.com/article/detail/5818.html 2025-07-28
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分立器件有哪些?封装形式介绍-KIA MOS管
按照芯片功能的不同：分立器件可以分为二极管、三极管、IGBT、MOSFET、晶闸管等。按照功率、电流的不同：分立器件可分为小信号器件和功率分立器件两大类：小信号器件为耗散功率小于1W（或者额定电流小于1A）的分立器件，而耗散功率不小于1W（或者额定电流不小于...www.kiaic.com/article/detail/5817.html 2025-07-28
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逆变器应用mos,74120参数,1200v场效应管,KNK74120A参数-KIA MOS管
KNK74120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流23A，采用先进平面工艺制造，极低导通电阻RDS（ON）480mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷减少开关损耗；?坚固的多晶硅栅极结构，具有高温稳定性、出色的稳定性与耐久性，广泛应用于BLDC电机驱动...www.kiaic.com/article/detail/5816.html 2025-07-25
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mos管功放电路图,mos管功放特点-KIA MOS管
MOS管在功率放大电路中具有高频响应快、导通损耗低和驱动效率高等核心优势；广泛应用于专业音响系统、舞台设备、汽车电子和射频功率放大等领域。1.高效率与大功率：输出功率可达150W/8Ω，且开启电压低，偏置简单。2.低失真：线性优于晶体管，交越失真较小，中...www.kiaic.com/article/detail/5815.html 2025-07-25
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ciss电容是什么意思,mos管的ciss-KIA MOS管
当漏源短接时测得的栅极到源极之间的总电容，它等于栅源电容Cgs加上栅漏电容Cgd。这个参数对于驱动电路的设计至关重要，因为它决定了驱动器需要提供的最大充电电流，以确保MOSFET能够快速开启或关闭。www.kiaic.com/article/detail/5814.html 2025-07-25
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LED照明电路图,原理图分享-KIA MOS管
NPN 晶体管 2N3055 用于打开第 I 组蓝色 LED，而 PNP 晶体管 2N2905 用于打开第 II 组红色 LED。当基极施加超过 0.7V 的正 V 且电流进入基极时，NPN 晶体管导通。但对于 PNP 晶体管，只有当基极连接到负极或接地并且电流离开此处时，它才会导通。www.kiaic.com/article/detail/5707.html 2025-07-25