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小功率电源MOS管驱动电路设计图文-KIA MOS管
对于小功率电源(50W以内)MOS管的驱动电路设计相对简单，只需要一个驱动电阻Rg即可对MOS管进行驱动。此时的驱动开通电阻和关断电阻阻值一致。www.kiaic.com/article/detail/4020.html 2023-01-13
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MOS管驱动电路功率损耗如何计算？详解-KIA MOS管
所有的MOS管导通后都存在导通内阻，当电流流过之后就会产生功率损耗，一般用RDS(ON)来表示，传导损耗一般来说和MOS的大小成反比，体积越大，其导通电阻一般能做的更小。www.kiaic.com/article/detail/4019.html 2023-01-13
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SiC MOSFET桥臂串扰问题 误开通-KIA MOS管
如图1所示为SiC MOSFET的半桥应用电路，上管QH开通过程会在桥臂中点产生高速变化的dv/dt，下管Vds电压变化通过米勒电容CGD产生位移电流，从而在门极驱动电阻和寄生电感上产生正的电压干扰，当电压干扰使得门极电压超过器件的阈值电压就可能导致原本关断的下管误...www.kiaic.com/article/detail/4018.html 2023-01-12
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驱动电路中的误开通如何避免？详解-KIA MOS管
通过调节RON/ROFF 的大小可以来调整 MOSFET 的开通/关断速度：增大RON/ROFF来减慢MOSFET开通/关断的速度，减小 dv/dt (di/dt) 从而减小门极电压尖峰。www.kiaic.com/article/detail/4017.html 2023-01-12
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图文了解驱动电路中的误开通-KIA MOS管
图1显示了米勒效应带来的误开通。当 MOSFET 关断而对管导通时， Vds 电压快速的上升产生高的 dv/dt，从而在电容 Cgd 中产生位移电流( igd)。www.kiaic.com/article/detail/4016.html 2023-01-12
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开关损耗测量中需要注意的问题解析-KIA MOS管
当电压通道和电流通道之间存在时间偏移时，测量结果明显偏高或偏低，而器件的开关速度越快，偏移的影响就越明显。图1为MOS管的关断损耗测量原理图，由此可见，只有经过校正以后，才能得到正确的测量结果。www.kiaic.com/article/detail/4015.html 2023-01-11
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开关损耗测试在电源调试中的重要作用-KIA MOS管
一般来说，开关管工作的功率损耗原理图如图1所示，主要的能量损耗体现在“导通过程”和“关闭过程”，小部分能量体现在“导通状态”，而关闭状态的损耗很小几乎为0，可以忽略不计。www.kiaic.com/article/detail/4014.html 2023-01-11
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LED电路：利用MOSFET提升效率降低噪声-KIA MOS管
下面的电路摘自实际LED照明电路的相关部分。该LED驱动电路是DC/DC转换器通过临界模式（BCM）的PFC向LED供电的。www.kiaic.com/article/detail/4013.html 2023-01-11
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通过双脉冲测试确认MOSFET损耗-KIA MOS管
双脉冲测试是广泛应用于MOSFET和IGBT等功率开关元件特性评估的一种测试方法。该测试不仅可以评估对象元件的开关特性，还可以评估体二极管和IGBT一同使用的快速恢复二极管（FRD）等的反向恢复特性。因此，对导通时发生反向恢复特性引起损耗的电路的评估非常有效...www.kiaic.com/article/detail/4012.html 2023-01-10
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PMOS设计反向电压保护电路、原理-KIA MOS管
下图说明了如何使用 P 沟道MOSFET作为反向电压保护的电路连接。需要注意的是MOSFET必须安装在电源端。其中漏极D必须连接到电池的正极，栅极必须连接到系统接地端。www.kiaic.com/article/detail/4011.html 2023-01-10
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MOS管热阻、输入输出电容、开关时间分析-KIA MOS管
热阻，英文Thermal resistance，指的是当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值，单位是℃/W或者是K/W。www.kiaic.com/article/detail/4010.html 2023-01-10
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计算元器件的结温及热阻值的分析-KIA MOS管
TA是指元器件所处的环境温度，这个值在半导体制造商处的定义如图1所示。然而，在实际的产品中是不可能有这样的环境来满足TA测试条件的。www.kiaic.com/article/detail/4009.html 2023-01-09
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关于MOSFET和散热器的图文分析-KIA MOS管
功率MOSFET、功率BJT和功率二极管等功率器件，散热器对于提供散热非常重要。从名称本身来看，它将吸收功率器件的热量并帮助控制器件内部安全区的温度。www.kiaic.com/article/detail/4008.html 2023-01-09
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如何确定MOSFET所需最小散热器尺寸？-KIA MOS管
假定设计电路中的功率MOSFET的总计算功耗为10W。该器件的最高结温为150℃。考虑到结到外壳还存在温差，那么MOSFET的实际外壳温度必须保持在等于或低于100°C才能可靠运行。www.kiaic.com/article/detail/4007.html 2023-01-09