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直流电路防反接保护方案图文-KIA MOS管
图中Q1为NMOS管，当电源正接时，MOS管的体二极管导通，源极S的电压为0.7V左右，栅极G的电压VBAT，则Vgs =(VBAT-0.6)*R5/(R5+R3)，当选取合适的R3和R5值，使Vgs达到MOS管的开启电压，则MOS管DS极导通，体二极管被短路，系统通过MOS管形成回路。www.kiaic.com/article/detail/3996.html 2023-01-03
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NMOS管防反保护电路设计-KIA MOS管
设计具有 NMOS 和驱动IC 的防反保护电路时，NMOS 需放置在高边，驱动IC也从高边取电，这里将产生一个大于输入电压 (VIN) 的内部电压，给 NMOS 提供 (VGS)驱动供电。www.kiaic.com/article/detail/3995.html 2023-01-03
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PMOS管的防反电路设计分析-KIA MOS管
当输入端接正向电压时，电流流过 PMOS 的体二极管到负载端，当正向电压高于 PMOS 门限阈值电压，则会导通沟道，PMOS 的 Vds 压降降低，从而实现低损耗。www.kiaic.com/article/detail/3994.html 2023-01-03
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反向电压极性保护的PMOS电路设计-KIA MOS管
PMOS 用作电源开关，将负载与电源连接或断开。在正确连接电源期间，MOSFET 由于正确的 VGS(栅极到源极电压)而导通。但在反极性情况下，栅极到源极电压太低而无法导通 MOSFET 并将负载与输入电源断开。www.kiaic.com/article/detail/3993.html 2022-12-23
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【电路设计】LDO反向电压保护电路-KIA MOS管
到当输入电源断开的瞬间，如果LDO的输入电压的下降速度远高于LDO的输出电压下降速度的时候，比如LDO输出端有容性大负载时，很可能会出现输出的电压高于输入电压，这样有可能造成损坏LDO。www.kiaic.com/article/detail/3992.html 2022-12-23
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基于N沟道MOS管反向电压保护电路-KIA MOS管
下面是一个基于N沟道MOSFET的反向保护电路，和PMOS不同的是，NMOS需要接在电源的负极端。其中漏极D必须接到电源的负极。源极S必须连接到设备的地，栅极则必须连接到电源的正极。www.kiaic.com/article/detail/3991.html 2022-12-23
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【图文】MOSFET、MODFET、MESFET区别-KIA MOS管
MOSFET、MODFET、MESFET最大的区别在于栅极的控制；MOSFET是MOS金属-氧化物-半导体（电容）做栅极；www.kiaic.com/article/detail/3990.html 2022-12-22
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FET、MOSFET、MESFET、MODFET分享-KIA MOS管
FET，有源极（Source）就是电子从源流入FET;栅极（Gate），是个门，阀门，打开FET，电子就流动，关上阀门，电子就不流动。漏极（Drain），电子流出FET；电子是负电荷，所以，是从GND流到Vcc的。www.kiaic.com/article/detail/3989.html 2022-12-22
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单片机IO引脚直接驱动直流电机-KIA MOS管
IO进行控制：高电平转动，低电平停止。IO口高电平时：三极管集电级和发射级导通，电机能量来源于VCC输入，足以满足电机工作。www.kiaic.com/article/detail/3988.html 2022-12-22
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电动汽车充电桩电路图分享-KIA MOS管
直流充电桩一般由通信模块、开关电源模块及控制模块等构成。其中，MOSFET是开关电源模块中最核心的部分，是实现电能高效率转换，确保充电桩稳定不过热的关键器件。www.kiaic.com/article/detail/3987.html 2022-12-21
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开关电路：三极管限流电阻如何选择？-KIA MOS管
上图是一个利用三极管D882搭建的电磁阀开关电路，P25是一个24V驱动的电磁阀 ，此电磁阀驱动功率为9W，由此可知当三极管做开关电路时，集电极所需电流Ic=9/24=0.375A，www.kiaic.com/article/detail/3986.html 2022-12-21
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【电路分享】门控开关电路图-KIA MOS管
门控开关电路中可分为三个部分：一是有电容降压，再进行半波整流滤波的电源部分，输出的直流电压给CD4013和其他器件供电；www.kiaic.com/article/detail/3985.html 2022-12-21
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驱动IC控制的MOS管开关电路实例分析-KI MOS管
专门的驱动IC为了实现快速开关MOS，一般内部会集成自举电路，从而可以提供高于电源电压的驱动电压来快速开关MOS,以DGD0506为例，虽然该IC的供电电源电压是15V，但是它却能提供高达50V的驱动电压输出。www.kiaic.com/article/detail/3984.html 2022-12-20
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三极管继电器驱动电路器件参数值计算-KIA MOS管
一般采用三极管作为继电器驱动电路，而NPN三极管是充当低侧开关，这意味着NPN导通时，三极管本身将成为继电器线圈的接地路径，下面是一个继电器驱动电路，我们可以把继电器线圈等效成线圈电感Lcoil和线圈电阻Rcoil的串联电路。www.kiaic.com/article/detail/3982.html 2022-12-20