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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5072 个

  • 如何提高单片机IO口驱动能力?详解-KIA MOS管

    单片机的IO口可以输出三种状态:高电平、低电平、高阻。一般不同封装和颜色的驱动电压和电流都有些许差异,具体要参照使用LED的规格书。

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    www.kiaic.com/article/detail/3981.html         2022-12-20

  • 单片机IO口驱动为什么选用三极管?-KIA MOS管

    单片机的IO口,有一定的带负载能力。但电流很小,驱动能力有限,一般在10-20mA以内。所以一般不采用单片机直接驱动负载这种方式。

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    www.kiaic.com/article/detail/3980.html         2022-12-19

  • 【图文分析】关于线性MOSFET-KIA MOS管

    线性MOSFET是线性模式应用的最合适选择,能够确保可靠运作。然而,用于线性模式应用时,标准MOSFET容易产生电热不稳定性(electro-thermal instability, ETI),可能导致器件损坏。

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    www.kiaic.com/article/detail/3979.html         2022-12-19

  • MOSFET带负载功率能力图文分享-KIA MOS管

    热阻其实可以理解成MOS的散热能力参数,热阻越大,散热越差,对于器件而言,如果没加散热器,一般只考虑结到空气的热阻,如果加了散热器,则需考虑结到外壳,以及外壳到空气的热阻。

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    www.kiaic.com/article/detail/3978.html         2022-12-19

  • MOSFET电动汽车充电桩应用【电路设计】-KIA MOS管

    由于主电路与微控制器STM32功率相差过大,MOS管和控制器之间必须隔离,因此每个MOS管都采用独立的驱动电路。

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    www.kiaic.com/article/detail/3977.html         2022-12-16

  • 汽车电子核心元件-MOSFET技术-KIA MOS管

    沟道型MOSFET已成为当前大部分车载应用的标准应用。传统的平面型MOSFET建立在硅晶圆表面之上,而沟道型MOSFET是在硅片上蚀刻垂直沟道,从而让功率开关得以拥有更高的单元密度和更低的导通阻抗。

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    www.kiaic.com/article/detail/3976.html         2022-12-16

  • MOSFET在新能源电动车中的应用-KIA MOS管

    MOSFET具备控制功率小、开关速度快的特点,广泛应用于低中高压的电路中,是功率半导体的基础器件。MOSFET是汽车电子中的核心元件,汽车引擎、驱动系统中的变速箱控制器以及制动、转向控制,都离不开MOSFET。

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    www.kiaic.com/article/detail/3975.html         2022-12-16

  • 【收藏】MOSFET散热器热阻计算图文-KIA MOS管

    下图对于散热器热阻计算非常重要。最上方是散热器,中间是导热物质,比如导热硅脂,导热物质是为了让热量更高效的从功率MOSFET传导到散热器,从而最大效率的给功率MOS散热,降低其温度,最下方是MOSFET,各个温度点从下到上是逐渐下降的。

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    www.kiaic.com/article/detail/3974.html         2022-12-15

  • 图文分析-MOS管驱动感性负载-KIA MOS管

    通常情况下,一般把负载带电感参数的负载,即符合和电源相比负载电流滞后负载电压一个相位差的特性的负载为感性(如负载为电动机;变压器;)。

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    www.kiaic.com/article/detail/3973.html         2022-12-15

  • 【电路设计】三极管控制继电器电路图-KIA MOS管

    上图中,分别是NPN和PNP三极管驱动继电器的电路原理图,这两个电路中都把继电器接在了集电极上。因为三极管驱动继电器时需要工作在截止和饱和状态,如果把继电器接在发射极可能会导致三极管不能完全饱和继电器线圈压降太多导致电压不足以驱动继电器线圈。

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    www.kiaic.com/article/detail/3972.html         2022-12-15

  • 过压保护+防反接+缓启动电源保护电路-KIA MOS管

    正常输入无过压:稳压二极管D3截止,使得VCC_BAT通过R4/R6到达Q2PNP管的基极,而Q2的射极也是VCC_BAT,因此Q2的Vbe=0,Q2截止。

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    www.kiaic.com/article/detail/3971.html         2022-12-14

  • MOSFET搭建电源缓启动电路分析-KIA MOS管

    MOS管有导通阻抗Rds低和驱动简单的特点,利用其米勒效应,在电路设计中可以设计电源缓启动电路(通常情况下,在正电源中用PMOS,在负电源中使用NMOS),可以实现防抖动延时上电、控制输入电流的上升斜率和幅值等功能,提高电源稳定性。

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    www.kiaic.com/article/detail/3970.html         2022-12-14

  • 【硬件电路】RC吸收电路设计图文-KIA MOS管

    传统RC吸收电路一直是为防止双极型功率晶体管二次击穿所采用的方法。在控制快恢复整流管的dv/dt以减少EMI辐射方面也很有用。

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    www.kiaic.com/article/detail/3969.html         2022-12-14

  • 设计分享:自激式多路输出稳压开关电源-KIA MOS管

    图中X1_C1 、X1_C2 、Y_C1 、Y_C1及L 组成EMI 电路,用来滤除电网中的共模差模信号,同时避免开关电源对电网造成污染。L 为共模扼流圈,共模扼流圈是开关电源、变频器、UPS 电源等设备中的一个重要部分。

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    www.kiaic.com/article/detail/3968.html         2022-12-13

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