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MOS管封装和参数的关系，如何选择合适封装-KIA MOS管
在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。www.kiaic.com/article/detail/4370.html 2023-07-20
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超结MOS选型 超结场效应管600V型号齐全 原厂供应-KIA MOS管
KIA设计生产的超结场效应管用先进的耐压原理和优化的设计结构，全新600~900V系列产品为系统应用提供充足的耐压余量，简化系统设计难度，提高系统可靠性，满足客户对高耐压、低导通内阻和高效超结MOSFET的需求。www.kiaic.com/article/detail/4369.html 2023-07-19
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运算放大器：运放参数-建立时间分析-KIA MOS管
放大器的建立时间是当运输入为阶跃信号时，运放的输出响应进入并保持在规定误差带所需的时间。www.kiaic.com/article/detail/4368.html 2023-07-19
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【电子电路】防反接保护电路分类-KIA MOS管
大致可以根据防反接保护器件分为电阻，二极管，电阻||二极管，NMOS 和 PMOS 几种类型，而根据防反接保护电路的位置，又可以分为 VCC 端和 GND 端。www.kiaic.com/article/detail/4367.html 2023-07-19
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650V超结MOS场效应管KCX6265A TO-220F供应商-KIA MOS管
超结MOS管KCX6265A是使用KIA半导体先进的超级结技术生产的。这种先进的技术经过特别定制，可以最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合于开关模式操作中的AC/DC功率转换，以获得更高的效率。www.kiaic.com/article/detail/4366.html 2023-07-18
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驱动IC加NMOS做防反电路设计图文分享-KIA MOS管
PMOS的高边防反接使用自驱效应，但其存在待机电流偏大和电流反灌隐患，并且PMOS价格偏高，几乎没有使用驱动IC+PMOS高边防反这种设计，所以为了均衡价格因素和Rdson，消除待机电流偏大和电流反灌隐患（若单纯使用高边NMOS，也会有待机电流和电流反灌问题），使用...www.kiaic.com/article/detail/4365.html 2023-07-18
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高压超结MOS Super Junction结构及原理-KIA MOS管
高压的功率 MOSFET 通常采用平面型结构，其中，厚的低掺杂的 N-的外延层，即 epi 层，用来保证具有足够的击穿电压，低掺杂的 N-的 epi 层的尺寸越厚，耐压的额定值越大，但是其导通电阻也急剧的增大。www.kiaic.com/article/detail/4363.html 2023-07-18
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超结场效应管KIA65R420超结MOS 650V优质原厂直销-KIA MOS管
这种功率MOSFET是使用KIA半导体先进的超级结技术生产的。这种先进的技术经过特别定制，可以最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合于开关模式操作中的AC/DC功率转换，以获得更高的效率。www.kiaic.com/article/detail/4362.html 2023-07-17
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Boost电路特性及直流传递函数的推导-KIA MOS管
boost电路中，二极管和电感的平均电流的区别在于，当 mosfet 开启时，二极管中的电流为 0，电感电流线性增大；当 mosfet 关断时，二极管与电感串联，二者电流相等。www.kiaic.com/article/detail/4361.html 2023-07-17
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输入偏置电流和输入失调电流对电路的影响-KIA MOS管
输入偏置电流会流过外面的电阻网络，从而转化成运放的失调电压，再经运放话后就到了运入的输出端，造成了运放的输入误差。www.kiaic.com/article/detail/4360.html 2023-07-17
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600V超结KIA60R380场效应管 数据手册TO-252原厂现货-KIA MOS管
KIA60R380功率MOSFET采用KIA先进的超级结技术生产。该先进技术经过特别定制，可最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合于开关模式操作中的AC/DC功率转换，以获得更高的效率。www.kiaic.com/article/detail/4359.html 2023-07-14
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运放：输入偏置电流和输入失调电流定义-KIA MOS管
运放的输入偏置电流 Ib 和输入失调电流 Ios，众说周知，理想运放是没有输入偏置电流 Ib 和输入失调电流 Ios 的。但每一颗实际运放都会有输入偏置电流 Ib 和输入失调电流 Ios，我们可以用图 1 中的模型来说明它们的定义。www.kiaic.com/article/detail/4358.html 2023-07-14
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运放参数分析：输入阻抗和输入电容详解-KIA MOS管
运放的输入共模电容 Ccm 和差模电容 Cdiff 会形成运放的输入电容 Cin。在许多应用中，运算放大器的输入电容都不会造成问题。但在某些应用中会引起放大电路的不稳定。www.kiaic.com/article/detail/4357.html 2023-07-14
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650V超结MOSFET KIA65R700超结场效应管供应-KIA MOS管
KIA65R700超结场效应管650V7A，减少传导损耗，提供卓越的开关性能优异，可在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合于交流/直流功率转换的开关模式操作，以获得更高的效率。www.kiaic.com/article/detail/4356.html 2023-07-13