-
MOSFET放大器简单电路图如下图所示,在该电路中,漏极电压 (VD)、漏极电流 (ID)、栅源电压 (VGS) 以及栅极、源极和漏极的位置通过字母“G”、“S”和“ D”。
www.kiaic.com/article/detail/3954.html 2022-12-07
-
共源放大器可以定义为当 i/p信号在栅极 (G) 和源 (S) 的两端给出时,o/p电压可以通过漏极内负载处的电阻器放大和获得。在此配置中,源端子充当i/p和o/p之间的公共端子。
www.kiaic.com/article/detail/3952.html 2022-12-06
-
因为放大器有输入和输出两个端口,会占用MOSFET其中两个极,剩下那个极接地或电源,作为参考电极。
www.kiaic.com/article/detail/3951.html 2022-12-06
-
共栅级的栅极电压为 V b ,是固定电位。在源级输入电压发生变化时,直接改变了共栅管的过驱动电压,产生了对应的漏电流,可以看到共栅级的放大能力是源于共栅管的跨导。
www.kiaic.com/article/detail/3950.html 2022-12-06
-
两个开关都拨到上面的时候称为CASE1,都拨到下面的时候称为CASE2。这也就是我们平时所说的同相放大电路和反向放大电路。
www.kiaic.com/article/detail/3949.html 2022-12-05
-
以Idvd曲线为例,对于MOS管来说,大信号所体现的特性是直流的静态工作点。那么其直流阻抗就是V/I=b/a。
www.kiaic.com/article/detail/3948.html 2022-12-05
-
这一步主要是确定板子和管子的基本状态是否正常,首先利用万用表测量一下功放栅极对地、漏极对地的电阻是否正常,确定管子是否损坏;再检查一下电路板的状态,有无虚焊,短路,装配功放管时接地是否做到最好等等。
www.kiaic.com/article/detail/3947.html 2022-12-05
-
KIA半导体近期推出了几款采用 TOLL 封装的 NMOS 产品。相比 TO-263-6L,TOLL占板面积缩小30%,高度减小50%,节省了宝贵的 PCB 应用空间,而且热阻更小从而散热效率更高,封装寄生电感更小,有助于降低生产成本和散热解决方案成本、提高功率密度。
www.kiaic.com/article/detail/3946.html 2022-12-02
-
截止区:iDS为0,Vo恒为Vs。饱和区:对应电流源模型,Vo随Vin快速变化。线性区:对应电阻模型,Vo随Vin缓慢变化。
www.kiaic.com/article/detail/3945.html 2022-12-02
-
图 1 显示了处于开关瞬态阶段的 SiC MOSFET 建模过程,该过程基于电感钳位电路,该电路具有很少的关键寄生参数 Cgs、Cds 和 Cgd。由于寄生参数对 SiC MOSFET 的特性有很大影响,因此在建模时应给予重要考虑。
www.kiaic.com/article/detail/3944.html 2022-12-02
-
方案1可以设置R1,C1,R2,C2的数值以完成不同的延时,从而可以改变上电顺序,但是有缺点,因为在供电回路中串联了电阻,如果是给功放等大功率的器件供电,会产生很大的损耗。
www.kiaic.com/article/detail/3943.html 2022-12-01
-
稳压二极管有一个特性,比如上面的稳压二极管的稳压就是5.6V,也就是说,当其左端的电压没有达到5.6V的时候,其是不导通的,当电压达到5.6V,这个稳压管才会导通,才会有电流。
www.kiaic.com/article/detail/3942.html 2022-12-01
-
延时电路一般用在对于上电时序有要求的电路以及负载开始(上电时)较大的电路而言。
www.kiaic.com/article/detail/3941.html 2022-12-01
-
当开启电压达到MOS管开启电压后MOS管才能打开,DS之间才能导通D1二极管才能点亮,电路中有一颗关键的元器件C1电容,当按下SW1时电压开始给C1充电,只有当电容充到2V以上的时候Q1才会导通,导通之后按下SW2就会熄灭。
www.kiaic.com/article/detail/3940.html 2022-11-30