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快恢复二极管 HID专用 6A600V 快恢复二极管参数资料-KIA MOS管
KIA06TB60 N沟道 MOSFET 6A /600V TO-252封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管（MOSFET）、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发中心，...
www.kiaic.com/article/detail/767.html 2018-03-30
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高端驱动芯片MOS管
现有的很多小信号放大电路都是由晶体管或MOS管的放大电路构成，其功率有限，不能把电路的功率做得很大。随着现代逆变技术的逐步成熟，尤其是SPWM逆变技术，使信号波形能够很好地在输出端重现，并且可以做到高电压，大电流，大功率。SPWM技术的实现方法有两种，...www.kiaic.com/article/detail/146.html 2018-03-29
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mos管工作原理,详解mos管工作原理文章
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。分别为电流控制器件和电压控制器件。FET的增益等...www.kiaic.com/article/detail/148.html 2018-03-29
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mos管的封装标签形式
MOSFET的封装形式技术也直接影响到芯片的性能和品质，对同样的芯片以不同形式的封装，也能提高芯片的性能。所以芯片的封装技术是非常重要的。以安装在PCB的方式区分，功率MOSFET的封装形式有插入式（Through Hole）和表面贴装式（Surface Mount）二大类。插入式...www.kiaic.com/article/detail/150.html 2018-03-29
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MOS管引脚定义-如何快速判断与好坏及引脚性能-KIA MOS管
?MOS管是金属（metal）-氧化物（oxid）-半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体（insulator）-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响...www.kiaic.com/article/detail/152.html 2018-03-29
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MOS管应用及电路分析
MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。www.kiaic.com/article/detail/153.html 2018-03-29
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MOS管开关中的电源
MOS又分为兩种，一种为耗尽型（DepletionMOS），另一种为增强型（EnhancementMOS）。这兩种型态的构造没有太大的差異，仅仅耗尽型MOS一开始在Drain-Source的通道上就有载子，所以即便在VGS为零的情况下，耗尽型MOS仍可以导通的。而增强型MOS则有必要在其VGS大於...www.kiaic.com/article/detail/154.html 2018-03-29
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MOS管增强型N沟道电路
?N沟MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)构造的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管一同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。www.kiaic.com/article/detail/155.html 2018-03-29
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MOS管大功率可调稳压电源
MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描写了集成电路中MOS管的构造，即：在一定构造的半导体器材上，加上二氧化硅和金属，构成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是...www.kiaic.com/article/detail/157.html 2018-03-29
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MOS管如何分析电路工作原理
P沟道MOS管工作原理金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为衔接源极...www.kiaic.com/article/detail/158.html 2018-03-29
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MOS管参数大全
Mosfet参数意义阐明 Features: Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻 Id： 最大DS电流.会随温度的增加而下降 Vgs: 最大GS电压.通常为：-20V~+20Vwww.kiaic.com/article/detail/159.html 2018-03-29
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mos管参数大全,mos管功率各种参数大全
向传输电容 Crss = CGD . Coss:输出电容 Coss = CDS +CGD . Ciss:输入电容 Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路).Tf :下降时刻.输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时刻.Td(off) :关断延迟时刻.输入电压下降到 90% 开端到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时刻. Tr ...www.kiaic.com/article/detail/160.html 2018-03-29
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如何估算MOS管电压驱动
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到） Tr：上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻td(on)：MOS导通延迟时刻，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时刻。Ton=t3-t0≈td(on)+trwww.kiaic.com/article/detail/161.html 2018-03-29
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MOS管跨导测试
用测电阻法区分结型场效应管的电极对VMOSV沟道增强型场效应管丈量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就持平于在源、漏极之间加了一个反向电压。此刻栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此刻...www.kiaic.com/article/detail/162.html 2018-03-29