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什么是N沟道MOS管场效应管
N沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS管的结构基本相同。差别在于耗尽型MOS管的Si02绝缘层中掺有大量的正离子Na+或K+（制造P沟道耗尽型MOS管时掺人负离子），故在UCs=0时，这些正离子产生的电场作用下，漏极一源极间的P型衬底表面也能感应天生N沟道（称为初始沟道...www.kiaic.com/article/detail/163.html 2018-03-29
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MOS管在电路中有什么作用
MOS又分为兩种，一种为耗尽型（DepletionMOS），另一种为增强型（EnhancementMOS）。因为场效应管拓展器的输入阻抗很高，因而耦合电容能够容量较小，不必运用电解电容器。能够利便地用作恒流源也能够用作电子开关。它作用特征:开关速度快、高频任机能好，输入阻...www.kiaic.com/article/detail/164.html 2018-03-29
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MOS管基本知识,详细详解mos管基本知识的作用
MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，英文MOSFET，属于绝缘栅型。本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。沟道下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型极连在一起，因此mos管导通后是电阻特性，因此它的一...www.kiaic.com/article/detail/170.html 2018-03-29
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NOS工作基本知识
结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、...www.kiaic.com/article/detail/171.html 2018-03-29
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关于LED开关损耗与功率MOS 管
开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发烧可以从以下几个方面解决：A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管，由于内阻越小，cgs和cgd电容越大。如1N60的cgs为250pF左右，2N60的cgs为350pF左右，5N60的cgs为12...www.kiaic.com/article/detail/181.html 2018-03-29
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常用电感-解析电感的基础知识介绍-KIA MOS管
(1)通过调节线圈巾磁芯或铜芯的相对位置改变线电感量；(2)通过滑动在线圈触点~f位置来改变线圈匝数，从而改变电感量；(3)将两个串联线圈的相位置进行均匀改变以实现互感量的改变，从使线圈的总电}值随着变化。www.kiaic.com/article/detail/183.html 2018-03-29
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体二极管的 N 型 MOSFET
MOSFET管的内部构造中，漏源极之间存在一个固有的寄生二极管，如图9.18所示。体二极管的极性能够阻止反向电压经过MOS阻T管，其正向电流接受才能和反向额定电压与MOS目T管的标称值分歧。它的反向恢复时间比普通的交流电源整流二极管短，比快’恢复型二极管的长。...www.kiaic.com/article/detail/189.html 2018-03-29
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SCR谐振桥式拓扑
谐振型半桥电路 和全桥电路是最有用的 SCR 电路。半桥电路仅用 两个额定有效值为 SOOY 、45A 的 SCR ( Marconi ACR25U08LG ），就能够从经过整流的220V交流电网上获取高达4kW的交流或直流输出功率。若器件额定电压为1200V，则用全桥电路能够输出8kW的功率。全桥...www.kiaic.com/article/detail/192.html 2018-03-29
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MOS场效晶体管-功率场效晶体管结构与工作原理-KIA MOS管
功率场效应晶体管（P-MOSFET）简称功率MOSFET，是使用大都载流子导电的半导体器材，且导通时只要一种极性的载流子参加导电，是单极型晶体管。与使用少数载流子导电的双极型功率晶体管比较，功率 MOSFET 只靠单一载流子导电 ，不存在存储效应 ，因而其关断进程十...www.kiaic.com/article/detail/206.html 2018-03-29
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晶体管的驱动 MOSFET 管
如上所述 ，栅极驱动电路必须能输出电流 ，即成为 “ 源”。同时，为了提供栅极反向电 压，驱动电路必须能从栅极抽取电流 ，即成为 “ 汇”。大部分早期的 PWM 芯片 （ SG1524 系列） 的驱动电路，不能同时抽取和输出电流。即不 能同时成为漏极导通和关断的 “...www.kiaic.com/article/detail/211.html 2018-03-29
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MOSFET栅极电压
MOSFET没有存储时间 ，只存一个关断延迟时间 。关断延迟时间是栅极电压从最高电压（约为OV ） 下降到电压 Vd1 图 9.3 b所需的时间 。在这个时间段内漏极电流保持不变 ，当栅极电压下降到 Vd1 时，MOS管开始关断 。所以漏极电流F降时间是栅极电压从 Vd1下降到阔...www.kiaic.com/article/detail/218.html 2018-03-29
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CMOS,CMOS集成电路闩锁效应措施详解！
在CMOS应用中能同时将p沟道与n沟道MOSFET制作在同一片芯片上．需要额外的掺杂及扩散步骤，以便在衬底中形成“阱”或“盆(tub)”．阱中的掺杂种类与周围衬底不同．阱的典型种类有p阱、n阱以及双阱．阱技术的详细内容将于第14章中讨论．图6. 31为使用p阱技术制作...www.kiaic.com/article/detail/221.html 2018-03-29
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MOSFET基本结构
由于在栅极与半导体之间有绝缘二氧化硅的关系，MOS器件的输入阻抗非常高，此一特色使MOSFET在功率器件的应用相当引人注目，因为高输入阻抗的关系，栅极漏电流非常低，因此功率MOSFET不必像使用双极型功率器件一样，需要复杂的输入驱动电路．此外，功率MOSFET的...www.kiaic.com/article/detail/222.html 2018-03-29
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MOS管半导体器件
MOS二极管在半导体器件在物理中占有极其重要的地位，因为它是研究半导体表面特性最有用的器件之一．在实际应用中．它是先进集成电路中最重要的MOSFFT器件的枢纽．在集成电路中．MOS二极管亦可作为一储存电容器，并且是电荷耦合器件的基本组成部分，此节中我们首...www.kiaic.com/article/detail/223.html 2018-03-29