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结果: 找到相关主题 5072 个

  • cool mos是什么,它的作用以及采取散热措施的方法,详解

    近来,LLC拓扑以其高效,高功率密度遭到广阔电源规划工程师的喜爱,可是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机,动态负载,过载,短路等情况下。CoolMOS 以其快恢复二极管,低Qg 和Coss能够完全满意这些需求并大大提高...

    www.kiaic.com/article/detail/510.html         2018-03-12

  • 解析三端稳压器-详细介绍三端稳压管应用范围-KIA MOS管

    L7805三端稳压器由恒流源、放大电路、调整管三部分组成。L7805三端稳压器当输入电压变动时,输出电压保持不变。L7805三端稳压器的1脚为输入端;2脚为公共端(接地负极端),3脚为输出端(输出VDD+5V直流电压)

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    www.kiaic.com/article/detail/695.html         2018-03-01

  • mos管器件与应用,mos管文章目录大全,与分析详解!

    MOS工艺技术的飞速发展,存集成电路制造产业中占有越来越重要的地位,而其中的MOS模拟集成电路也因此得以快速发展。MOS工艺能实现低电源电压、低功耗的系统,迎合了当前模拟电路的发展趋势。

    www.kiaic.com/article/detail/501.html         2017-11-13

  • 场效应管,耗尽型场mos效应管的工作原理-详解!!

    耗尽型场效应管根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸收到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,构成导电沟道。N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结

    www.kiaic.com/article/detail/505.html         2017-10-30

  • mos击穿,mos管击穿的原因及解决方法-分析大全

    (1)穿通击穿的击穿点软,击穿过程中,电流有逐渐增大的特征,这是因为耗尽层扩展较宽,发生电流较大。另一方面,耗尽层展广大容易发生DIBL效应,使源衬底结正偏呈现电流逐渐增大的特征。(2)穿通击穿的软击穿点发生在源漏的耗尽层相接时,此刻源端的载流子注...

    www.kiaic.com/article/detail/509.html         2017-10-27

  • MOS管的三个极,G、S、D分别代表是什么?详解

    MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:如果MOS管的G信号波形不够陡峭,在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率,MOS管发热严重,易热损坏MOS管GS间存在一定电容,如果G信号驱动能力不够,将严重影响波形跳变的时间.

    www.kiaic.com/article/detail/147.html         2017-10-26

  • mos管 mos管电压如何正确选择步骤-重点分析

    当vGS数值较小,吸收电子的才能不强时,漏——源极之间仍无导电沟道呈现,vGS增加时,吸收到P衬底外表层的电子就增加,当vGS到达某一数值 时,这些电子在栅极左近的P衬底外表便构成一个N型薄层,且与两个N+区相连通,在漏——源极间构成N型导电沟道,其导电类型...

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    www.kiaic.com/article/detail/504.html         2017-10-23

  • 高压mos管,常用高压mos管型号、电压、参数等!

    TO-92Part NumbeID(A)VDSS(V)MaxRDS(ON) @60%ID(Ω)Typical RDS(ON) @60%ID(Ω)

    www.kiaic.com/article/detail/498.html         2017-10-17

  • cmos属于什么种类存储器,它有几种优势?

    存储器为了记忆、改写大量的数据,需求运用存储器。关于将数据写入、读出存储器单元的控制电路和输入输出电路,采用耗费功率低、容易集成化、微细化的CMOS技术。存储器的制造工程和设计规格是以CMOS为根底,存储器单元和周边的部分模仿电路,采用存储

    www.kiaic.com/article/detail/442.html         2017-09-12

  • cmos逻辑基本电路作用全解方案

    基本逻辑电路CMOS IC基本逻辑电路列于表10.1。逻辑符号有两种表示法,一种是人们已经熟习的美国MIL-STD标准,另一种是最近展开起来的IEC/JIS标准(IEC60617/JIS C 0617)。IEC/JIS标准主要用在设计大范围逻辑电路的场所,以及

    www.kiaic.com/article/detail/443.html         2017-09-12

  • mos管漏极电流电压与什么有关

    漏极电流与VGS呈指数关系 至此,所考虑的MOS晶体管的工作,都是栅极—源极间电压VGS比阈值电压VT大时的状况。当VGS比VT大很多时,在栅氧化膜下方构成反型层(沟道),在漏极-源极间有电流活动,这种状态称为强反型状态。 &nbsp

    www.kiaic.com/article/detail/445.html         2017-09-12

  • 长电MOSFET价格上调20%!功率器件市场紧俏有增无减

    第三季度旺季来临,MOSFET供不应求加剧,早前供应链消息,台湾MOSFET芯片大厂富鼎先进电子公司率先酝酿第三季度调涨产品售价。没想到这么快,长电科技已经启动了MOSFET涨价…国际电子商情获得消息,长电科技于2017年9月1日发出通知对所有MOS管价格上调2

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    www.kiaic.com/article/detail/432.html         2017-09-06

  • cmos器件的输入输出的特征是什么它的答案全在这里

    CMOS器件的接口构成计算机、便携式电话、光盘唱机、汽车驾驶导向系统等各种电子设备的主要进行逻辑处理的CMOS器件(CMOS逻辑)的输入、输出必须要与其他器件相连接。电子设备是人操作的,其结果也必须是人的视觉、听觉能够感受到的。

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    www.kiaic.com/article/detail/429.html         2017-09-05

  • MOSFET供需紧张 原厂酝酿新一轮涨价

    MOSFET供需紧张 原厂酝酿新一轮涨价进入智能手机传统旺季,快充话题持续发酵,大陆四大天王OPPO、Vivo、华为、小米将陆续导入更多快充功能,另一方面,AMD、英特尔、NVIDIA新款服务器平台、显示卡等产品陆续进入市场。MOSFET做小功率电路保护出现部分

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    www.kiaic.com/article/detail/422.html         2017-08-31

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