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1n4148ws,1n4148ws正负极,1N4148WS规格书参数资料-KIA MOS管
在1N4148二极管的表面会有标识，通常是一个黑色条纹和一个金色的圆形，黑色条纹表示负极，金色圆形表示正极。将万用表调到二极管测试档位，使用黑色探针接触1N4148的阳极，红色探针接触1N4148的阴极，如果显示正向电压，则表明该端口为阳极；如果显示负向电压或...www.kiaic.com/article/detail/4721.html 2024-01-12
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hy3210场效应管参数,KNX2810A替代hy3210,控制器常用-KIA MOS管
KNX2810A是一款漏源击穿电压100V，漏极电流150A的场效应管，RDS(ON)=5.0mΩ(typ.)@VGS=10V ，能够替代hy3210进行使用，高效优质，在锂电池保护板、电动车控制器领域热销，能够最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗，确保锂电池保护板的性能稳定可靠。www.kiaic.com/article/detail/4720.html 2024-01-11
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MOSFET散热,MOSFET顶部散热封装-KIA MOS管
由于器件的引线框架（包括裸露漏极焊盘）直接焊接到覆铜区，这导致热量主要通过PCB进行传播。而器件的其余部分均封闭在塑封料中，仅能通过空气对流来散热。因此，热传递效率在很大程度上取决于电路板的特性：覆铜的面积大小、层数、厚度和布局。www.kiaic.com/article/detail/4719.html 2024-01-11
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mos管vgs怎么测,MOS管VGS电压测量分享-KIA MOS管
取下MOS管后，将MOS的3个电极首先放电。用镊子或导线短接MOS管3个电极GDS，使其完全放电处于截止状态。（出厂状态）将万用表调至二极管档，将红表笔接在MOS的S极，黑表笔接在D极，这时寄生二极管是导通状态，万用表会显示电压值，一般是0.4V~0.9V之间。www.kiaic.com/article/detail/4718.html 2024-01-11
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锂电池保护板MOS管,KNX3303B参数引脚图,30V 90A-KIA MOS管
KNX3303B是一款漏极电流90A，漏源击穿电压30V的场效应管，RDS(ON)=2.6mΩ(typ.)@VGS=10V ，极低导通电阻RDS（On）能够减少导通损耗，还具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力。封装形式：DFN5*6。www.kiaic.com/article/detail/4717.html 2024-01-10
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mos管测试仪自制,mos管测试仪电路图-KIA MOS管
本电路由USB口直接供电。电路设置了两个触摸片，用于检测MOS管的好坏。将两个触摸片的一端并联。与MOS管栅极连接。两个触片的另外一端分别接在电源正极和电源负极。当手指触控CK1时，由人体的手指作为导体使MOS管的栅极电位升高，此时MOS管导通，LED发光。www.kiaic.com/article/detail/4716.html 2024-01-10
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mos管怎么测试好坏？快速判断-KIA MOS管
首先看管子有无裂纹，其次看绝缘层是否完整，优质的MOS管应该具有光滑平整的表面，无裂纹、崩坑、划痕等缺陷；同时，应该注意检查MOS管的引脚是否松动或脱落，引线的焊接点有无脱焊虚焊等缺陷，以及外壳是否完好无损。www.kiaic.com/article/detail/4715.html 2024-01-10
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063n08n参数,KNX3208A场效应管参数引脚图,保护板热销-KIA MOS管
KNX3208A场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=10V，采用专有新沟槽技术，具有低门电荷减小开关损耗、快恢复体二极管等特性，能够替代145N08、055N08、063N08型号进行使用，封装形式：TO-252、TO-263、TO-220、TO-3P，多种封装形式...www.kiaic.com/article/detail/4714.html 2024-01-09
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场效应管开关电路,电路设计图文分享-KIA MOS管
第一种NMOS管为高电平导通，低电平截断，Drain端接后面电路的接地端；第二种为PMOS管典型开关电路，为高电平断开，低电平导通，Drain端接后面电路的VCC端。www.kiaic.com/article/detail/4713.html 2024-01-09
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lm567引脚图及功能,lm567应用电路-KIA MOS管
LM567是一种解码集成电路，其内部结构如下图1所示。LM567内部包含了两个鉴相器、放大器、电压控制振荡器VCO等单元。www.kiaic.com/article/detail/4712.html 2024-01-09
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irf3205,80nf70场效应管,KNX3206A参数,引脚图,代换-KIA MOS管
KNX3206A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流110A，RDS（ON）=6.5mΩ（典型值）@VGS=10V，低RDS（ON）以最大限度地减少导电损耗，能够替代irf3205以及80nf70型号进行使用，用于快速开关应用的低栅极电荷，优化的BVDSS能力。封装形式：TO-252、TO-263、TO-220、T...www.kiaic.com/article/detail/4711.html 2024-01-08
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去耦电路：去耦旁路电路图分享-KIA MOS管
去耦电路指的是在多级放大电路(集成电路芯片内部大多也是由各种多级放大电路组成)的供电电源端对地所加的旁路电容。其容量大可到几十、上百微法 ,小也要0.1,0. 01微法。www.kiaic.com/article/detail/4710.html 2024-01-08
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电路去耦合详解，电路去耦设计-KIA MOS管
去耦电容法是常用的电路去耦合方法。它主要是通过添加去耦电容，将交流信号分离开来，从而达到抑制噪声和干扰的效果。去耦电容一般安装在信号源和放大器之间，在信号源输入端和输出端分别添加一个电容，可以有效抑制信号源与放大器之间的干扰。www.kiaic.com/article/detail/4709.html 2024-01-08
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nce30h15k参数,引脚图,nce30h15k代换,KIA2803A-KIA MOS管
KIA2803A场效应管采用沟槽加工工艺设计，实现极低的导通电阻，漏源击穿电压30V，漏极电流150A，RDS(on)=2.2mΩ@VGS=10V，提供低栅极电荷的优异RDS（ON），KIA2803A能够替代nce30h15k型号进行使用，封装形式：TO-220，TO-263。www.kiaic.com/article/detail/4705.html 2024-01-08