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汽车LED透镜MOS管,KNX3703A场效应管参数,中文资料-KIA MOS管
KNX3703A是一款采用先进的沟槽工艺技术的N沟道增强型场效应管，这款mosfet是具有超低导通电阻的高密度电池设计、完全表征雪崩电压和电流、卓越的开关性能。KNX3703A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流50A，RDS（开启）（典型值）=7.5mΩ，VGS=10V，封装形式：D...www.kiaic.com/article/detail/4735.html 2024-01-18
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串联电路电压,串联电路电压公式、规律-KIA MOS管
串联电路的总电压等于各部分电路两端电压之和。串并联电路的电压规律是电路连接的一种理论知识，分为串联电路和并联电路，其中串联电路的总电压等于各部分电路两端电压之和，在并联电路中各支路用电器两端的电压相等，且等于总电压。www.kiaic.com/article/detail/4734.html 2024-01-18
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延时电路图，555延时电路图设计分享-KIA MOS管
555构成的简易长延时电路当按下按钮SB 时，12V 的电源通过电阻器Rt 向电容器Ct 充电，使得6 脚的电位不断升高，当6 脚的电位升到5 脚的电位时，电路复位定时结束。www.kiaic.com/article/detail/4733.html 2024-01-18
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2串保护板专用MOS管,KND3502A场效应管参数,引脚图-KIA MOS管
KNX3502A场效应管采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V。这款场效应管适用于多种应用，是2串保护板专用料(低启1.8V)。KNX3502A场效应管漏源击穿电压20V，漏极电流70A，RDS(on)=7m?(typ.) @ VDS=4.5V，具有高功率和电流处理能...www.kiaic.com/article/detail/4732.html 2024-01-17
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平带电压详解，MOS平带电压图文分享-KIA MOS管
当半导体内没有能带弯曲时所加的栅压，此时表面势为零,净空间电荷为零，但由于功函数差和氧化层内可能存在的陷阱电荷，此时穿过氧化物的电压不一定为零。www.kiaic.com/article/detail/4731.html 2024-01-17
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正向恢复时间和反向恢复时间详解-KIA MOS管
主要在恒流负载的驱动下，假设电流比较大，阶跃速度比较快。此时由于二极管尚未完全导通，导致阻抗较高，因此会引起比较高的正向压降，在做大电流，快速阶跃的应用时应当注意这种现象。www.kiaic.com/article/detail/4730.html 2024-01-17
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单片机的工作原理，单片机的作用详解-KIA MOS管
单片机是由微处理器、存储器、输入输出接口、定时计数器、模拟数字转换器等多种功能模块组成的微型计算机系统。它的核心部分是微处理器，它可以执行各种指令，进行数据处理和控制操作。存储器用于存储程序和数据，输入输出接口用于与外部设备进行数据交换，定时...www.kiaic.com/article/detail/4729.html 2024-01-16
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rcd电路,剩余电流保护器（RCD）详解-KIA MOS管
剩余电流动作保护装置（RCD）是具有漏电保护功能的开关设备，当电气线路和电气设备发生单相接地故障时，利用这个剩余电流来动作切断故障线路和电气设备电源的保护装置。www.kiaic.com/article/detail/4728.html 2024-01-16
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影响MOS管开关速度的因素:米勒效应-KIA MOS管
当驱动开通脉冲加到MOSFET的G极和S极，等效于给输入电容Ciss充电(由于Cgs>>Cgd，主要是为Cgs充电)，由于输入电容的存在，VGS只能以一定的斜率上升，这也是限制MOS管开关速度的一个因素；www.kiaic.com/article/detail/4727.html 2024-01-16
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hy3410场效应管参数,锂电池保护板MOS管KNX2710A-KIA MOS管
KNX2710A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流160A，RDS(ON)=4.5mΩ(typ.)@VGS=10V ，能够替代hy3410进行使用，在锂电池保护板、电动车、电动工具领域热销，极低导通电阻，最小化开关损耗，确保产品的性能稳定可靠。www.kiaic.com/article/detail/4726.html 2024-01-15
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升压电路原理，场效应管升压电路图-KIA MOS管
通常用一个电容和一个二极管，电容存储电压，二极管防止电流倒灌，频率较高的时候，自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压，起到升压的作用。www.kiaic.com/article/detail/4725.html 2024-01-15
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图腾柱电路,图腾柱驱动电路设计分享-KIA MOS管
驱动MOS管或IGBT管，某些管子可能需要比较大的驱动电流或者灌电流，这时候就需要用到图腾柱电路，在实际使用中，如果就按照图中所示的电路的话，往往会因为走线电感与管子的结电容引起谐振而带来问题。可以增加电路图中的R1与D1加速放电，避免引起共振。www.kiaic.com/article/detail/4724.html 2024-01-15
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静态功耗详解，降低静态功耗的方法-KIA MOS管
（1）电源门控减小静态电流最容易的方法就是关断休眠模块的电源。这一技术称为电源门控。www.kiaic.com/article/detail/4723.html 2024-01-12
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动态功耗分析，降低动态功耗的方法-KIA MOS管
（1）使用门控时钟降低活动因子是降低功耗的非常有效的办法，如果一个电路的时钟完全关断，那么它的活动因子和动态功耗将降为0。Verilog在设计寄存器时采用下面写法可以综合成一个带门控的寄存器。www.kiaic.com/article/detail/4722.html 2024-01-12