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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5075 个

  • 全波整流和半波整流电路图详解-KIA MOS管

    全波整流电路，可以看作是由两个半波整流电路组合成的。变压器次级线圈中间需要引出一个抽头，把次组线圈分成两个对称的绕组，从而引出大小相等但极性相反的两个电压e2a 、e2b ，构成e2a 、D1、Rfz与e2b 、D2 、Rfz ，两个通电回路。

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    www.kiaic.com/article/detail/5587.html         2025-04-14

  • 逆变器mos管,1404场效应管代换,KNP2404A参数资料-KIA MOS管

    1404场效应管代换型号KNP2404A漏源击穿电压40V，漏极电流190A，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗，高效率低损耗；高雪崩电流，提供无铅和绿色设备，确保性能稳定可靠；广泛应用于电源、DC-DC转换器等领域；封装形式：TO-...

    92 次查看 逆变器MOS管 1404场效应管代换

    www.kiaic.com/article/detail/5588.html         2025-04-14

  • 常见电源电路图,电脑电源电路图-KIA MOS管

    电路由AH805升压模块及FP106升压模块组成。AH805是一种输入1.2～3V，输出5V的升压模块，在3V供电时可输出 100mA电流。FP106是贴片式升压模块，输入4～6V，输出固定电压为29±1V，输出电流可达40mA，AH805及FP106都是一个电平控制的关闭电源控制端。

    84 次查看 常见电源电路图 电脑电源电路图-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/5589.html         2025-04-14

  • 二极管在电路里的作用详解-KIA MOS管

    在主回路中，串联一个二极管，是利用二极管的单向导电的特性，实现了最简单可靠的低成本防反接功能电路。

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    www.kiaic.com/article/detail/5590.html         2025-04-14

  • 同步降压转换器,30v7a mos管,KNE4603A2场效应管-KIA MOS管

    KNE4603A2是高单元密度沟槽双N沟道MOSFET，漏源击穿电压30V，漏极电流7A；低导通电阻RDS(开启) 16mΩ，超低栅极电荷，为大多数同步降压转换器应用提供优异的RDSON和栅极电荷，减少损耗、提高效率；Cdv/dt效应下降效果极佳，符合RoHs、绿色环保；封装形式：SOP-...

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    www.kiaic.com/article/detail/5618.html         2025-04-14

  • 电动车控制器电路原理图文详解-KIA MOS管

    电动车控制器通过PWM脉宽调制来调整输出电压的大小，从而控制电机的转速。在控制器满足锁线电压和主回路电压供给整车后，会进行一个开机自检的过程，检查霍尔、相线、手把、刹车等周边组件是否正常。

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    www.kiaic.com/article/detail/5617.html         2025-04-14

  • 双向电平转换电路工作原理-KIA MOS管

    双向电平转换电路的核心组件是?NMOS?和?上拉电阻?。双向电平转换电路通过NMOS的导通与截止实现不同电压域信号的双向传输，利用寄生二极管和上拉电阻完成电平匹配?。

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    www.kiaic.com/article/detail/5616.html         2025-04-14

  • ​电源切换mos管,75a100v场效应管,KIA3510AP参数资料-KIA MOS管

    KIA3510AP场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流75A，极低导通电阻RDS(开启) 9mΩ，最大限度地减少开关损耗，提高效率；100%单脉冲雪崩能量测试，高效稳定可靠；符合RoHS，绿色环保；适用于切换应用程序、逆变器系统的电源管理，封装形式：TO-220，散热良好。

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    www.kiaic.com/article/detail/5615.html         2025-04-11

  • 电压反馈电路,原理图,工作原理分析-KIA MOS管

    Vo输出电压增大→TL431参考极电压增大→TL431阴极与阳极压降降低、电流增大→光耦初级电流增大→光耦次级电流增大→FB脚电压升高→电源管理芯片降低MOS管的占空比→Vo输出电压减小。反之亦然，如此保障输出电压平稳。

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    www.kiaic.com/article/detail/5614.html         2025-04-11

  • 彩灯控制电路分享,彩灯控制电路设计-KIA MOS管

    由两个555构成两个时钟电路，由模十六计数器和组合逻辑门构成四种码产生电路，由双D触发器和数据选择器构成开关电路，由移位寄存器和八个彩灯构成输出电路，一个时钟控制模十六计数器和移位寄存器，另一个时钟控制双D触发器。

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    www.kiaic.com/article/detail/5613.html         2025-04-11

  • 高速线路驱动器,4403mos管,​-5A-30V SOP-8,KPE4403B-KIA MOS管

    KPE4403B P沟道场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-5A，低导通电阻RDS(on)=40mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；-5V逻辑电平控制、符合RoHS，高效稳定可靠；适用于负载开关、开关电路、高速线路驱动器、电源管理功能，封装形式：SOP-8，散热良好、安装方...

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    www.kiaic.com/article/detail/5612.html         2025-04-10

  • mos管n沟道和p沟道的区别,应用-KIA MOS管

    N沟道MOS管是以一个掺入了少量正离子的P型半导体做为衬底，然后在衬底上制作两个高浓度的N +区作为源极和漏极。随后，在源极和漏极之间的绝缘层上制作金属层作为栅极。而P沟道MOS管则是以一个掺入了少量负离子的N型半导体做为衬底，在衬底上制作两个P+区作为源...

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    www.kiaic.com/article/detail/5611.html         2025-04-10

  • mos管结电容,结电容对电路的影响-KIA MOS管

    MOS管结电容，是MOS管在极化时，于栅极与漏极/源极间形成的、能存储电荷的电容。它作为MOS管的关键参数，对管子的动态功耗、响应速度等特性有着决定性影响，

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    www.kiaic.com/article/detail/5610.html         2025-04-10

  • 适配器mos管,500vmos管,KIA840SB参数引脚图-KIA MOS管

    KIA840SB场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流8A，低导通电阻RDS(on)=0.7Ω，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；低栅极电荷、开关速度快，高效可靠；100%雪崩测试、符合RoHS，稳定环保；合理的峰值电流与脉冲宽度曲线，提供优越的开关性能；适用于适配器、电视...

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    www.kiaic.com/article/detail/5609.html         2025-04-09

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