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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5842 个

  • KND3080B 30V80A N 沟道 MOSFET 低阻高效率

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    KND3080B N沟道MOSFET,30V耐压80A大电流,TO-252封装,典型Rds(on)仅4.1mΩ,低栅极电荷、开关速度快,可直接替代进口同规格型号,广泛用于电源管理、负载开关、PWM电路,现货供应,品质稳定

    www.kiaic.com/article/detail/6384.html         2026-05-27

  • KNX6165A 替代10N65 N沟道MOSFET直插

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    KNX6165A 650V/10A N 沟道 MOSFET,TO-220/TO-220F 封装,Rds (on) 仅 0.7Ω,解决高压电源易烧管、发热大、效率低等痛点,高雪崩抗冲击,适配 PFC、LED 驱动、逆变器,可替代 10N65 系列,原装正品现货供应

    www.kiaic.com/article/detail/6383.html         2026-05-27

  • KIA7115A 贴片 MOS 管 -150V20A 原装现货

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    KIA7115A 是 TO-252 封装 P 沟道 MOS 管,耐压 - 150V、电流 - 20A,导通内阻仅 153mΩ,解决电路发热大、易击穿、开关不稳等痛点。低栅极电荷、高雪崩抗冲击,工业级 - 55~150℃宽温工作,可完美替代多款进口竞品,适配电机驱动、电源整流、电池保护、负载开关...

    www.kiaic.com/article/detail/6382.html         2026-05-27

  • KIA75100A 1000V/24A 高压 MOSFET

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    KIA75100A 是一款 1000V/24A 高压 N 沟道 MOSFET,TO-264 封装,典型 Rds=380mΩ,专为电焊机、高压电源、电机驱动设计,低损耗高效率,可替代进口型号,原厂直供。

    www.kiaic.com/article/detail/6379.html         2026-05-27

  • KIA8104A 40V/30A 超低内阻 MOSFET

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    KIA8104A 是一款 40V/30A N 沟道 MOSFET,DFN/TO-252 封装,典型 Rds=12mΩ,专为电源管理、PWM 控制、快充设计,低损耗高效率,可替代进口型号,原厂直供。

    www.kiaic.com/article/detail/6380.html         2026-05-27

  • KIA3004B 40V/120A MOSFET|DFN5*6 封装 超低内阻大电流管

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    KIA3004B(KNY3004B)是一款 40V/120A N 沟道 MOSFET,采用 DFN5*6 先进沟槽工艺封装,典型 Rds (ON)=2.4mΩ,超低导通损耗,具备 100% UIS 雪崩测试认证,专为快充电源、动力电池保护板、电机驱动、无人机等高电流场景设计,解决设备发热高、效率低、体积受限...

    www.kiaic.com/article/detail/6377.html         2026-05-07

  • KNM61100A TO-247 封装|高压电源专用 N 沟道 MOSFET 原厂直供

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    KIA61100A(KNM61100A)是一款 10A/1000V N 沟道高压 MOSFET,采用 TO-247 封装,具备低 Rds (ON)(典型 1.0Ω)、低栅极电荷、快恢复体二极管特性,专为适配器、充电器、工业 SMPS 等高压场景设计,解决高压电源开关损耗大、发热高、稳定性差的痛点,可直接替...

    www.kiaic.com/article/detail/6364.html         2026-05-07

  • KIA6140A 10A/400V MOSFET|TO-220/TO-220F 双封装 低损耗高压管

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    KIA6140A(KNP6140A/KNF6140A)是一款 10A/400V N 沟道高压 MOSFET,采用新型平面工艺,典型 Rds (ON)=0.35Ω,低栅极电荷、快恢复体二极管特性,TO-220/TO-220F 双封装可选,专为镇流器、LED 照明驱动、DC-AC 逆变器、工业开关电源设计,解决高压设备发热高、...

    www.kiaic.com/article/detail/6372.html         2026-05-07

  • KIA6115A P 沟道 MOSFET|-150V/-10A 低 Rds (on) 电机驱动优选

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    【KIA6115A 现货直供】-150V/-10A P 沟道 MOSFET,采用先进沟槽工艺,Rds (on) 典型值 300mΩ,低栅极电荷实现快速开关,低热阻设计降低设备发热。支持 DFN5*6/TO-252 双封装,可直接替代 Si7114DP、NTD4960N,适配电机驱动、同步整流、主板供电场景,100% 雪崩...

    www.kiaic.com/article/detail/6357.html         2026-05-06

  • 80V 160A大功率MOS管 KNX2708A 适配UPS逆变器/DC-DC转换器

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    KIA KNX2708A 是一款80V/160A N沟道功率MOSFET,采用专有新沟槽技术,Rds(ON)典型值仅4.0mΩ,脉冲电流达640A,支持-55℃~175℃宽温运行,TO-220/TO-263双封装可选,适配DC-DC转换器、UPS逆变器、同步整流等场景,原装现货,批量供货,提供完善替代方案。

    www.kiaic.com/article/detail/6354.html         2026-04-29

  • KIA3303C 30V 90A N 沟道 MOSFET|低 Rds (ON) 原装现货

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    KIA3303C 是一款 30V/90A N 沟道功率 MOSFET,DFN 封装 Rds (on) 低至 2.6mΩ,TO-252 封装仅 3.2mΩ,超低导通损耗,支持快速开关与高 dv/dt,100% 雪崩测试,适配电源管理、负载开关、PWM 驱动等场景,现货充足,提供完整替代型号参考。

    www.kiaic.com/article/detail/6353.html         2026-04-29

  • KIA4590A 900V6A MOS管|适配器充电器专用现货

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    KIA4590A专为适配器、充电器、开关电源待机电源设计,900V/6A足额耐压,低导通电阻低损耗,快速恢复体二极管抗干扰,可直接替代进口同参数型号,KIA半导体官方现货,提供全流程技术支持

    www.kiaic.com/article/detail/6349.html         2026-04-29

  • KIA65R420 650V11A MOSFET|KIA半导体官方现货

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    KIA半导体官方供应KIA65R420,650V/11A N沟道超结MOSFET,RDS(on)=0.38Ω,TO-220F封装,低栅极电荷高雪崩耐量,可直接替代进口型号,现货稳定供应,提供免费样品与技术支持。

    www.kiaic.com/article/detail/6348.html         2026-04-28

  • KIA3508A 80V70A N沟道MOSFET|KIA半导体官方现货

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    IA半导体官方供应KIA3508A,80V/70A N沟道MOSFET,覆盖TO-220/TO-263/TO-252全封装,典型导通内阻7.5mΩ,100%雪崩测试,pin to pin兼容进口/国产型号,零改板替换,现货稳定供应,提供免费样品与技术支持。

    www.kiaic.com/article/detail/6347.html         2026-04-28

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