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KIA23P10A -100V/-23A P沟道MOSFET TO-252封装低阻
KIA23P10A是TO-252封装-100V/-23A P沟道MOSFET，78mΩ低阻低发热，开关速度快、抗干扰强，100%EAS测试，适用于电源/电机/电池保护，原厂直供，稳定靠谱！
www.kiaic.com/article/detail/6428.html 2026-05-27
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KIA65R700FS 替代 SPA06N65C3 高压 MOS 管
KIA65R700FS 650V/7A N 沟道 MOSFET，TO-220F 封装，参数对标英飞凌 SPA06N65C3，0.6Ω 低 Rds、高抗雪崩能力，高性价比国产替代方案，适配开关电源、LED 驱动。65R700 650V/7A N沟道MOSFET - KIA半导体* {box-sizing: border-box; margin: 0; padding: 0; fon...
www.kiaic.com/article/detail/6427.html 2026-05-27
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KNS8104A 40V MOSFET 电源 / 电机驱动专用
KNS8104A 40V/30A N 沟道 MOSFET，专为 DC-DC 电源、电池保护板、电机驱动设计，12mΩ 低 Rds、快速开关、100% 雪崩测试，SOT-89 封装，稳定可靠。KNS8104A 40V/30A N沟道MOSFET - KIA半导体* {box-sizing: border-box; margin: 0; padding: 0; font-family: &...
www.kiaic.com/article/detail/6426.html 2026-05-27
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KCY2704B 替代进口 40V MOSFET 高性价比方案
KCY2704B 40V/160A N 沟道 MOSFET，参数对标进口型号，Rds (on) 仅 1.5mΩ，支持 160A 持续电流，DFN5*6 封装，成本优势显著，适合工业、消费电子国产替代项目。
www.kiaic.com/article/detail/6425.html 2026-05-27
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KNP6140S/KNF6140S 400V 11A 0.53Ω低内阻 可替代SPA11N40
KNP6140S/KNF6140S 400V/11A高压MOSFET，0.53Ω低内阻，可直接替代SPA11N40，适配开关电源、电机驱动场景。
www.kiaic.com/article/detail/6424.html 2026-05-27
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KCB3310A/KCY3310A 100V90A MOSFET
KIA3310系列MOSFET（TO-263/DFN5×6），100V耐压/90A大电流，典型RDS(on)仅5mΩ，解决大功率电源发热、效率低、高频不稳定的痛点。SGT沟槽工艺，适配逆变器、UPS、高密度PCB，原厂直供现货稳定。
www.kiaic.com/article/detail/6421.html 2026-05-27
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KCB/KCP/KCM2920A 200V130A MOSFET
KIA2920系列MOSFET（TO-263/220/247），200V耐压/130A大电流，典型RDS(on)仅9mΩ，解决大功率电源发热、炸管、效率低的痛点。高雪崩能力+快恢复体二极管，适配逆变器、DC-DC、电机驱动，原厂直供现货稳定。
www.kiaic.com/article/detail/6416.html 2026-05-27
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KNS5610A 100V 7A MOSFET SOT-89 低内阻现货
KNS5610A SOT-89封装N沟道MOSFET，100V耐压/7A大电流，典型RDS(on)仅98mΩ，解决高频DC-DC电源发热高、开关不稳定的痛点。超低栅极电荷，抗干扰能力强，宽温-55~150℃工作，适配网络电源、负载开关，原厂直供现货。
www.kiaic.com/article/detail/6415.html 2026-05-27
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KIA2803AB 30V 150A MOSFET TO-263 低内阻现货
KIA2803AB TO-263封装N沟道MOSFET，30V耐压/150A连续电流，典型RDS(on)仅2.2mΩ，解决低压大电流场景发热严重、效率低的痛点。100%雪崩测试，150℃耐高温，适配电机驱动、BMS保护板、DC-DC电源，现货供应，支持批量直供。
www.kiaic.com/article/detail/6413.html 2026-05-27
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KND/KNP/KNF41100A 1000V 2A MOSFET 国产替代
KIA 原厂 41100A 系列 MOSFET，1000V/2A，Rds (on)≤12Ω，快恢复二极管，适配适配器 / 充电器，替代 IXFP4N100/2SK1119，交期稳、成本优
www.kiaic.com/article/detail/6411.html 2026-05-27
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KNM62150A TO-247 11A/1500V MOSFET 国产替代优选
KIA 原厂 KNM62150A TO-247 MOSFET，11A/1500V，Rds (on)≤3.2Ω，雪崩能量 350mJ，替代 IXTH12N150，交期稳、成本优，解决高压电源击穿痛点。
www.kiaic.com/article/detail/6410.html 2026-05-27
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KNH3730A TO-3P 50A/300V MOSFET 国产替代优选
KIA 原厂 KNH3730A TO-3P MOSFET，50A/300V，Rds (on)≤88mΩ，雪崩能量 3044mJ，替代 TK50J30D/IXFH50N30Q3，交期稳、成本优，解决电源浪涌击穿痛点。
www.kiaic.com/article/detail/6409.html 2026-05-27
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替代 Infineon 100V MOSFET，KIA KCX017N10N 参数不虚标
KIA KCX017N10N/KCT017N10N 100V/259A N 沟道 MOSFET，TO-263/TOLL 双封装，1.4-1.6mΩ 超低 Rds (on)，解决大电流发热、效率低痛点，适用于电机控制、BMS、UPS 等场景，100% 测试认证，可直接替代进口型号
www.kiaic.com/article/detail/6406.html 2026-05-27
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KNY3903A DFN5×6 30V 85A MOSFET 低内阻功率管
KNY3903A DFN5×6封装30V/85A MOSFET，Rds(on)低至4.0mΩ，解决传统MOS管发热炸机、空间不足、效率低问题，适配BMS保护板、电机驱动、快充电源，国产替代优选。
www.kiaic.com/article/detail/6405.html 2026-05-27