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KCB040N10N TO-263 100V 172A MOSFET 低内阻大功率管
KCB040N10N TO-263 100V/172A MOSFET，Rds(on)仅3.4mΩ，解决传统MOS管发热炸机、电流不足问题，适配电机驱动、UPS、BMS保护板，国产替代优选。
www.kiaic.com/article/detail/6404.html 2026-05-27
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KND3403B TO-252 30V 85A N沟道MOSFET 低内阻大电流
KND3403B TO-252封装30V 85A MOSFET，Rds(on)低至4.5mΩ，耐高温、低发热，解决传统MOS管过热炸机、电流不足、效率低问题，适配电机驱动/电源管理/BMS保护板。
www.kiaic.com/article/detail/6403.html 2026-05-27
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KNM64100A 替代 IXFH13N100 STW13NK100Z
KNM64100A 完美替代 IXYS IXFH13N100、意法 STW13NK100Z、英飞凌 IPP13N10S3，1000V13A TO-247 封装，引脚完全兼容无需改板，性能更优，交期稳定，成本降低 55% 以上，支持批量采购和免费样品测试。
www.kiaic.com/article/detail/6402.html 2026-05-27
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KNX2408A 替代 IRF2807 NCE2408A SVT2408A
KNX2408A 完美替代英飞凌 IRF2807、新洁能 NCE2408A、士兰微 SVT2408A，80V190A 全封装覆盖，引脚完全兼容无需改板，性能更优，交期稳定，成本降低 45% 以上，支持批量采购和免费样品测试。
www.kiaic.com/article/detail/6401.html 2026-05-27
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KIA3401 替代 AO3401 NCE3401 NDS3401
KIA3401 完美替代 AOS AO3401、新洁能 NCE3401、安森美 NDS3401，-30V-4A SOT-23 封装，引脚完全兼容无需改板，性能更优，交期稳定，成本降低 50% 以上，支持批量采购和免费样品测试。
www.kiaic.com/article/detail/6400.html 2026-05-27
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KNX8103A 替代 NCE3030K AOD484 SPD30N03
NX8103A 完美替代新洁能 NCE3030K、AOS AOD484、英飞凌 SPD30N03，30V30A 双封装覆盖，引脚完全兼容无需改板，性能更优，交期稳定，成本降低 50% 以上，支持批量采购和免费样品测试。
www.kiaic.com/article/detail/6399.html 2026-05-27
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KCB2920A 替代 IRFP4668 NCE2920A SVT2920A
KCB2920A 完美替代英飞凌 IRFP4668、IXYS IXTH130N20T、新洁能 NCE2920A，200V130A 全封装覆盖，引脚完全兼容无需改板，性能更优，交期稳定，成本降低 40% 以上，支持批量采购和免费样品测试
www.kiaic.com/article/detail/6398.html 2026-05-27
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KIA18N50H 替代 IRF840 NCE18N50 SVT18N50F
KIA18N50H 完美替代英飞凌 IRF840、新洁能 NCE18N50、士兰微 SVT18N50F，500V18A 全封装覆盖，引脚完全兼容，无需改板，性能更优，交期稳定，成本降低 35% 以上，支持批量采购。
www.kiaic.com/article/detail/6397.html 2026-05-27
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KIA2806A 60V150A MOS 管 低发热不炸机
KIA2806A 是 60V150A N 沟道 MOSFET，典型导通电阻 3.5mΩ，大电流下发热小，1200mJ 雪崩能量抗浪涌，TO-263 贴片封装，广泛用于逆变器、UPS、电机驱动，工业级品质，现货充足，免费拿样。
www.kiaic.com/article/detail/6391.html 2026-05-27
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KIA4590A 900V6A N 沟道 MOSFET 低损耗不炸机
KIA4590A 是 900V6A N 沟道 MOS 管，典型导通电阻 1.6Ω，低发热高效率，快恢复体二极管，双封装可选，广泛用于适配器、充电器、SMPS 电源，工业级品质，现货充足，免费拿样。
www.kiaic.com/article/detail/6390.html 2026-05-27
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KCB2920K/KCP2920K/KCM2920K 200V/130A MOSFET
还在为 MOS 管发热大、高频损耗高发愁？KCB2920K 系列采用 SGT 沟槽工艺，Rds (on) 低至 9.8mΩ，200V/130A 规格，低栅极电荷，是高频开关电源、同步整流的理想选择。
www.kiaic.com/article/detail/6389.html 2026-05-27
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KNF7650A/KNH7650A 500V25A MOSFET
还在为 MOS 管发热大、效率低发愁？KNF7650A/KNH7650A 采用 170mΩ 超低内阻设计，500V/25A 规格，低损耗高效率，是开关电源、电机驱动的优选一、产品核心信息项目参数详情产品型号KNF7650A (TO-220F) /
www.kiaic.com/article/detail/6388.html 2026-05-27
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KNY2904A 40V130A N 沟道 MOSFET
KNY2904A 是 40V/130A 高性能 N 沟道 MOSFET，DFN5×6 封装，Rds (on) 低至 2.0mΩ，低损耗高效率，专为电源管理、快充、电机驱动设计，可直接替代 AO4403/SI4403，现货供应。
www.kiaic.com/article/detail/6386.html 2026-05-27
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KPE4403A2 双 P 沟道 MOSFET 30V/5A
KPE4403A2 双P沟道MOSFET，-30V耐压/-5A电流，SOP-8封装，典型Rds(on)=42mΩ，低栅极电荷、开关速度快，可直接替代AO4403/SI4403，适用于同步降压、电源管理，现货供应。
www.kiaic.com/article/detail/6385.html 2026-05-27