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详解短沟道效应和窄沟道效应,形成原因-KIA MOS管
在CMOS器件工艺中，当导电沟道长度降低到十几纳米，甚至几纳米量级时，晶体管出现一些效应。这些效应主要包括阈值电压Vth随着沟道长度降低而降低，载流子表面散射，速度饱和，离子化和热电子效应。www.kiaic.com/article/detail/5146.html 2024-08-14
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二极管pn结形成过程图文详解-KIA MOS管
当P型半导体和N型半导体接合在一起时，由于P型半导体中的空穴浓度较高，而N型半导体中的电子浓度较高，因此会形成扩散运动，并且P型半导体中的空穴将向其浓度较低的方向移动。 N型半导体的电子也会扩散到其浓度低的地方，从而扩散到P型区域。www.kiaic.com/article/detail/5143.html 2024-08-13
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齐纳二极管和稳压二极管的区别详解-KIA MOS管
稳压二极管（zener diode），也称齐纳二极管。它的特点是利用PN结反向击穿时，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变，从而起到稳压作用。www.kiaic.com/article/detail/5137.html 2024-08-09
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耗尽层和空间电荷区,耗尽层近似详解-KIA MOS管
耗尽层，是指PN结中在漂移运动和扩散作用的双重影响下载流子数量非常少的一个高电阻区域。耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。空间电荷区也称耗尽层，在PN结中，由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动，使PN结中间的部位(P区和N...www.kiaic.com/article/detail/5123.html 2024-08-02
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薄膜电容器详解,薄膜电容器的作用-KIA MOS管
薄膜电容(Film Capacitor)器又称塑料薄膜电容(Plastic Film Capacitor)。其以塑料薄膜为电介质。薄膜电容广泛被使用在模拟信号的交连，电源噪声的旁路(反交连)等地方。薄膜电容器是以金属箔当电极，将其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，从两端...www.kiaic.com/article/detail/5117.html 2024-07-31
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开关电源死区时间是什么？详解-KIA MOS管
死区时间（Dead Time）是指在开关管转换过程中，关闭管与开启管之间需要相应一段时间（通常为几纳秒到数微秒不等），以保证两个管之间不会同时导通而导致短路的现象。www.kiaic.com/article/detail/5113.html 2024-07-30
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led封装详解,led封装工艺流程图分享-KIA MOS管
LED封装是指将发光二极管芯片与支持电路、散热结构等元件进行组装，并通过封装材料进行密封，以提供保护和散热的过程。LED的封装不仅要求能够保护灯芯，而且还要能够透光。www.kiaic.com/article/detail/5111.html 2024-07-29
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MOS管和继电器的区别、优缺点详解-KIA MOS管
继电器是一种电磁开关，?通过电磁力使机械触点接通或断开电路；MOS管是一种电子开关，?通过控制栅极电压来调节通道的导电能力。?www.kiaic.com/article/detail/5110.html 2024-07-29
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共模噪声和差模噪声区别、关系图文详解-KIA MOS管
共模电感有两组线圈或多组线圈，有方向要求；而差模电感只有一组线圈，没有方向要求；把共模电感做差模用有方向要求；穿磁珠的单线电感是差模作用。www.kiaic.com/article/detail/5108.html 2024-07-26
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有源器件和无源器件的定义和区别详解-KIA MOS管
有源器件一般用来信号放大、变换等，无源器件用来进行信号传输，或者通过方向性进行“信号放大”。简单地讲就是需要能(电)源的器件叫有源器件，无需能(电)源的器件就是无源器件。www.kiaic.com/article/detail/5104.html 2024-07-25
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压敏电阻选型详解,压敏电阻选型参数,计算-KIA MOS管
压敏电阻虽然能吸收很大的浪涌电能量，但不能承受毫安级以上的持续电流，在用作过压保护时必须考虑到这一点。压敏电阻的选用，一般选择标称压敏电压V1mA和通流容量两个参数。www.kiaic.com/article/detail/5101.html 2024-07-24
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大功率变压器电路,原理图,工作原理详解-KIA MOS管
大功率变压器是交流电源变换的一种，由一个或多个整流器、滤波器及大功率开关器件组成。在直流电压的供电系统中，将交流电转换为直流电的装置称为整流器；而在直流电压的供电系统中，将直流电转换为交流电的装置就称为滤波器。www.kiaic.com/article/detail/5089.html 2024-07-18
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ovp过压保护,ovp和ocp什么意思,一文详解-KIA MOS管
OVP 全称 Overvoltage Protection，即过压保护，当电压超过预设水平时关闭电源或暂停输出，对后级电路起到了保护作用,避免因输入电压过高导致后级电路损坏。应用于电子产品中电源输入口处，防止输入电源电压异常过高损坏电子产品。www.kiaic.com/article/detail/5085.html 2024-07-16
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信号地详解,信号地与电源地的区别-KIA MOS管
SGND（信号地）对应两块芯片亦或模块间的通信信号回流所流过的路径；电源地对应电源回路电流的路径。SGND（信号地）通常是传感器的地。通常SGND（信号地）和GND（电源地）不可以共用，因为GND上流过的大电流会产生电压差，引起干扰，会使信号产生误判，把高电平...www.kiaic.com/article/detail/5083.html 2024-07-15