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单结晶体管(UJT)又称基极二极管,只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端半导体器件,早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区,两端做成欧姆接触的两个基极,在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法...
www.kiaic.com/article/detail/5079.html 2024-07-12
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上拉电阻的目的是为了保证GPIO(低电平有效)无信号输入时输入端的电平为高电平,相反的,下拉电阻是为了保证GPIO(高电平有效)无信号输入时输入端的电平为低电平。
www.kiaic.com/article/detail/5076.html 2024-07-11
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电流流动方向灌电流和拉电流的最明显区别在于电流的流动方向。灌电流是从负载流向电源,而拉电流是从电源流向负载。
www.kiaic.com/article/detail/5067.html 2024-07-08
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LED日光灯管安装简单,并不复杂。安装时将原有的日光灯取下换上LED日光灯,并将镇流器和起辉器去掉,让220V交流市电直接加到LED日光灯两端即可。安装说明:1、去掉启辉器和整流器,将市电的火线、零线分别接在支架的左右两端。2、LED灯管为内置电源,G13接口两...
www.kiaic.com/article/detail/5058.html 2024-07-03
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衬底材料对MOSFET的阈值电压有显著影响。例如,普通的MOSFET衬底材料为硅晶片,但在高温、高电场下易发生击穿,从而降低了阈值电压。因此,一些高温处理的MOSFET采用了其他衬底材料,如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等,能够提高MOSFET的阈值电压和稳定性。
www.kiaic.com/article/detail/5055.html 2024-07-02
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以输入 48V 为例。PWM1 和 PWM2 为两个输入控制信号,其实是两个音频信号。两个信号不能同时为高电平,否则会造成短路。
www.kiaic.com/article/detail/5044.html 2024-06-26
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左图为MOS管驱动电路相关波形的示意图(电流不连续模式DCM),其中Uin对应上图的V1,Ugs对应上图A点电压波形。右图是某反激开关电源实测波形,仅体现了初级绕组电流及MOS管DS压降。
www.kiaic.com/article/detail/5035.html 2024-06-21
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当MOS晶体管的沟道长度小到可以和漏结及源结的耗尽层厚度相比拟时,会出现一些不同于长沟道MOS管特性的现象,统称为短沟道效应,它们归因于在沟道区出现二维的电势分布以及高电场。
www.kiaic.com/article/detail/5014.html 2024-06-12
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电容是衡量电路中储存电荷能力的物理量,常用的单位有法拉(F),较小的单位有毫法拉(mF),微法拉(μF)和皮法拉(pF)。
www.kiaic.com/article/detail/4983.html 2024-05-28
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开关降压电路-buck电路图开关闭合时,电源给电感和电容充电。开关断开时,电感作为电源给负载供电。
www.kiaic.com/article/detail/4978.html 2024-05-24
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MOS电容的容量可以通过使用两个公式来计算,即C=εoA/d,其中C为电容值,εo为真空介电常数,A为极板的面积,d为极板之间的距离。
www.kiaic.com/article/detail/4975.html 2024-05-23
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采用MOS进行电流均流,当其中一路电流大于另一路MOS中的电流时,电流大的MOS产生的热量就会多,从而引起导通阻抗的增大,减小流过的电流。MOS管之间根据电流大小的不同来反复调节,最后可实现两个MOS管之间电流的均衡。
www.kiaic.com/article/detail/4960.html 2024-05-16
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功率开关管符号是K。功率开关管是指能承受较大电流,漏电流较小,在一定条件下有较好饱和导通及截止特性的三极管,可不太考虑其放大性能,其控制极与基极电流大小或方向有关电流经集电极和发射极,方向具体要看是NPN还是PNP管。
www.kiaic.com/article/detail/4954.html 2024-05-14
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截止区:当满足Ugs<Ugs(th),MOS管进入截止区。截止区在输出特性最下面靠近横坐标的部分,表示MOS管不能导电,处在截止状态。截止区也叫夹断区,在该区时沟道全部夹断,电流Id为0,管子不工作。
www.kiaic.com/article/detail/4938.html 2024-05-08