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可控硅是一种双向可导通的半导体开关,可以通过控制其触发角来调节电流的大小,在可控硅调光中,通过改变可控硅的触发角,控制电路的导通时间,从而达到调节灯光亮度的目的;MOS管除了具有信号放大作用,还具有开关作用,作为开关时,MOS管的开关速度要高于可控...
www.kiaic.com/article/detail/4936.html 2024-05-07
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TTL是一种集成电路,通过使用双极性晶体管组合来做到具有驱动能力的逻辑输出。TTL门电路由多个输入端和一个输出端组成。当输入端接收到电信号时,它会根据某种逻辑运算生成相应的输出信号。
www.kiaic.com/article/detail/4933.html 2024-05-06
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高边驱动电路比低边驱动电路复杂一些,一个原因是它通常使用n沟道MOSFET作为功率元件。因为在相同的性能条件下,NMOSFET比PMOSFET的制造工艺简单,更加容易实现,且成本更低,具有价格优势。
www.kiaic.com/article/detail/4930.html 2024-04-30
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桥式整流电路(全波桥式整流电路),是一种将交流电转换成直流电的电子电路。这种电路能够将输入的交流电压中的正负交替变化的电流都转换为单向的直流电流,因而得名全波整流。
www.kiaic.com/article/detail/4921.html 2024-04-26
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热阻的计算公式是R=(T1-T2)/P。其中:R是热阻。T1是热源温度。T2是散热器温度。P是散热器吸收的热功率。此外,还有其他相关热阻计算公式,如通用公式:Tcmax=TJ-P*(RJC+RCS+RSA),其中RJC表示芯片内部至外壳的热阻,RCS表示外壳至散热片的热阻,RSA表示散热片到...
www.kiaic.com/article/detail/4914.html 2024-04-24
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混合集成电路是将半导体集成工艺与薄/厚膜工艺结合而制成的集成电路。是半导体集成电路外围元件的再集成,或称为二次集成。混合集成电路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线,并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集成电路或微型元件混合组装...
www.kiaic.com/article/detail/4912.html 2024-04-23
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电压反馈(voltagefeedback-VFB),在模拟电路中,若反馈量与输出电压(有时不一定是输出电压,而是取样处的电压)成正比则为电压反馈;若反馈量与输出电流(有时不一定是输出电流,而是取样处的电流)成正比则为电流反馈。
www.kiaic.com/article/detail/4910.html 2024-04-22
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ATX电源(ATX Power Supply)是计算机的工作电源,作用是把交流220V的电源转换为计算机内部使用的直流5V,12V,24V的电源。
www.kiaic.com/article/detail/4909.html 2024-04-22
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漏源击穿电压。(D端-S端所能承受电压值,受制于内藏二极管的耐压,条件:VGS=0,ID=250uA时,与温度成正比)是指栅源电压 VGS 为 0 时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。
www.kiaic.com/article/detail/4903.html 2024-04-18
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亚阈值斜率S也称亚阈值摆幅,其定义为亚阈值区漏端电流增加一个数量级所需要增大的栅电压,反映了电流从关态到开态的转换陡直度,具体对应于采用半对数坐标的器件转移特性曲线(I-Vos关系)中亚阈值区线段斜率的倒数。
www.kiaic.com/article/detail/4891.html 2024-04-12
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直流升压电路属于DC/DC电路的一种类型。直流升压(DC-DC Boost)是一种将输入直流电压升压到较高的直流电压的电路。直流升压就是将电池提供的较低的直流电压,提升到需要的电压值,基本的工作过程:高频振荡产生低压脉冲--脉冲变压器升压到预定电压值--脉冲整流...
www.kiaic.com/article/detail/4889.html 2024-04-11
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直流电(DC,direct current),又称“恒流电”,恒定电流是直流电的一种,是大小和方向都不变的直流电。直流电是电荷的单向流动或者移动,通常是电子。电流密度随着时间而变化,但是通常移动的方向在所有时间里都是一样的。作为一个形容词,DC可用于参考电压(...
www.kiaic.com/article/detail/4886.html 2024-04-10
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速度饱和效应:在强电场环境下,载流子的漂移速度随电场强度的增加而增加的幅度逐渐降低,并最终趋于饱和状态的现象。
www.kiaic.com/article/detail/4879.html 2024-04-08
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肖特基势垒(Schottky Barrier),是指具有整流特性的金属-半导体接触,即具有大的势垒高度,以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触,就如同二极管具有整流特性,是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。
www.kiaic.com/article/detail/4876.html 2024-04-07