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这是一种非常流行的驱动装置,用于具有四根导线的两相双极电机。在一个完整的驱动器/控制器中,电子器件交替地逆转每相的电流。所述的两相步进序列采用了 "双极线圈绕组"。每一阶段由一个单一的绕组组成。通过颠倒绕组中的电流,电磁极性被颠倒。
www.kiaic.com/article/detail/4398.html 2023-08-02
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开关电源的损耗主要包括开关器件和二极管的传导损耗(导通损耗)以及开关损耗(交叉损耗或者动态损耗、开关损耗);当然还有在L、C上的传导损耗(等效DCR和ESR上的损耗)。
www.kiaic.com/article/detail/4397.html 2023-08-02
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二极管并联LDO的方法可以有效地降低LDO的压降,提高效率,适用于输出电流较大且输出电压较低的场景。但需要注意选择合适的二极管,以保证LDO的稳定性和电流输出能力。
www.kiaic.com/article/detail/4389.html 2023-07-28
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寄生效应:就是本来没有在那个地方设计电容或电感甚至电阻,然而因为某些因素如结构之间、PCB布线、管脚引线、通孔质量、焊盘到地距离、焊盘到电源平面距离、和焊盘到印制线之间、材料差异、器件封装、封装引脚和印制线过长等,特别是在高速电路中而表现出来的...
www.kiaic.com/article/detail/4380.html 2023-07-25
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运放的输入共模电容 Ccm 和差模电容 Cdiff 会形成运放的输入电容 Cin。在许多应用中,运算放大器的输入电容都不会造成问题。但在某些应用中会引起放大电路的不稳定。
www.kiaic.com/article/detail/4357.html 2023-07-14
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输入低频纹波(1) 增加输出低频滤波的电感、电容容量及数量
www.kiaic.com/article/detail/4352.html 2023-07-12
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设计开关电源时,各种参数的计算以及控制器和无源器件的选取是工作的重点,其中,控制器的结温是需要重点关注的参数之一,因为过高的结温除了会带来安全隐患外,还会影响开关电源的效率。
www.kiaic.com/article/detail/4348.html 2023-07-11
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PSRR 是 LDO 的主要参数之一,在各厂商 LDO 的数据手册中都可以找到这一参数,PSRR 规定了在某个频率下叠加的交流信号从 LDO 输入到输出的衰减程度。
www.kiaic.com/article/detail/4346.html 2023-07-10
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降低 MOSFET 功率损耗的直接途径是:选择低导通电阻 RDS(ON)、可快速切换的 MOSFET。
www.kiaic.com/article/detail/4339.html 2023-07-06
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TVS管自身带有寄生电容,同样,二极管自身也带有寄生电容,将 TVS管和二极管串联,其实就是将二者的寄生电容串联,以此来减少寄生电容的影响。
www.kiaic.com/article/detail/4330.html 2023-07-03
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PMOS管打开时,会使前级电源VCC电压跌落。VCC_3G并联一个1000uf电容,初步判断是mos管开启瞬间充电电流引起,减小容值有比较小的改善,直接去掉后电压才不会跌落,但是这个储能电容又不能去掉,请问有无改进办法?
www.kiaic.com/article/detail/4328.html 2023-06-30
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同步整流技术就是采用低导通电阻的功率MOS管代替开关变换器快恢复二极管,起整流管的作用,从而达到降低整流损耗,提高效率的目的。
www.kiaic.com/article/detail/4325.html 2023-06-29
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极性-幅值驱动模式(Sign-Magnitude Drive),也称单极性驱动模式:驱动电机的信号有控制H桥输出极性的方向控制信号和控制PWM占空比幅值的脉冲信号;PWM占空比为0时,输出电压为0。
www.kiaic.com/article/detail/4319.html 2023-06-27
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当S=0时,P型沟道MOS管PM1和N型沟道MOS管NM2导通,P型沟道MOS管PM2和N型沟道MOS管NM1截止,形成第一方向的隔离传输:在变压器原边,电流从输入电源正端VIN经过PM1后从变压器原边绕组NP的同名端流入,异名端流出,并经过NM2后流到输入电源GND;
www.kiaic.com/article/detail/4313.html 2023-06-25