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MOSFET-衬底偏压技术图文详解-KIA MOS管
当Vg从0V开始上升的时候，p衬底中的多子空穴会被赶离栅区从而留下负电荷（空穴无法移动，实际上是电子的移动，电子从衬底被抽取上来，与p型半导体中的受主杂质例如硼结合，使得共价键饱和，既没有可移动的电子，也没有可移动的空穴）；www.kiaic.com/article/detail/4306.html 2023-06-19
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MOS管-衬底偏置效应图文详解分享-KIA MOS管
衬底偏置效应，就是当衬底（body/substrate）和源（source）之间的电势差Vbs不为零的时候，所产生的一些效应的统称。www.kiaic.com/article/detail/4305.html 2023-06-19
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MOSFET器件-亚阈值摆幅（STS)详解-KIA MOS管
亚阈值摆幅是衡量晶体管开启与关断状态之间相互转换速率的性能指标，它代表源漏电流变化十倍所需要栅电压的变化量，又称为S因子，S越小意味着开启关断速率ON/OFF越快。www.kiaic.com/article/detail/4304.html 2023-06-19
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锂电池充电-快充原理图文详解-KIA MOS管
普遍来说，最高效的方式开始都是恒流充电（充电速度较快)，然后是恒压充电（充电速度下来了，因为电池本身的电压上去了)，最后是涓流充电（在充满电后，补偿因自放电而造成的容量损失)。www.kiaic.com/article/detail/4295.html 2023-06-14
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ZVS反激-反激开关电源实例详解-KIA MOS管
ZVS即在MOSFET驱动到来前，Vds电压已经为零了。由于节点电容上电压的存在，要实现ZVS，需要一个和励磁电流反向的电流流过变压器原边电感。www.kiaic.com/article/detail/4278.html 2023-06-06
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详解变压器电量损耗计算及实例计算-KIA MOS管
功率因数 = 变压器有功总电量/开平方(变压器有功总电量平方+变压器无功总电量平方（不含变损电量）)www.kiaic.com/article/detail/4277.html 2023-06-06
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ESD基本概念及ESD产生来源详解-KIA MOS管
ESD定义：ESD（Electro-Static discharge）的意思是“静电释放”。ESD是20世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科。因此，国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD，中文名称为静电阻抗器。www.kiaic.com/article/detail/4264.html 2023-05-30
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NMOS物理结构-NMOS的结构、原理详解-KIA MOS管
沟道内的电子就是NMOS导电的关键，只要VD>VS，电子从S流向D，电流就会从D流向S。www.kiaic.com/article/detail/4249.html 2023-05-23
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MOS管寄生电容如何形成？图文详解-KIA MOS管
1. 势垒电容：功率半导体中，当N型和P型半导体结合后，由于浓度差导致N型半导体的电子会有部分扩散到P型半导体的空穴中，因此在结合面处的两侧会形成空间电荷区（该空间电荷区形成的电场会阻值扩散运动进行，最终使扩散运动达到平衡）；www.kiaic.com/article/detail/4232.html 2023-05-10
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MIM、MOM和MOS电容的区别图文详解-KIA MOS管
MOS 电容：两端结构的mos管，电容值不精确，可以实现随控制电压变化而变化的容值，上下极板接法不可互换。www.kiaic.com/article/detail/4230.html 2023-05-09
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什么是CMOS传输门？工作原理详解-KIA MOS管
将两个MOS管的源极直接相连做为输入端子，漏极连接在一起做为输出端子，由于这种MOS管的漏极和源极完全可以互换使用，因而这种电路的输入端与输出端也可以互换，这就是具有信号传输双向特性的CMOS传输门，简称TG门。www.kiaic.com/article/detail/4220.html 2023-05-05
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【电路分享】OC门电路图文详解-KIA MOS管
OC门即集电极开路。也就是三极管的集电极什么都不接。当左端输入低电平时，右端的三极管输出为低电平。然而当左端输入高电平时，由于右端的三极管集电极处于开路状态，所以是无法输出高电平。www.kiaic.com/article/detail/4214.html 2023-04-28
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CMOS电路三态门概念原理应用详解-KIA MOS管
三态门输出电路除了有高低电平两个状态之外，还有第三个状态--Hi-Z高阻态；www.kiaic.com/article/detail/4213.html 2023-04-27
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运放噪声如何简单、快速计算？详解-KIA MOS管
在运放构成的反向放大电路中，噪声主要来源于以下三方面：（1）运放的输入噪声电压(datasheet有数据曲线)（2）运放的输入电流噪声(datasheet有数据曲线)，需要流过电阻后转换成电压噪声。（3）设置放大倍数的电阻R1和Rf的热噪声，可通过下面公式计算www.kiaic.com/article/detail/4205.html 2023-04-25