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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 910 个

  • 开关电源为什么要加快放电功能?详解-KIA MOS管

    为了避免反复开关负载引起电源异常,那么一般就要增加快速放电电路。一个非常简单的放电电路就是加一个对地开关MOS,当需要放电时,就打开MOS,不需要放电时,就断开MOS。

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    www.kiaic.com/article/detail/4093.html         2023-03-01

  • 【电源电路】4开关升降压BOB电源详解-KIA MOS管

    当S4处于常闭、S3处于常开状态时,反复开关的管子是S1和S2,这就构成了BUCK降压结构。下图就是BUCK的结构,有S1、S2两个工作管子,这种BUCK被称为同步BUCK,效率会高一些。

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    www.kiaic.com/article/detail/4091.html         2023-03-01

  • BUCK-BOOST负电压电路图文详解-KIA MOS管

    BUCK-BOOST是一种经典的负电源架构,属于斩波器的一种,广泛应用在OLED驱动、音频等领域,其基本架构见下图,与BUCK、BOOST一样,BUCK-BOOST也是由基本的开关、二极管和电感组成。

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    www.kiaic.com/article/detail/4089.html         2023-02-28

  • 启动电流详解及如何测试启动电流?-KIA MOS管

    启动电流是指电器设备(感性负载)在刚启动时的冲击电流,是电机或感性负载通电瞬间到运行平稳的短暂时间内的电流变化量,这个电流一般是额定电流的4-7倍,国家规定,为了线路的运行安全及其它电气设备的正常运行,大功率的发动机必须加装启动设备,以降低启动...

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    www.kiaic.com/article/detail/4082.html         2023-02-24

  • 详解运放失调电压的影响及应对-KIA MOS管

    在理想运算放大器的情况下,当输入电压 (V i ) 为 0 V时,V IN(+)和 V IN(-)端子的直流电压完全匹配。 然而,实际上存在以下差异V IN(+)和 V IN(-)端子之间的输入阻抗和输入偏置电流,导致它们的电压略有不同。

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    www.kiaic.com/article/detail/4079.html         2023-02-23

  • 【图文详解】MOS管的栅极电阻-KIA MOS管

    MOS管也可以没有栅极电阻的情况下工作,但添加一个栅极电阻可以防止一些潜在的问题。一般为1000 Ω就可以。请参阅下面的电路图,用于连接 MOSFET 栅极电阻器(下拉电阻器是可选的)

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    www.kiaic.com/article/detail/4072.html         2023-02-20

  • 电容器纹波电流如何计算?详解-KIA MOS管

    在理想情况下,当电容器安装在直流电压电源上时,根据电容隔直通交的特性,没有电流会流向电容器。但是,如果电容两端的实际电压不是单纯的直流电压时,比如电压有微小的波动,此时电容就会发生充放电,就会产生纹波电流。

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    www.kiaic.com/article/detail/4068.html         2023-02-17

  • 详解推挽变换器漏感电压尖峰-KIA MOS管

    通常推挽拓扑中功率管选用都是MOSFET,而MOSFET失效最多原因往往不是电流而是电压,这正是由于推挽变换器漏感所致。这就迫使设计师不得不降低变压器漏感,选用更高耐压功率管,甚至加入各种吸收电路来满足设计要求,但是却发现都不能从根本上解决问题。

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    www.kiaic.com/article/detail/4057.html         2023-02-13

  • LDO输出不稳定?图文详解-KIA MOS管

    LDO的输出电容对性能至关重要,除了会提高电源抑制比PSRR抑制噪声外,对环路稳定性也至关重要,电容除了容值参数外还有ESR(Equivalent Series Resistance)等效串联电阻参数,二者在选型设计时都要仔细考虑。

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    www.kiaic.com/article/detail/4046.html         2023-02-08

  • 甲类功率放大器的功率计算详解-KIA MOS管

    甲类功放不存在交越失真,音频信号可以完整地传输。甲类功放是发烧友追求的目标。一部甲类功放,一其输出功率是多少?功率损耗是多少?这些都是甲类功放制作的前期理论计算。甲类功放多采用NPN与PNP配对的推挽式工作方式。

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    www.kiaic.com/article/detail/4033.html         2023-02-01

  • MOS管驱动电路功率损耗如何计算?详解-KIA MOS管

    所有的MOS管导通后都存在导通内阻,当电流流过之后就会产生功率损耗,一般用RDS(ON)来表示,传导损耗一般来说和MOS的大小成反比,体积越大,其导通电阻一般能做的更小。

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    www.kiaic.com/article/detail/4019.html         2023-01-13

  • 驱动电路中的误开通如何避免?详解-KIA MOS管

    通过调节RON/ROFF 的大小可以来调整 MOSFET 的开通/关断速度:增大RON/ROFF来减慢MOSFET开通/关断的速度,减小 dv/dt (di/dt) 从而减小门极电压尖峰。

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    www.kiaic.com/article/detail/4017.html         2023-01-12

  • 线性稳压电源电路图文详解-KIA MOS管

    当输入电压Ui升高或负载变轻,引起输出电压Uo升高后,该电压通过R2、RP、R3分压产生的取样电压升高,该电压加到VT2的基极,由于VT2的发射极电位不变,所以VT2导通加强,它的集电极电位下降,也就是使VT1的基极电位下降,致使VT1的输出电压下降到正常值。当输出...

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    www.kiaic.com/article/detail/4002.html         2023-01-05

  • 如何提高单片机IO口驱动能力?详解-KIA MOS管

    单片机的IO口可以输出三种状态:高电平、低电平、高阻。一般不同封装和颜色的驱动电压和电流都有些许差异,具体要参照使用LED的规格书。

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    www.kiaic.com/article/detail/3981.html         2022-12-20

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