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电路中的GND和GROUND与VCC等符号详解-KIA MOS管
DCpower一般是指带实际电压的源，其他的都是标号（在有些仿真软件中默认的把标号和源相连的）VDD：电源电压（单极器件）;电源电压（4000系列数字电路）;漏极电压（场效应管）www.kiaic.com/article/detail/3436.html 2022-03-30
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【图文详解】如何处理MOSFET非线性电容-KIA MOS管
与MOSFET相关的三个电容的基本定义如图1a和1b所示。以VDS的函数的方式测量这些电容并不是一件直截了当的工作，在此过程中需要它们中的某些被短路或开路（left floating）。www.kiaic.com/article/detail/3413.html 2022-03-18
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如何抑制反激电源中的振铃现象？详解-KIA MOS管
反激电源是最常用的拓扑之一。其变压器漏感常会引起原边振铃，并导致会损坏 MOSFET 的电压尖峰。因此，通过变压器和MOSFET 组件的合理设计来控制振铃非常重要。www.kiaic.com/article/detail/3409.html 2022-03-17
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功率MOSFET的热阻特性图文详解-KIA MOS管
数据表中，功率MOSFET有不同的热阻值，数据表中的热阻都是在一定的条件下测试的。MOSFET反并联二极管相当于一个温度传感器，一定的温度对应着一定的二极管的压降。www.kiaic.com/article/detail/3408.html 2022-03-17
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分析半导体器件中的EOS和ESD故障详解-KIA MOS管
静电可以定义为累积在材料表面的固定电荷。静电荷之间的相互作用（称为静电）导致两个关键问题：静电过应力（EOS）和静电放电（ESD）。静电可以定义为累积在材料表面的固定电荷。www.kiaic.com/article/detail/3407.html 2022-03-16
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什么是LC串联谐振和并联谐振电路？详解-KIA MOS管
具有L，C元素的电路由于其频率特性（如频率Vs电流，电压和阻抗）而具有特殊的特性。这些特性在特定频率下可能具有明显的最小值或最大值。这些电路的应用主要涉及发射机，无线电接收机和电视接收机。www.kiaic.com/article/detail/3396.html 2022-03-11
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并联谐振电路特点和应用图文详解-KIA MOS管
在电感和电容并联的电路中，当电容的大小恰恰使电路中的电压与电流同相位，即电源电能全部为电阻消耗，成为电阻电路时，叫作并联谐振。并联谐振是一种完全的补偿，电源无需提供无功功率，只提供电阻所需要的有功功率。谐振时，电路的总电流最小，而支路的电流往...www.kiaic.com/article/detail/3394.html 2022-03-10
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IGBT尖峰电压吸收电路图文详解-KIA MOS管
关断IGBT时由于电感中储存有能量，集电极-发射极间会发生浪涌电压。缓冲电路可以抑制施加在IGBT上的过电压和关断损耗的增加。这是由于缓冲电容器可以分担关断时的一部分能量。务必妥当处理电容器所吸收的能量。www.kiaic.com/article/detail/3112.html 2022-03-09
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MOSFET开关使用共源共栅拓扑消除米勒效应详解-KIA MOS管
如图1所示将两个三极管串联（如级联型三极管或共源共栅拓扑）可能会降低从输入到输出的总电容。鉴于上管排电压固定，上三极管的阴极电压通过下三极管控制。当开发出带有内部帘栅的四极管后，这种内部电容及其相关效应会降低，从而可以构建可以在数百兆赫下运行...www.kiaic.com/article/detail/3392.html 2022-03-09
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详解SiC MOSFET如何降低电磁干扰和开关损耗-KIA MOS管
寄生电感是SiC MOSFET的VDS峰值和振铃的主要成因。从关闭波形（图1）中看，栅源电压（VGS）从18V至0V。关闭时的漏极电流（ID）为50A，VDS为800V。SiC MOSFET的高开关速度会导致高VDS峰值和长振铃期。www.kiaic.com/article/detail/3391.html 2022-03-09
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运算放大器datasheet参数中文详解-KIA MOS管
运放主要直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）、输入偏置电流、输入失调电流、输入偏置电流的温度漂移（简称输入失调电流温漂）、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰-峰值电压、最大共模输入电压、...www.kiaic.com/article/detail/3386.html 2022-03-07
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【图文详解】超级结MOSFET结构、工作原理-KIA MOS管
（1）SJ-MOS在N层具有柱状P层（P柱层）。P层和N层交替排列。（参见图3-9（b））（2）通过施加VDS，耗尽层在N层中扩展，但其在SJ-MOS中的扩展方式与在一般D-MOS中不同。（关于电场强度，参见图3-9（a）／（b）。电场强度将表示耗尽层的状态。www.kiaic.com/article/detail/3380.html 2022-03-04
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详解SiC MOSFET的短路检测及短路保护-KIA MOS管
1、SiC MOSFET的晶元面积小于IGBT晶元面积，短路时候散热能力不及IGBT。2、IGBT短路后能够退饱和（desaturation）进入线性区，电流不再增加，能够自我限流。www.kiaic.com/article/detail/3379.html 2022-03-03
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分享几种一键开关机电路方案【图文详解】-KIA MOS管
电路工作流程如下：A、 Key按下瞬间，Q2、Q1导通，7805输入电压在8.9V左右，7805工作，输出5V电压给单片机供电。B、单片机工作后，将最先进行IO口初始化，IO1设为输入状态，启用内部上拉；IO2设为输出状态，输出高电平。这时Q2、Q3导通，LED1发光，7805能够正常...www.kiaic.com/article/detail/3374.html 2022-02-28