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详解尖峰电流与PCB布局时的去耦电容-KIA MOS管
尖峰电流的形成：数字电路输出高电平时从电源拉出的电流Ioh和低电平输出时灌入的电流Iol的大小一般是不同的，即：Iol＞Ioh。以下图的TTL与非门为例说明尖峰电流的形成：www.kiaic.com/article/detail/3361.html 2022-02-23
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运算放大器线性应用的重点图文详解-KIA MOS管
本文重点讲解运算放大器的线性应用，线性应用重点掌握集成运放的传输特性、理想运放的特性，以及基本的同相放大器、反相放大器、加法电路、减法电路、积分电路和微分电路。www.kiaic.com/article/detail/3358.html 2022-02-22
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详解电路设计中零欧姆电阻的作用-KIA MOS管
零欧电阻，即电阻标值为0欧姆的电阻称为零欧电阻。是一种理想电阻，多用于PCB设计等方面。对于初学者可能会有一个疑问：既然阻止是零，那么和一根导线有什么区别？为什么不直接连起来？www.kiaic.com/article/detail/3351.html 2022-02-17
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图文详解功率MOSFET的驱动电感性负载-KIA MOS管
小脚设备在各种低压电动机驱动应用中提供了可测量的优势。在计算机硬盘中，诸如磁道密度，寻道时间和功耗之类的关键特征与主轴电机和磁头致动器驱动电路的效率直接相关。磁盘驱动器必须从计算机系统提供的低压电源（传统上，稳压良好的12 V电源）中获取最大的电...www.kiaic.com/article/detail/3347.html 2022-02-16
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详解-运算放大器中“轨到轨”的作用-KIA MOS管
设计放大电路时，随着信号的幅度的增大，输出信号逐渐增大。但会遇到下面两种情况：1）当输出信号增大到一定程度时，虽然此时的输出信号幅度还没有达到电源轨，但输出信号已经饱和，如图 1。2）当供电电压一定时，随着负载阻抗的减小，输出信号出现饱和。www.kiaic.com/article/detail/3345.html 2022-02-16
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详解ON状态下的MOSFET和三极管有何区别？-KIA MOS管
MOSFET和三极管都有ON状态，那么在处于ON状态时，这两者有什么区别呢?MOSFET和三极管，在ON状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢?www.kiaic.com/article/detail/3340.html 2022-02-14
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使用MOSFET和额外的肖特基二极管减少干扰详解-KIA MOS管
在负载点（POL）降压转换器领域，同步变化的高边和低边有源开关已被广泛使用。图1显示了具有理想开关的此类电路。与使用无源肖特基二极管作为低边开关的架构相比，此类开关稳压器具有多项优势。主要优势是电压转换效率更高，因为与采用无源二极管的情况相比，低...www.kiaic.com/article/detail/3338.html 2022-02-11
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什么是IGBT中的闩锁效应？图文详解-KIA MOS管
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能两方面的优点。闩锁会使IGBT失去栅控能力，器件无法自行关...www.kiaic.com/article/detail/3305.html 2022-01-14
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【收藏】MOS管防护电路图文详解-KIA MOS管
功率MOS管自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用功率MOS管对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。www.kiaic.com/article/detail/3302.html 2022-01-13
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图腾柱电路工作原理及注意事项详解-KIA MOS管
图腾柱就是上下各一个晶体管，上管为NPN，c极接正电源，下管为PNP，e极接负电源，注意，是负电源，是地。两个b极接到一起，接输入，上管的e和下管的c接到一起，接输出。www.kiaic.com/article/detail/3298.html 2022-01-12
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MOS管详解-NMOS和PMOS导通电流流向-KIA MOS管
一般常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。www.kiaic.com/article/detail/3291.html 2022-01-07
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【详解】晶体管与MOS管的并联理论-KIA MOS管
晶体管与MOS管并联理论：(1)、晶体管具有负的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会变小。(2)、MOS管具有正的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会逐渐变大。www.kiaic.com/article/detail/3289.html 2022-01-07
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超结结构高压功率MOSFET寄生电容形成详解-KIA MOS管
超结结构的功率MOSFET在VDS电压上升、横向电场建立产生耗尽层（空间电荷区）过程中，N型漂移层两侧的空间电荷区边界会向中心移动，如图2所示，随着VDS电压的升高，两侧空间电荷区边界会接触碰到一起，然后向再下继续移动。www.kiaic.com/article/detail/3281.html 2022-01-04
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设计准确的直流电源【图文详解】-KIA MOS管
电池测试、电化学阻抗谱和半导体测试等测试和测量应用需要准确的电流和电压输出直流电源。在环境温度变化为±5°C时，设备的电流和电压控制精度需要优于满量程的±0.02%。精度在很大程度上取决于电流感应电阻器和放大器的温漂。www.kiaic.com/article/detail/3278.html 2021-12-31