KNM63120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流12A，开关速度快，高效稳定；低...KNM63120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流12A，开关速度快，高效稳定；低导通电阻RDS(on) 1.2Ω，能够最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷最小化开关损耗；具...
需要点动控制时，按下点动复合按钮 SB3，其常闭触点先断开KM的自锁电路，随后S...需要点动控制时，按下点动复合按钮 SB3，其常闭触点先断开KM的自锁电路，随后SB3常开触点闭合，接通启动控制电路，接触器KM线圈得电吸合，KM主触点闭合，电动机M启...
MOSFET的三端标记分别为 G， S， D(Gate， Source， Drain)， 电路符号有多种形...MOSFET的三端标记分别为 G， S， D(Gate， Source， Drain)， 电路符号有多种形式， 最常见的如下图所示， 以一条垂直线代表沟道(Channel)， 两条和沟道平行的接线...
KNH9150A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流40A，采用先进平面工艺制造，低导...KNH9150A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流40A，采用先进平面工艺制造，低导通电阻RDS(on) 88mΩ，能够最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷最小化开关损耗；具有...
BLDC驱动电路中的功率模块多采用MOS管，MOS管具有低导通电阻和快速开关速度的特...BLDC驱动电路中的功率模块多采用MOS管，MOS管具有低导通电阻和快速开关速度的特性，有利于降低电路功耗。在BLDC驱动电路里，为了实现电机的平滑启动，常常会采用软...
