1.引脚间距：5.45mm（中心距），适用于三引脚设计。 2.本体长度：15.8-16.0mm...1.引脚间距：5.45mm（中心距），适用于三引脚设计。 2.本体长度：15.8-16.0mm（不含引脚）。 3.本体宽度：16.0mm（仅器件主体）。20.2-20.4mm（含引脚轮廓）。高...
原厂现货KNB3508A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流70A，采用先进的沟槽技术生...原厂现货KNB3508A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流70A，采用先进的沟槽技术生产，极低导通电阻RDS(导通) 7.5mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗，提供卓越的...
TO-220AB：TO-220AB是特定的JEDEC编码，“AB”是指符合特定的测量规范的3个直插...TO-220AB：TO-220AB是特定的JEDEC编码，“AB”是指符合特定的测量规范的3个直插脚编。 TO-220-3是通用的编码，指具有TO-220本体和3引脚的零件。相同的封装系列中...
SOT-227小型晶体管封装，是一种体积介于单管和模块之间的内绝缘功率半导体封装...SOT-227小型晶体管封装，是一种体积介于单管和模块之间的内绝缘功率半导体封装，采用M4螺丝法兰底板安装和4个引出端口，常用于封装IGBT、二极管和MOSFET等器件。
原厂优质现货KNY3303A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A，采用先进的平面...原厂优质现货KNY3303A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A，采用先进的平面条形DMOS技术生产，极低导通电阻RDS(导通) 3.1mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损...
