碳化硅mos管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是第三代半导体材料电力电子器件...碳化硅mos管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是第三代半导体材料电力电子器件，三个脚分别为栅极（G），漏极（D）和源极（S）。碳化硅MOS为电压型控制器件，具有...
储能逆变器是一种将直流电转化为交流电，并能够将电能储存于电池中的设备。储能...储能逆变器是一种将直流电转化为交流电，并能够将电能储存于电池中的设备。储能逆变器在应对电网电力波动和提高电力系统供电质量方面具有非常重要的作用。它可以控...
KCB2908A场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流130A，采用先进的SGT技术设计，极低...KCB2908A场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流130A，采用先进的SGT技术设计，极低导通电阻RDS(on) 3.7mΩ，出色的栅极电荷，可最大限度地减少导电损失，减少开关损耗...
当S1A为低电平的时候，MOS管Q3导通，S1A与S2A导通，S2A端被拉低到0V，实现两端...当S1A为低电平的时候，MOS管Q3导通，S1A与S2A导通，S2A端被拉低到0V，实现两端都为低电平。 当S1A为高电平的时候，MOS管Q3关断，S2A端由上拉电阻（上图中的 R28）...
结型场效应管（JFET）、绝缘栅型场效应管（MOSFET），结型场效应管分为N沟道和...结型场效应管（JFET）、绝缘栅型场效应管（MOSFET），结型场效应管分为N沟道和P沟道；绝缘栅型分为增强型和耗尽型（N沟道和P沟道）。 JFET和MOSTFET之间的主要区...
