尺寸和空间占用：SOP封装比DIP封装更小，占用的空间更少，更适合现代电子设备的...尺寸和空间占用：SOP封装比DIP封装更小，占用的空间更少，更适合现代电子设备的小型化趋势。 引脚数量和排列：SOP封装可以容纳更多的引脚，并且引脚排列更紧凑，...
KNB2803S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0m...KNB2803S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试、改进...
绝缘层薄，承受高电压的能力差。 高输入阻抗使其对电压变化敏感。 静电放电会...绝缘层薄，承受高电压的能力差。 高输入阻抗使其对电压变化敏感。 静电放电会在短时间内施加过高的电压，导致绝缘层击穿。
反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。 反向...反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。 反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。
KND3203B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流100A；采用CRM（CQ）先进的沟槽MOS...KND3203B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流100A；采用CRM（CQ）先进的沟槽MOS技术，极低导通电阻RDS(开启) 3.1mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；优秀的Qg...
