KIA2803AB场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽工艺设计，极...KIA2803AB场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽工艺设计，极低导通电阻RDS(on)=2.2mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；...
连接端子A：将端子A连接到电源正极（+）。 连接端子B：将端子B连接到电源负极...连接端子A：将端子A连接到电源正极（+）。 连接端子B：将端子B连接到电源负极（-）。 连接滑动端子W：将滑动端子W连接到负载或后续电路。
ao4407参数 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）：12A RDS(ON)...ao4407参数 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）：12A RDS(ON) (at VGS =-10V)< 14mΩ 栅源极阈值电压：2.8V @ 250uA 最大功率耗散：3.
hy1804场效应管代换型号KND3404B漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进的沟槽...hy1804场效应管代换型号KND3404B漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进的沟槽工艺技术，极低的导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，最大限度地减少导电损耗，具有优越的开...
低通滤波器的电路结构中，电容放在输出端，电感放在输入端，使电压相位滞后。（...低通滤波器的电路结构中，电容放在输出端，电感放在输入端，使电压相位滞后。（电容、电阻串联） 高通滤波器的电路结构中，电容放在输入端，电感放在输出端，使电...
