从传递函数的表达式中也可以看出，当 s 很小时，Vo(s)/Vi(s) 的值也很小；当s值...从传递函数的表达式中也可以看出，当 s 很小时，Vo(s)/Vi(s) 的值也很小；当s值增大，则 Vo(s)/Vi(s)也会增大；当s接近于无穷时，Vo(s)/Vi(s) 约为 AVF；所以为高...
KIA50N03BD场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流50A，采用先进的沟槽工艺技术，高...KIA50N03BD场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流50A，采用先进的沟槽工艺技术，高密度电池设计，具有超低导通电阻RDS(开启) 6.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，完全表...
因为注入方向和晶圆有一定倾角后，注入离子与晶圆内部的原子碰撞概率提高，而抑...因为注入方向和晶圆有一定倾角后，注入离子与晶圆内部的原子碰撞概率提高，而抑制了隧道效应的产生。 为什么一定是7°倾角呢？如果倾角过大，带胶注入时，离子被...
对于短沟道（L很小）的MOS管，由于Source和Drain的距离太近，导致Channel的能带...对于短沟道（L很小）的MOS管，由于Source和Drain的距离太近，导致Channel的能带被向下拉，因此导致了处于Cut-Off状态下的器件leakage会增大（因为沟道的势垒降低了...
锂电池保护板专用MOS管KNG3703A漏源击穿电压30V，漏极电流50A，采用先进的沟槽...锂电池保护板专用MOS管KNG3703A漏源击穿电压30V，漏极电流50A，采用先进的沟槽工艺技术，高密度电池设计，具有超低导通电阻RDS(开启) 7.5mΩ，低栅极电荷，最大限...
