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MOS的集成:CMOS、BICMOS/BIMOS、HV-CMOS这几个型号是有什么区别

信息来源:本站 日期:2017-07-31 

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MOS的集成 :CMOS,BiCMOS/BiMOS,HV-CMOS

CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor,互补型金属氧化物半导体)器件是目前比拟成熟的半导休集成下艺之一,能够了解为集成电路中的横向构造MOSFET,为了进步开关速度,降低功耗,采用一个N沟道(NMOS)和一个P沟道(PMOS)的互补构造作为一个MOSFET来运用(图1. 30)。CMOS的这种构造互补构造组成的电路方式在集成电路中应用比拟广泛,也不只限于FET,BJT也能够,这种电路方式也称为图腾柱。与CMOS有关的公开材料相当丰厚,中文材料也是如此,这里不再赘述。


CMOS曾经普遍用于RAM和ROM中,直到目前,CMOS依然是最为省电的数字逻辑电路,也被以为是最为地道的逻辑电路,在请求性价比的应用中,Flash ROM和BiCMOS逐步取代了CMOS。换言之,在很多应用中,假如本钱不是问题,CMOS的优势依然不可替代,CMOS RAM采用普通的碱性电池供电叮以坚持数据长达7年左右。


BiCMOS( Bipolar CMOS)与BiMOS是同义词,是双极工艺和CMOS工艺的混血儿,这种本来是针对双极性器件与MOS器件难以在同一芯片上集成的混合丁艺,目前具有尤叮比较的本钱优势,并且叮以用于功率晶体管和IC的制造。


目前常用场效应管、KIAmos管的功率控制IC的常见工艺根本上就是上述两大类:BiCMOS和HV-CMOS,本来非主流的SOI( Silicon-On-Insulator,硅隔离)工艺正在开展中(图1. 31)。

进步电压规格能够有效进步控制功率,而且有些器件的驱动确实需求比拟高的电压,如目前新兴的大屏幕FPD(Flat-Panel Displays,平板显现屏)中的PDP( Plasma Display Panels,等离子显现屏)、FF.D( Field,F.mission Displays,场致发射显现屏)、EL(Electro Luminescent Displays,电致发光显现屏)等等。