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MOS晶体管的源极与基底是等电位 n沟MOS晶体管加偏置电压会发生什么状况

信息来源:本站 日期:2017-08-10 

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当源极-基底间加偏置时,阈值电压变化

在很多,隋况下,MOS晶体管的源极与基底是等电位的。其结果,使图1.31中基底(衬底或者阱)与沟道间的pn结处于零偏置。当源极—基底间加反向(或者正向)偏置电压VSB时,MOS晶体管的阈值电压就会发作变化。
mos管

如今讨论图1. 32示出的n沟MOS晶体管加偏置电压(VSB>O)时的状况。

反向偏置电压VSB会使沟道下的耗尽层扩展。由于耗尽层的扩展,耗尽层的负电离子数增加,而沟道区的电子数目相应地减少,使得与多晶硅栅中的正电荷坚持均衡。由于沟道区电子数目的减少,招致沟道的厚度变薄。

为了使沟道恢复到原来的厚度,必需加更大的栅极—源极间电压YGS。其结果,这个反向偏置电压Vs。招致了阈值电压的上升。

这种由于源极—基底间电压VSB招致阈值电压发作变化的现象,称为衬底偏置效应(body effect)或者背栅效应(back-gate effect)。


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