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mos管的栅极-源极之间的电压是什么

信息来源:本站 日期:2017-08-10 

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栅源电流源电路

图7.2的复制电流源中,假如输出电压有△Vout的变动,那么电流源电路的电流将经过M2输出电阻r02变化。这个变化量为△Iout,那么下式成立:

电流源电路的性能由输出电压的变动△Vout起电流量的变动△Iout定义,这个值越小,性能越好。从式(7.3)能够看出,当增大电流源电路的输出电阻ro2时,有利于电流源性能的进步。

常用栅源放大电路作为增大模仿电路输出电阻的手腕。如图7.3所示,假如监视参考电流的电路与产生复制电流的电路都是栅源构造(将器件串级衔接的构造).就能构成输出电阻大的电流源电路。图7.3的栅源电路中,M3的漏极电阻r03是M4的本征增益gm4倍的输出电阻(gm4d r04) r03。放大电路中,为了进步电压增益而进步输出电阻。同样的办法也被用来进步电流源电路的输出电阻。栅源电路中,依据式(7,3),输出电流的变化量△Iout能够进一步伐整M4的本征增益(gmro4).

但是由于有4个MOS晶体管,所以如式(7.2)所示的那样,在饱和区下作的MOS晶体管的栅极源极之间的阈值电压VT上必需加额外的电压△ov。图7.4所示的栅源电流源电路中,处于监视侧(左侧)的两个MOS晶体管的栅极电位分别是VT十△ov2(VT+△DV)。这时,为使所定的电流流过M4的源极电压是VT十△ov,所以由饱和区工作条件得到的输出电压Vout下限是VT+ 2△ov。例如,假如MOS晶体管的阈值电压VT=0.5V,△OV=0. 2V,那么输出电压的下限就是o.9v。
mos管


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