MOS管选型

最近在推MOS管的过程中，遇到一些问题，最主要的是一个品牌交换参数的对应问题，很多时分我们只关注了电流电压满足请求，性能上的比拟我们很少做比拟，供大家参考：

与系统相关的重要参数：

在MOS管选择方面，系统请求相关的几个重要参数是：

1． 负载电流IL。它直接决议于MOSFET的输出才能；

2． 输入—输出电压。它受MOSFET负载占空比才能限制；

3． mos开关频率FS。这个参数影响MOSFET开关霎时的耗散功率；

4． MOSFET最大允许工作温度。这要满足系统指定的牢靠性目的。

MOSFET设计选择：

一旦系统的工作条件（负载电流，开关频率，输出电压等）被肯定，功率MOSFET在参数方面的选择如下：

1 RDSON的值。最低的导通电阻，能够减小损耗，并让系统较好的工作。但是，较低电阻的MOSFET较高电阻器件。

2 散热。假如空间足够大，能够起到外部散热效果，就能够以较低本钱取得与较低RDSON一样的效果。也能够运用外表贴装MOSFET到达同样效果，详见下文第15行。

3 MOSFET组合。假如板上空间允许，有时分，能够用两个较高RDSON的器件并联，以取得相同的工作温度，并且本钱较低。

计算MOSFET的功率损耗及其壳温：

在MOSFET工作状态下，有三局部功率损耗：

1． MOSFET在完整翻开以后（可变电阻区）的功率损耗：PON=ILoad2 × RDSON ×占空比ILoad为最大直流输出电流。

2． MOSFET在翻开上升时功率损耗：PTRON= （ILoad × VDS × Tr ×FS）/ 2

3． MOSFET在截止状态下的功耗：PTRON= （ILoad × VDS × Tf ×Fs）/ 2

其中：Tf 是MOSFET的降落时间。

在连续形式开关调理器中，占空比等于 Vout/Vin。

VDS是漏源之间的最大电压，关于非同步转换器，VDS=VIN+VOUT 。关于一个同步转换器，升压MOSFET的VDS=VIN ，降压MOSFET则是VDS=VF 。其中VF是肖特基势垒的正向压降。

我们如今能够计算MOSFET的温度。器件的结温可表示为TA+（PD × θCA）或TA+（PD × θSA）。其中，TA 为环境温度，PD是上述1、2、3项的功耗之和，θCA是由管壳到环境的导热系数，QSA则是从热沉到环境的导热系数。这些公式，都是假定从结到管壳的导热系数（~1℃/W）与其他热阻相比是负的。

没有一个简单的办法去选择MOSFET与热沉分离，使本钱最低。由于这里有多种设计选择合适于变换器系统设计母板。但是，表2中的电子数据，为母板设计员给出了一种便当，便于剖析各种选择，包括正确选择性能和低本钱的折中。该数据表曾经被收进各种电子文本。该数据表标明了两种选择办法：

1）飞兆FDP7030L 型MOSFET，合适于升压与降压应用；
2）飞兆FDP6030L 型MOSFET，同样合适于升压和降压应用。现将这份数据表内容依照行序列分别解释如下：

1 升压应用的MOSFET导通电阻值RDSON，来源于MOSFET数据手册；

2 FET的上升时间，来源于MOSFET数据手册；

3 FET的降落时间，来源于MOSFET数据手册。设计者应该留意到，这个数据表为产品标准书中的上升和降落时间，实践观测到的可能会大两倍，所以，开关时间的损耗可能会大大地小于计算出来的。

4 降压MOSFET的导通电阻值RDSON，来源于MOSFET数据手册

5 最大负载电流，决议于应用；

6 最高环境温度，例如40℃；

7 最高管壳温度。这里是指在比拟平安的工作状态下，其温度不超越100℃；

8 开关频率的值。虽然较高的开关频率招致较大的功耗，这个数值也被其他诸如输出电流等参数所限制。此参数的典型值的范围在200KHZ到300KHZ之间；

9 FET的输入电压。允许范围在5V—12V之间；

10 输出电压值。输出和输入电压决议了导通时间；

11 占空比。这是一个不肯定的范围，关于降压应用的MOSFET来说，占空比可用（1—VIN/VOUT）来表示。

12 升压应用的功率MOSFET总功耗计算包括了开关霎时脉冲和导通时的两局部功率；

13 降压应用MOSFET的总功耗；

14 热阻。这计算显现，关于升压MOSFET，为了满足最高壳温请求，需求如此大的热沉，各种条件列表给出；

15 升压应用的MOSFET的热沉（散热片）引荐。这一栏给出了与热阻匹配的典型的散热片。

留意：这一栏没有经过计算，并且必需运用中被考证；

16 降压应用的MOSFET的热阻；

17 降压应用的MOSFET的。热沉（散热片）引荐。

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