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mos管选型 常用mos管参数表大全 详解

信息来源:本站 日期:2017-06-07 

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MOS管选型

最近在推MOS管的过程中,遇到一些问题,最主要的是一个品牌交换参数的对应问题,很多时分我们只关注了电流电压满足请求,性能上的比拟我们很少做比拟,供大家参考:


与系统相关的重要参数:


MOS管选择方面,系统请求相关的几个重要参数是:


1. 负载电流IL。它直接决议于MOSFET的输出才能;


2. 输入—输出电压。它受MOSFET负载占空比才能限制;


3. mos开关频率FS。这个参数影响MOSFET开关霎时的耗散功率;


4. MOSFET最大允许工作温度。这要满足系统指定的牢靠性目的。


MOSFET设计选择:

一旦系统的工作条件(负载电流,开关频率,输出电压等)被肯定,功率MOSFET在参数方面的选择如下:


1 RDSON的值。最低的导通电阻,能够减小损耗,并让系统较好的工作。但是,较低电阻的MOSFET较高电阻器件。


2 散热。假如空间足够大,能够起到外部散热效果,就能够以较低本钱取得与较低RDSON一样的效果。也能够运用外表贴装MOSFET到达同样效果,详见下文第15行。


3 MOSFET组合。假如板上空间允许,有时分,能够用两个较高RDSON的器件并联,以取得相同的工作温度,并且本钱较低。


计算MOSFET的功率损耗及其壳温:

在MOSFET工作状态下,有三局部功率损耗:


1. MOSFET在完整翻开以后(可变电阻区)的功率损耗:PON=ILoad2 × RDSON ×占空比ILoad为最大直流输出电流。


2. MOSFET在翻开上升时功率损耗:PTRON= (ILoad × VDS × Tr ×FS)/ 2


3. MOSFET在截止状态下的功耗:PTRON= (ILoad × VDS × Tf ×Fs)/ 2


其中:Tf 是MOSFET的降落时间。


在连续形式开关调理器中,占空比等于 Vout/Vin。


VDS是漏源之间的最大电压,关于非同步转换器,VDS=VIN+VOUT 。关于一个同步转换器,升压MOSFET的VDS=VIN ,降压MOSFET则是VDS=VF 。其中VF是肖特基势垒的正向压降。


我们如今能够计算MOSFET的温度。器件的结温可表示为TA+(PD × θCA)或TA+(PD × θSA)。其中,TA 为环境温度,PD是上述1、2、3项的功耗之和,θCA是由管壳到环境的导热系数,QSA则是从热沉到环境的导热系数。这些公式,都是假定从结到管壳的导热系数(~1℃/W)与其他热阻相比是负的。


没有一个简单的办法去选择MOSFET与热沉分离,使本钱最低。由于这里有多种设计选择合适于变换器系统设计母板。但是,表2中的电子数据,为母板设计员给出了一种便当,便于剖析各种选择,包括正确选择性能和低本钱的折中。该数据表曾经被收进各种电子文本。该数据表标明了两种选择办法:

1)飞兆FDP7030L 型MOSFET,合适于升压与降压应用;
2)飞兆FDP6030L 型MOSFET,同样合适于升压和降压应用。现将这份数据表内容依照行序列分别解释如下:

1 升压应用的MOSFET导通电阻值RDSON,来源于MOSFET数据手册;


2 FET的上升时间,来源于MOSFET数据手册;


3 FET的降落时间,来源于MOSFET数据手册。设计者应该留意到,这个数据表为产品标准书中的上升和降落时间,实践观测到的可能会大两倍,所以,开关时间的损耗可能会大大地小于计算出来的。


4 降压MOSFET的导通电阻值RDSON,来源于MOSFET数据手册


5 最大负载电流,决议于应用;


6 最高环境温度,例如40℃;


7 最高管壳温度。这里是指在比拟平安的工作状态下,其温度不超越100℃;


8 开关频率的值。虽然较高的开关频率招致较大的功耗,这个数值也被其他诸如输出电流等参数所限制。此参数的典型值的范围在200KHZ到300KHZ之间;


9 FET的输入电压。允许范围在5V—12V之间;


10 输出电压值。输出和输入电压决议了导通时间;


11 占空比。这是一个不肯定的范围,关于降压应用的MOSFET来说,占空比可用(1—VIN/VOUT)来表示。


12 升压应用的功率MOSFET总功耗计算包括了开关霎时脉冲和导通时的两局部功率;


13 降压应用MOSFET的总功耗;


14 热阻。这计算显现,关于升压MOSFET,为了满足最高壳温请求,需求如此大的热沉,各种条件列表给出;


15 升压应用的MOSFET的热沉(散热片)引荐。这一栏给出了与热阻匹配的典型的散热片。

留意:这一栏没有经过计算,并且必需运用中被考证;


16 降压应用的MOSFET的热阻;


17 降压应用的MOSFET的。热沉(散热片)引荐。


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