28n50场效应管,500v28a,to-220f,KIA28N50HF参数-KIA MOS管
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28n50场效应管,500v28a参数
28n50场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流28A，极低导通电阻RDS(开启) 0.16Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷、低交叉，开关速度快，高效低耗；100% 雪崩失效率、提高dv/dt能力、符合RoHS标准，稳定可靠；具有良好的开关特性，能够承受较大的耐压和电流，广泛应用于车载逆变器、LED电源、手机充电器、备用电源等，封装形式：TO-220F，适合大功率应用。
详细参数：
漏源电压：500V
漏极电流：28A
导通电阻：0.16Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：80A
雪崩能量单脉冲：1110MJ
总功耗：50W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：45nC
输入电容：2555PF
输出电容：355PF
反向传输电容：29PF
开通延迟时间：46nS
关断延迟时间：105nS
上升时间：118ns
下降时间：62ns
28n50场效应管,500v28a引脚图
28n50mos,28a500v场效应管规格书
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