深圳市可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

50N06现货供应商 KIA50N06 PDF下载 50N06参数配置对比-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-01-18 

分享到:

KIA50N06产品描述

kia50n06是三端器件与约50A电流传导能力,快速开关速度。低通态电阻,60V额定击穿电压,最大阈值4伏电压。它主要适用于电子镇流器和低功率开关。


1、特征

RDS(ON)=18mΩ@ V GS = 10v。

超低栅极电荷(典型的30nc)

低反向转移电容

快速切换的能力

100%雪崩能量

改进的dt/dt能力


2、产品参数

漏极至源极电压:60

栅源电压:±20

漏极电流 (连续):50

单脉冲雪崩能量:480

耗散功率:130

工作温度:-55~+150

输入电容:VDS =25V,VGS=0V,f=1MHz

击穿电压温度:0.7

上升时间:VDD=30V,ID=25A,RG=50Ω(note4,5)


3、KIA50N06产品规格


KIA50N06(50A 60V)
产品编号 KIA50N06/A/BA/BD/BP/BU
产品工艺 kia50n06是三端器件与约50A电流传导能力,快速开关速度。低通态电阻,60V额定击穿电压,最大阈值4伏电压。它主要适用于电子镇流器和低功率开关

特征

RDS(ON)=18mΩ@ V GS = 10v。

超低栅极电荷(典型的30nc)

低反向转移电容

快速切换的能力

100%雪崩能量

改进的dt/dt能力

适用范围 适用于电子镇流器和低功率开关
封装形式 TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
PDF文件 【直接在线预览】
LOGO
厂家 KIA 原厂家
网址 www.kiaic.com
PDF总页数 总6页数


联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助

50N06


相关搜索:

5N60参数

7N60中文资料

8N60场效应管参数

10N60参数

75NF75参数参数

12N60价格

9N20场效应管中文资料

IRF740 740参数及代换

13N50中文资料

20N50价格

IRF640 640参数及代换

IRF730 730参数及代换

IRF3205参数及代换

CMD5950 5950

76A600V电压参数

47A 600V参数范围

100A 500V参数