10N60现货供应商 KIA10N60 PDF下载 10N60参数配置对比-KIA 官网
信息来源：本站 日期：2018-01-17
N沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计用于高压、高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源功率因数校正电子镇流器基于半桥拓扑。
2、特征
RD= 0.6@ V GS = 10v
低栅极电荷（典型的44nc）
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
漏源反向电压（vds)： 600
栅源反向电压（vgs)：30
漏电流（连续）:TC=250C
总功耗:TC=25oC、PD=50 W
结温:TJ+150oC
贮藏温度~ STG - 55 + 150oC
封装形式：TO-220F
3、KIA10N06产品规格
RD= 0.6?@ V GS = 10v
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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