2n65场效应管,650v2a mos,KIA2N65HU参数引脚图-KIA MOS管
2n65场效应管,650v2a参数
2n65场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流2A，采用KIA先进平面条纹DMOS技术制造，可显著降低导通电阻、提升开关性能，并在雪崩模式和换向模式下具备优异的高能脉冲耐受能力；低导通电阻RDS(开启) 4.3Ω，低栅极电荷6.5nC，高效低耗；具有高抗干扰能力、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；适用于高效开关电源及功率因数校正系统等；封装形式：TO-251。
详细参数：
漏源电压：650V
漏极电流：2A
导通电阻：4.3Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：7.5A
单脉冲雪崩能量：100MJ
功率耗散：42W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：6.5nC
输入电容：275PF
输出电容：30PF
反向传输电容：2PF
开通延迟时间：10nS
关断延迟时间：40nS
上升时间：30ns
下降时间：40ns
2n65场效应管,650v2a引脚图
2n65场效应管,650v2a规格书
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