TO-220AB：TO-220AB是特定的JEDEC编码，“AB”是指符合特定的测量规范的3个直插...TO-220AB：TO-220AB是特定的JEDEC编码，“AB”是指符合特定的测量规范的3个直插脚编。 TO-220-3是通用的编码，指具有TO-220本体和3引脚的零件。相同的封装系列中...
SOT-227小型晶体管封装，是一种体积介于单管和模块之间的内绝缘功率半导体封装...SOT-227小型晶体管封装，是一种体积介于单管和模块之间的内绝缘功率半导体封装，采用M4螺丝法兰底板安装和4个引出端口，常用于封装IGBT、二极管和MOSFET等器件。
原厂优质现货KNY3303A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A，采用先进的平面...原厂优质现货KNY3303A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A，采用先进的平面条形DMOS技术生产，极低导通电阻RDS(导通) 3.1mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损...
电源电压大于稳压二极管D1电压Vref+三极管导通电压（0点几伏）时，Q1导通，R4上...电源电压大于稳压二极管D1电压Vref+三极管导通电压（0点几伏）时，Q1导通，R4上端电压为电源电压减去三极管导通电压。Q2是P-MOS，就不导通了；否则，Q1不导通，R4...
12V电压经10V稳压二极管时，因二极管正向压降特性，两端电压被稳定至10V，剩余...12V电压经10V稳压二极管时，因二极管正向压降特性，两端电压被稳定至10V，剩余2V压差使MOS管栅极与源极间形成足够驱动能力，促使MOS管导通。此过程实现将12V电压稳...
原厂优质车规级场效应管KAND3404R漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进沟槽...原厂优质车规级场效应管KAND3404R漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(导通) 5.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有...
