KNM48150A场效应管漏源击穿电压1500V，漏极电流9A，采用先进的沟槽技术制造，低...KNM48150A场效应管漏源击穿电压1500V，漏极电流9A，采用先进的沟槽技术制造，低导通电阻RDS(开启) 2.8Ω，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有低...
当输入电压Ui接通电源后，若晶体管Q2的基极电压高于发射集电压，则Q2将导通，进...当输入电压Ui接通电源后，若晶体管Q2的基极电压高于发射集电压，则Q2将导通，进而导致Q1的基极电压低于发射集电压，使Q1也导通，此时输出电压Uo与输入电压Ui相等。...
Buck（降压型）拓扑： 核心功能是将输入的高电压转换为较低的输出电压（例如1...Buck（降压型）拓扑： 核心功能是将输入的高电压转换为较低的输出电压（例如12V降至5V）。 工作原理是通过开关管的通断控制，将输入电压“斩波”后经电感滤波输...
KNP2912A场效应管漏源击穿电压120V，漏极电流130A，采用先进的沟槽技术制造，极...KNP2912A场效应管漏源击穿电压120V，漏极电流130A，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 6.0mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；高密...
正接时，会先经过Q1的体二极管，再经过两个电阻后，使PMOS导通。反接时，由于P...正接时，会先经过Q1的体二极管，再经过两个电阻后，使PMOS导通。反接时，由于PMOS无法导通，也就达到了保护电路的目的。
输入端正接时（上正下负），由于MOSFET存在体二极管，所以上电初始阶段S端被拉...输入端正接时（上正下负），由于MOSFET存在体二极管，所以上电初始阶段S端被拉低，R1和R2分压，其中R2上分得的电压为MOSFET提供偏置使其DS导通，此后DS就像开关一...
