KNP4890A场效应管漏源击穿电压900V，漏极电流9A，采用先进的平面加工技术制造，...KNP4890A场效应管漏源击穿电压900V，漏极电流9A，采用先进的平面加工技术制造，低导通电阻RDS（ON）=1.2Ω，低栅极电荷，能够最大限度地减少导电损耗，最小化开关...
CMOS电路由PMOS（P沟道）管和NMOS（N沟道）管通过互补对称方式连接，形成推挽式...CMOS电路由PMOS（P沟道）管和NMOS（N沟道）管通过互补对称方式连接，形成推挽式工作模式。在基本反相器中，PMOS作为上拉管，NMOS作为下拉管，两者交替导通实现逻辑...
NMOS：以P型半导体为衬底，两侧为N型扩散区（源极S与漏极D），形成N型导电沟道...NMOS：以P型半导体为衬底，两侧为N型扩散区（源极S与漏极D），形成N型导电沟道。 PMOS：以N型半导体为衬底，两侧为P型扩散区，形成P型导电沟道。
KNH8150A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流30A，采用先进的平面加工技术制造...KNH8150A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流30A，采用先进的平面加工技术制造，低导通电阻RDS(开启) 150mΩ（典型值）@VGS=10V，最大限度地降低导通电阻，低栅...
太阳能逆变器是太阳能发电系统的核心设备，主要用于将光伏电池板产生的直流电（...太阳能逆变器是太阳能发电系统的核心设备，主要用于将光伏电池板产生的直流电（DC）转换为可供电网或电器使用的交流电（AC），并承担调节电能质量的职能。
温度补偿电路原理是利用正/负温度系数元件组合或反馈机制实现温度误差的动态修...温度补偿电路原理是利用正/负温度系数元件组合或反馈机制实现温度误差的动态修正。 正负温度系数组合：正温度系数（PTC）元件在温度升高时电阻增大，负温度系数（...
