KCT1808A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流240A，采用采用先进SGT技术制造，极...KCT1808A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流240A，采用采用先进SGT技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.25mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有优异栅极电...
升压PFC采用了单个低侧MOSFET、一个电感器和一个二极管。为了实现高效的交流/直...升压PFC采用了单个低侧MOSFET、一个电感器和一个二极管。为了实现高效的交流/直流转换，MOSFET栅极驱动器必须满足特定的要求才能有效驱动MOSFET。这些驱动器的一些...
输入电压VIN为NPN三极管Q1提供IB电流使用它处于放大区，IC为放大电流也为PNP三...输入电压VIN为NPN三极管Q1提供IB电流使用它处于放大区，IC为放大电流也为PNP三极管Q2的基极电流，通过对IC电流的控制，可使Q2处于饱和状态并以IE的饱和电流向电容...
KNP3306A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流80A；采用先进的沟槽技术制造，极低...KNP3306A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流80A；采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 7mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输...
当输出端悬空时，电路通过 R1 对 PNP 三极管 Q1 的基极进行弱上拉，此时基极-发...当输出端悬空时，电路通过 R1 对 PNP 三极管 Q1 的基极进行弱上拉，此时基极-发射极无电压差，三极管保持截止状态。由于无电流流向三极管集电极，BT151 晶闸管的门...
R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2组成缓冲器，和开关MOS管并接，使开关管电压应力减...R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2组成缓冲器，和开关MOS管并接，使开关管电压应力减少，EMI减少，不发生二次击穿。在开关管Q1关断时，变压器的原边线圈易产生尖峰电压和...
