KNB2708A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流160A，采用专有新型沟槽技术制造，...KNB2708A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流160A，采用专有新型沟槽技术制造，极低导通电阻RDS（ON）4mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，超低栅极电荷，减...
在半导体器件中，由于空间电荷区（即耗尽层）的存在而形成的电容。当外加电压变...在半导体器件中，由于空间电荷区（即耗尽层）的存在而形成的电容。当外加电压变化时，耗尽层的宽度和电荷量会变化，导致电容的变化。这种情况下，势垒电容与耗尽层...
普通二极管（如整流二极管）： 负极（阴极，K） 一般有一条白色或银色环标记。...普通二极管（如整流二极管）： 负极（阴极，K） 一般有一条白色或银色环标记。 正极（阳极，A） 没有标记。
KPD3204B场效应管漏源击穿电压-40V，漏极电流-90A，采用先进的高单元密度沟槽技...KPD3204B场效应管漏源击穿电压-40V，漏极电流-90A，采用先进的高单元密度沟槽技术制造，极低导通电阻RDS（ON）3.2mΩ（典型值）、超低栅极电荷，减少开关损耗，高...
反向传输电容Crss=Cgd，米勒电容主导开关期间VDS变化阶段（米勒平台），延长开...反向传输电容Crss=Cgd，米勒电容主导开关期间VDS变化阶段（米勒平台），延长开关时间并增加损耗；
pmos是低电压开启的，其导通条件是栅极电压（Vgs）低于阈值电压（通常为负值）...pmos是低电压开启的，其导通条件是栅极电压（Vgs）低于阈值电压（通常为负值），即栅极相对于源极为负电压时导通。 pmos管的开通电压为负值，通常在-5V至-10V范围...
