LLC谐振电路主要由开关电路、谐振电路以及整流电路三个部分组成。通过控制开关...LLC谐振电路主要由开关电路、谐振电路以及整流电路三个部分组成。通过控制开关管的开关时间和频率，使得谐振电路中的电感、电容和变压器之间产生谐振振荡，从而实...
7805是一款三端稳压集成电路，常见的三端稳压集成电路有正电压输出的78××系列...7805是一款三端稳压集成电路，常见的三端稳压集成电路有正电压输出的78××系列和负电压输出的79××系列。 7805三端稳压器主要参数包括输出电压5V（4.8V~5.2V）...
KLF80R240B是一款n沟道多外延Super-JMOSFET，漏源击穿电压800V，漏极电流18A，...KLF80R240B是一款n沟道多外延Super-JMOSFET，漏源击穿电压800V，漏极电流18A，低导通电阻RDS(on) 205mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，能够减少功耗并...
短沟道效应（short-channel effects）是当金属氧化物半导体场效应管的导电沟道...短沟道效应（short-channel effects）是当金属氧化物半导体场效应管的导电沟道长度降低到十几纳米、甚至几纳米量级时，晶体管出现的一些效应。
夹断电压VGS(off)（或VP） 夹断电压是耗尽型场效应管（FET）的关键参数。当栅...夹断电压VGS(off)（或VP） 夹断电压是耗尽型场效应管（FET）的关键参数。当栅源电压VGS等于夹断电压VGS(off)时，漏极电流将降至为零。
KPY3404A场效应管漏源击穿电压-40V，漏极电流-85A，使用先进的高单元密度沟槽技...KPY3404A场效应管漏源击穿电压-40V，漏极电流-85A，使用先进的高单元密度沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(on) 5mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，能够减...
