KCB2908A场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流130A，采用先进的SGT技术设计，极低...KCB2908A场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流130A，采用先进的SGT技术设计，极低导通电阻RDS(on) 3.7mΩ，出色的栅极电荷，可最大限度地减少导电损失，减少开关损耗...
当S1A为低电平的时候，MOS管Q3导通，S1A与S2A导通，S2A端被拉低到0V，实现两端...当S1A为低电平的时候，MOS管Q3导通，S1A与S2A导通，S2A端被拉低到0V，实现两端都为低电平。 当S1A为高电平的时候，MOS管Q3关断，S2A端由上拉电阻（上图中的 R28）...
结型场效应管（JFET）、绝缘栅型场效应管（MOSFET），结型场效应管分为N沟道和...结型场效应管（JFET）、绝缘栅型场效应管（MOSFET），结型场效应管分为N沟道和P沟道；绝缘栅型分为增强型和耗尽型（N沟道和P沟道）。 JFET和MOSTFET之间的主要区...
FET（场效应晶体管）主要分为结型场效应管（JFET）、金属氧化物半导体场效应管...FET（场效应晶体管）主要分为结型场效应管（JFET）、金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和金属-半导体场效应管（MESFET）、调制掺杂场效应管（MODFET）等。
MOS管在开关电路中扮演着重要的角色。其优异的电性能使得它能够高效地控制电路...MOS管在开关电路中扮演着重要的角色。其优异的电性能使得它能够高效地控制电路的通断，实现精确的开关功能。
KCB2904A场效应管漏源击穿电压45V，漏极电流130A，采用先进的SGT技术，极低导通...KCB2904A场效应管漏源击穿电压45V，漏极电流130A，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS（ON）2mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，减少开关损耗；具有低功率...
