全桥电路两个桥臂之一，例如开关Q1和Q4组成方向臂，当调制信号us>0时，Q1导通，...全桥电路两个桥臂之一，例如开关Q1和Q4组成方向臂，当调制信号us>0时，Q1导通，而Q4关断，输出的平均电压大于零；当调制信号us<0时，Q4导通，而Q1关断，输出的平均...
三相电压型逆变器结构如图所示。VT1-VT6 为六个功率开关管，由六路 PWM 信号进...三相电压型逆变器结构如图所示。VT1-VT6 为六个功率开关管，由六路 PWM 信号进行控制，逆变器输出为 ua、ub 和 uc，控制无刷电机的三相线圈通断，FOC控制下，输出...
KCT012N09N场效应管漏源击穿电压90V，漏极电流305A ，采用先进的MOS技术制造，...KCT012N09N场效应管漏源击穿电压90V，漏极电流305A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.3mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高...
开关控制： 同一桥臂的上下管互补导通，避免直通短路（需加入死区时间）。 在...开关控制： 同一桥臂的上下管互补导通，避免直通短路（需加入死区时间）。 在正弦波正半周，一对角开关交替导通；负半周切换至另一对角，实现交流极性反转。
PWM逆变电路的原理是通过控制功率开关器件（如MOSFET或IGBT）的通断时序，生成...PWM逆变电路的原理是通过控制功率开关器件（如MOSFET或IGBT）的通断时序，生成宽度可变的等幅脉冲序列，从而将直流电（DC）高效地转换为可调电压和频率的交流电（...
KCT050N08N场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，...KCT050N08N场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 4.6mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高...
