逆变器后级电路的作用是将高压直流电转换为稳定的交流电，结构采用全桥（H桥）...逆变器后级电路的作用是将高压直流电转换为稳定的交流电，结构采用全桥（H桥）拓扑。 逆变器后级电路通过SPWM控制全桥开关管，将高压直流电逆变为交流电，并依赖...
在实际应用中，逆变器前级有时会省略L1，尽管电路结构上仍呈现闭环稳压特性，且...在实际应用中，逆变器前级有时会省略L1，尽管电路结构上仍呈现闭环稳压特性，且电压通过R1进行反馈。这是因为在闭环稳压的计算中，为了确保输出稳压，变压器的变比...
KCT012N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流330A ，采用先进的MOS技术制造，...KCT012N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流330A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.5mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），最大限度地减少导...
1.在U1负半周时，UAB=-U2，二极管D26导通，D25截止，给电容C82充电，充电完成后...1.在U1负半周时，UAB=-U2，二极管D26导通，D25截止，给电容C82充电，充电完成后，UC82=UCA=U2； 2.U1从负半周变为正半周时，二极管D25导通，D26截止，此时C82和电...
倍压整流电路是利用二极管单向导通的特性和电容两端电压不能突变且可以存储能量...倍压整流电路是利用二极管单向导通的特性和电容两端电压不能突变且可以存储能量的特性，使得能量逐步往后级输送，同时线路上的电压也逐渐升高，所以就有了二倍压、...
KCT017N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流259A ，采用先进的MOS技术制造，...KCT017N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流259A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高...
